技术特征：
1.一种调节半导体器件镀膜均匀性的装置，其特征在于，包括：半导体器件，所述半导体器件包括第一芯片以及位于所述第一芯片上的第一焊垫、第一晶圆以及位于所述第一晶圆上的第二焊垫，所述第一焊垫和所述第二焊垫之间相对设置且围成空隙；交换活化装置，位于所述半导体器件的下方，用于调整镀液的流动状态；槽体，所述槽体位于所述半导体器件的下方及侧壁，用于调节镀液交换的速率。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述槽体包括化镀内槽和化镀外槽。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述化镀内槽的底部设置声波震动装置，用于调节镀液交换的频率。4.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述化镀内槽上设置有镀液增压装置，用于将镀液进入所述空隙中。5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述镀液增压装置包括镀液增压喷头，所述镀液增压喷头位于所述化镀内槽的底部以及侧壁，用于调整镀液的流动方向。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：支撑架，所述支撑架位于所述半导体器件的上方且与所述半导体器件连接，用于调整所述半导体器件的位置。7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：预浸装置，用于将所述半导体器件浸润。8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述空隙的高度为1-100μm，所述第一芯片长宽尺寸为0.1-100mm，第一焊垫和/或第二焊垫的长宽尺寸为1-200μm。9.一种调节半导体器件镀膜均匀性的方法，其特征在于，利用权利要求1-8任一项所述的装置，该方法具体包括：步骤一：将所述半导体器件进行真空预浸；步骤二：预浸之后，利用该装置对所述半导体器件进行镀膜。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在预浸之后且镀膜之前，还包括：对半导体器件进行脏污处理以及去除所述第一焊垫、第二焊垫表面的氧化物；去除氧化物之后，在所述第一焊垫和第二焊垫的表面依次进行一次成锌工艺和二次成锌工艺；在进行二次成锌工艺之前，将一次成锌工艺过程形成的锌进行剥离处理；在镀膜之后，还包括：对所述半导体器件进行清洗和甩干。11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，该方法运用单片式化镀机对所述半导体器件进行镀膜。
技术总结
本发明公开一种调节半导体器件镀膜均匀性的装置及方法，包括：半导体器件，包括第一芯片以及位于第一芯片上的第一焊垫、第一晶圆以及位于第一晶圆上的第二焊垫，第一焊垫和第二焊垫之间相对设置且围成空隙；交换活化装置，位于半导体器件的下方，用于调整镀液的流动状态；槽体，位于半导体器件的下方及侧壁，用于调节镀液交换的速率。通过在半导体器件的下方设置交换活化装置，使镀液在到达第一晶圆表面时能够处于一种高速流动状态，增加第一芯片的第一焊垫与第一晶圆的第二焊垫之间的镀液交换的速率，从而提高半导体器件镀膜的均匀性。从而提高半导体器件镀膜的均匀性。从而提高半导体器件镀膜的均匀性。
技术研发人员：蔺光磊
受保护的技术使用者：芯知微（上海）电子科技有限公司
技术研发日：2022.03.08
技术公布日：2022/7/1