技术总结
本发明提供了一种背结背接触太阳能电池，包括，基片；复合在所述基片前表面的复合层；复合在所述基片背表面的隧穿氧化物层；复合在所述隧穿氧化物层上的P型掺杂半导体层和N型掺杂半导体层；设置在所述P型掺杂半导体层上的正电极；设置在所述N型掺杂半导体层上的负电极。本发明提出了一种采用隧穿氧化层钝化接触结构的背结背接触太阳能电池，采用隧穿氧化层钝化接触结构，这种结构避免了金属电极和衬底的直接接触，有效的减小了载流子在金属接触界面的复合，提高了电池的开压；而且由于金属接触不会带来复合的增加，金属接触可以覆盖发射极和背场的绝大部分面积，避免了载流子的横向运输，有利于降低串联电阻，进一步提高电池效率。
技术研发人员：贾锐;姜帅;陶科;孙恒超;戴小宛;金智;刘新宇
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
文档号码：201611257309
技术研发日：2016.12.30
技术公布日：2017.05.10