1.一种功率半导体模块结构，其特征在于，包括：若干个并联设置的芯片、上覆铜基板、下覆铜基板、驱动端子、电极端子、金属块和塑封树脂；
所述芯片和驱动端子分别焊接于所述下覆铜基板的覆铜层，所述驱动端子包括：上桥驱动端和下桥驱动端；
所述电极端子焊接于所述下覆铜基板的覆铜层，所述电极端子包括：正极、负极和交流输出极；
所述金属块焊接于所述芯片的表面，其中上桥区域的金属块的上表面与所述上覆铜基板的左侧铜层连接，所述上覆铜基板的左侧铜层与所述交流输出极连接，其中下桥区域的金属块的上表面与所述上覆铜基板的右侧铜层连接，所述上覆铜基板的右侧铜层与负极连接；
所述上覆铜基板与下覆铜基板之间通过塑封树脂连接。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块结构，其特征在于，包括：热敏电阻端；所述热敏电阻端通过焊料焊接于下覆铜基板的覆铜层。
3.根据权利要求1所述的功率半导体模块结构，其特征在于，所述上覆铜基板包括：绝缘陶瓷层和设置于绝缘陶瓷层上下两面的覆铜层。
4.根据权利要求1所述的功率半导体模块结构，其特征在于，所述下覆铜基板包括：绝缘陶瓷层和设置于绝缘陶瓷层上下两面的覆铜层，其中一面的覆铜层具有间隔分布的左侧铜层、右侧铜层。
5.根据权利要求1所述的功率半导体模块结构，其特征在于，所述芯片为sicmosfet芯片或者igbt芯片。