技术总结
本发明公开了一种具有部分本征GaN帽层的新型槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管。这种新型晶体管结构是在晶体管栅极边缘引入本征GaN帽层，该本征GaN帽层会降低该区域导电沟道的二维电子气浓度，实现电场调制效应。通过产生新的电场峰，降低了栅边缘的高电场，使晶体管表面的电场分布更加均匀，与传统槽栅增强型MIS结构相比，新型结构的击穿电压和可靠性也就有了明显的提高与改善。
技术研发人员：段宝兴;谢慎隆;郭海君;袁嵩;杨银堂
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201710020055
技术研发日：2017.01.11
技术公布日：2017.06.20