技术特征：
1.一种用于等离子体处理系统的边缘环，其包括：环形体；从所述环形体延伸的径向内支脚；从所述环形体延伸的径向外支脚，其中，所述环形体的上表面的第一部平行于包括衬底的平面，并且其中，所述环形体的所述上表面的第二部从所述第一部呈角度向下倾斜。2.根据权利要求1所述的边缘环，其中，所述上表面的所述第一部位于所述上表面的所述第二部的径向内侧。3.根据权利要求2所述的边缘环，其中，所述上表面的第三部平行于包括所述衬底的所述平面并且位于所述上表面的所述第二部的径向外侧。4.根据权利要求1所述的边缘环，其中，所述边缘环具有倒“u”形。5.根据权利要求4所述的边缘环，其中，所述上表面的所述第二部在距所述倒“u”形的径向外边缘的水平距离h处开始向下倾斜，并且其中所述水平距离h在从0mm至10mm的范围内。6.根据权利要求1所述的边环，其中，所述环状体的厚度t在0.5mm至10mm的范围内。7.根据权利要求6所述的边缘环，其中，所述上表面的所述第二部向下倾斜竖直距离d，该竖直距离d大于或等于所述边缘环的总厚度的高度的20％。8.根据权利要求6所述的边缘环，其中，所述上表面的第二部向下倾斜竖直距离d，并且其中d大于或等于t。9.根据权利要求8所述的边缘环，其中d在从t到3t的范围内。10.根据权利要求1所述的边缘环，其中，所述上表面的第二部以锐角线性地倾斜。
技术总结
一种用于等离子体处理系统的可移动边缘环系统包括：顶部边缘环；以及第一边缘环，其布置于所述顶部边缘环下方。第二边缘环由导电材料制成，并且包括上部、中间部和下部。所述顶部边缘环和所述第二边缘环被配置成在被升降销向上偏移时于竖直方向上相对于衬底支撑件和所述第一边缘环移动。所述第二边缘环被布置于所述顶部边缘环下方并且在所述第一边缘环的径向外侧。径向外侧。径向外侧。
技术研发人员：克里斯托弗
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2020.08.04
技术公布日：2022/7/1