显示基板及其制造方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制造方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]随着TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)显示技术的不断发展，越来越多的新技术不断地被提出和应用。基于ADS (Advanced Super Dimens1n Switch，AD-SDS，简称 ADS，高级超维场转换技术)模式的TFT-LCD凭借其低功耗、宽视角等特点，得到了越来越多人们的关注。
[0003]ADS技术主要是通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。采用ADS技术的TFT-LCD产品不仅在画面品质上有所提高，且具有高分辨率、高透过率、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹等优点。
[0004]金属氧化物为有源层的薄膜晶体管较现有技术中的a-Si (非晶硅)为有源层薄膜晶体管相比，具有迀移率高、制备温度低、均一性好、对可见光透明和阈值电压低等特点，可实现高开口率和低功耗，未来应用前景广阔。
[0005]因此，集合ADS技术和金属氧化物薄膜晶体管优点的显示基板具有更广阔的应用前景。但是，金属氧化物易受H2, H2O等影响，为防止在后续湿法刻蚀工艺中刻蚀液对金属氧化物的影响，需要在金属氧化物表面另加刻蚀阻挡层进行保护。通常刻蚀阻挡层需要单独进行一次掩膜曝光工艺形成刻蚀阻挡层过孔，薄膜晶体管源漏极通过刻蚀阻挡层过孔与金属氧化物连接。这种结构，增加了掩膜板的成本和工艺的复杂性。
[0006]对于金属氧化物作为有源层的ADS型TFT-1XD而言，现有技术中通常需要通过7次构图工艺制造完成，而每一次构图工艺中又分别包括成膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺。构图工艺的次数过多将直接导致显示装置产品的成本上升，因此如何能够进一步减少构图工艺的次数也就成为了人们日益关注的问题。
【发明内容】
[0007]本发明的实施例提供一种显示基板及其制造方法、显示装置，可以减少在显示基板制造过程中构图工艺的次数，有效降低产品的生产成本。
[0008]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案:
[0009]本发明实施例的一方面，提供一种显示基板制造方法，步骤包括:
[0010]提供一基板，在所述基板上栅绝缘层、有源层的图形；
[0011]依次形成刻蚀阻挡层薄膜和第一电极薄膜；
[0012]通过一次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形。
[0013]本发明实施例的另一方面，提供一种显示基板，所述显示基板采用前述实施例提供的制造方法制造而成，所述显示基板至少包含栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层和第一电极的图形，其中:
[0014]所述刻蚀阻挡层图形位于所述栅绝缘层与所述有源层之上且包括第一过孔区域、第一厚度区域和第二厚度区域；
[0015]所述刻蚀阻挡层图形的第一过孔区域具有贯穿整个刻蚀阻挡层以部分露出所述有源层的第一过孔图形；
[0016]所述刻蚀阻挡层图形的第一厚度区域位于所述栅绝缘层之上，对应于所述显示基板的第一电极；
[0017]所述刻蚀阻挡层图形的第二厚度区域位于除所述第一过孔区域与第一厚度区域之外的区域，第二厚度区域对应的刻蚀阻挡层厚度小于第一厚度区域的刻蚀阻挡层厚度；
[0018]所述第一电极图形位于所述刻蚀阻挡层的第一厚度区域之上且拥有与第一厚度区域相同的边界。
[0019]本发明实施例的又一方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的显不基板。
[0020]本发明实施例提供的显示基板以及制造方法、显示装置。本发明采用一次构图工艺同时形成刻蚀阻挡层与第一电极的图形。这样一来，与现有技术相比，省去了形成刻蚀阻挡层图形单独的构图工艺，可以将金属氧化物为有源层的ADS型显示基板制作过程中的构图工艺使用次数从7次减少到6次，从而简化了产品的生产步骤，显著降低了产品的生产成本。
【附图说明】
[0021]图1为本发明实施例提供的一种显示基板制造方法的流程示意图；
[0022]图2为本发明实施例提供的通过一次构图工艺形成刻蚀阻挡层图形和第一电极图形的流程示意图；
[0023]图3为本发明实施例提供的另一种显示基板制造方法的流程示意图；
[0024]图4为基板上形成栅极和公共电极线的结构示意图
[0025]图5为图4所示的基板形成栅绝缘层的结构示意图；
[0026]图6为图5所示的基板形成有源层的结构示意图；
[0027]图7为图6所示的基板沉积刻蚀阻挡层薄膜、第一电极薄膜并涂覆正性光刻胶后的结构不意图；
[0028]图8为图7所示的基板进行曝光显影后的结构示意图；
[0029]图9为图8所示的基板进行第一次刻蚀工艺后的结构示意图；
[0030]图10为图9所示的基板进行第二次刻蚀工艺后的结构示意图；
[0031]图11为图10所示的基板中的光刻胶进行灰化后的结构示意图；
[0032]图12为图11所示的基板进行第三次刻蚀工艺后的结构示意图；
[0033]图13为图12所示的基板进行第四次刻蚀工艺后形成的第一过孔图形的一种结构示意图；
[0034]图14为图12所示的基板进行第四次刻蚀后形成的第一过孔图形的另一种结构示意图
[0035]图15为图13所示的基板进行光刻胶剥离、形成数据线、薄膜晶体管源极、薄膜晶体管漏极、导电沟道区域的结构示意图；
[0036]图16为图15所示的基板上形成带有第二过孔的钝化层图形的结构示意图
[0037]图17为本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图。
[0038]附图标记说明:
[0039]I一基板；2—栅电极；3—公共电极线；4一栅绝缘层；
[0040]5—有源层；6—刻蚀阻挡层；7—第一电极薄膜；8—正性光刻胶；
[0041]9—第一电极；10—第一过孔；11—薄膜晶体管源极；
[0042]12—薄膜晶体管沟道区域；13—薄膜晶体管漏极；14一钝化层；
[0043]15一第二过孔；16—第二电极。
【具体实施方式】
[0044]需要说明的是:
[0045]1、本发明中所述的例如“X设置于Y上”或“X上设置有Y”中的“上”包含了 X与Y接触，并且X位于Y的上方的意思，本发明中如附图所示，将基板定义为设置于最下方；
[0046]2、本发明所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等工艺，光刻胶以正性光刻胶为例；
[0047]3、本发明中所述的“某某区域”是某某图形在基板上映射的区域，即该区域与某某图形具有相同的形状，例如栅线区域，即为栅线的图形在基板上的映射的区域，也可以理解为基板上将要设置栅