1.一种量子点发光器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板，在所述基板上通过溅射沉积制作阳极；
通过悬涂，雾化法或喷墨打印工艺，在所述阳极上制作空穴注入层；
通过悬涂，喷墨打印或雾化工艺，将空穴传输层涂布到所述空穴注入层上；
通过悬涂，喷墨打印或雾化工艺，将量子点发光层涂布到所述空穴传输层；
通过溅射沉积或溶液法，将IZO电子传输层沉积到所述量子点发光层；以及
通过热蒸镀工艺，在所述IZO电子传输层上制作阴极，以得到相应的量子点发光器件。
2.根据权利要求1所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，所述IZO电子传输层中的铟掺杂比例为0.01％至20％。
3.根据权利要求1所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，
所述阳极的材料为氧化铟锡；
所述空穴注入层的材料为3,4-乙烯二氧噻吩单体的聚合物(PEDOT)；
所述空穴传输层的材料为三苯基二胺衍生物(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPD)、聚合物三苯基二胺衍生物(poly-TPD)、4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯(CBP)或8-羟基喹啉铝(Alq3)；
所述量子点发光层的材料为硒化镉；
所述阴极的材料为镁银合金。
4.根据权利要求3所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，所述量子点发光层包括发光层以及保护壳层，所述发光层的材料为硒化镉，所述保护壳层的材料为硫化锌。
5.根据权利要求4所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，所述发光层分散配合基为油酸、三辛基氧化膦或三辛基膦。
6.根据权利要求1所述的量子点发光器件的制作方法，其特征在于，所述通过悬涂，喷墨打印或雾化工艺，将量子点发光层涂布到所述空穴传输层的步骤之前包括：
对所述空穴传输层进行溶剂烘干操作，以使得所述空穴传输层与所述量子点发光层产生相分离。
7.一种量子点发光器件，其特征在于，包括依次设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中所述电子传输层为铟掺杂比例为0.01％至20％的IZO电子传输层。
8.根据权利要求7所述的量子点发光器件，其特征在于，所述阳极的材料为氧化铟锡；
所述空穴注入层的材料为3,4-乙烯二氧噻吩单体的聚合物(PEDOT)；
所述空穴传输层的材料为三苯基二胺衍生物(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-(1-萘基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(NPD)、聚合物三苯基二胺衍生物(poly-TPD)、4,4'-双(9H-咔唑-9-基)联苯(CBP)或8-羟基喹啉铝(Alq3)；
所述量子点发光层的材料为硒化镉；
所述阴极的材料为镁银合金。
9.根据权利要求8所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光层包括发光层以及保护壳层，所述发光层的材料为硒化镉，所述保护壳层的材料为硫化锌。
10.根据权利要求9所述的量子点发光器件，其特征在于，所述发光层分散配合基为油酸、三辛基氧化膦或三辛基膦。