技术总结
本发明公开了一种SONOS存储器的工艺方法,包括：第1步，在硅衬底上形成ONO介质层，淀积多晶硅并刻蚀形成栅极后退火；再在多晶硅栅极表面形成薄氧化层；第2步，淀积一层介质层并刻蚀，在多晶硅栅极两侧形成第一层侧墙；第3步，进行LDD注入，以及卤族离子注入；第4步，淀积介质层并刻蚀，在多晶硅栅极两侧再形成第二层侧墙；第5步，进行源区、漏区的注入，形成SONOS存储器。本发明通过在LDD和卤族离子注入之前介质层淀积工艺步骤，形成LDD和卤族离子注入之前的第一层侧墙，减小了漏、栅的重叠区域，漏端耦合到沟道中的电压减小，从漏端耦合到沟道中的电压被削弱，降低了沟道表面的电势，漏极干扰得到改善。
技术研发人员：许昭昭;钱文生;段文婷;胡君;刘冬华;石晶
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201610929271
技术研发日：2016.10.31
技术公布日：2017.02.15