1.一种适用于碳化硅功率器件的具有可变角度沟槽结终端扩展终端结构，其特征在于，包括：
碳化硅衬底层(101)；
形成于所述碳化硅衬底层(101)上第一半导体层(102)，所述第一半导体层(102)具有第一导电类型；
设置于所述第一半导体层(102)表面的沟槽结构，所述沟槽结构的沟槽侧壁(104)与沟槽底部(105)之间的夹角为90°～145°；
覆盖于所述沟槽结构上方的钝化层(106)；
结终端扩展结构(103)，所述结终端扩展结构(103)具有第二导电类型，所述结终端扩展结构(103)设于所述第一半导体层(102)内，位于所述沟槽结构的沟槽侧壁(104)下方与沟槽底部(105)下方，且所述结终端扩展结构(103)邻靠沟槽侧壁(104)和沟槽底部(105)、并包围所述沟槽结构；
有源区(107)，所述有源区(107)具有第二导电类型，所述有源区(107)设置于所述第一半导体层(102)内，且与所述结终端扩展结构(103)邻接。
2.根据权利要求1所述的适用于碳化硅功率器件的具有可变角度沟槽结终端扩展终端结构，其特征在于，所述第一半导体层(102)的材料为碳化硅轻掺杂N型半导体材料。
3.根据权利要求1所述的适用于碳化硅功率器件的具有可变角度沟槽结终端扩展终端结构，其特征在于，所述沟槽结构的深度大于0μm小于等于2μm，宽度为10μm～500μm。
4.根据权利要求3所述的适用于碳化硅功率器件的具有可变角度沟槽结终端扩展终端结构，其特征在于，所述沟槽结构的深度大于等于0.5μm、小于等于1μm，宽度为100μm～200μm。
5.根据权利要求1所述的适用于碳化硅功率器件的具有可变角度沟槽结终端扩展终端结构，其特征在于，所述结终端扩展结构(103)的深度大于0μm小于等于1μm。
6.根据权利要求1所述的适用于碳化硅功率器件的具有可变角度沟槽结终端扩展终端结构，其特征在于，所述有源区(107)的深度为大于0μm，小于等于1μm。
7.根据权利要求1所述的适用于碳化硅功率器件的具有可变角度沟槽结终端扩展终端结构，其特征在于，所述碳化硅衬底层(101)的厚度为400μm。
8.根据权利要求1所述的适用于碳化硅功率器件的具有可变角度沟槽结终端扩展终端结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：在碳化硅衬底层(101)上通过外延生长形成具有第一导电类型的第一半导体层(102)；
S2：在第一半导体层(102)表面形成掩模层并光刻开孔，通过等离子体刻蚀控制沟槽侧壁与底部角度，形成包括沟槽底部(105)和沟槽侧壁(104)的沟槽结构；
S3：清洗掩模层，在第一半导体层(102)表面形成新的掩模层，通过在沟槽处进行离子注入形成具有第二导电类型的结终端扩展结构(103)，在沟槽一侧进行离子注入形成有源区(107)；
S4：在沟槽表面进行碳膜保护，通过高温退火对注入离子进行激活；
S5：去除碳膜，在沟槽上方形成绝缘钝化层(106)。