太阳能电池模块的制作方法_4

文档序号:8545301阅读:来源:国知局
路。绝缘层IL可包括诸如环氧树脂的绝缘树脂。
[0118]作为示例,图6和图7示出第一电极C141与第一导线P141的第一连接件PC141交叠并且第二电极C142与第二导线P142的第二连接件PC142交叠。相反,第一电极C141可与第二导线P142的第二连接件PC142交叠并且第二电极C142可导线P141的第一连接件PC141交叠。在这种情形下,可在第一电极C141和第二连接件PC142之间以及在第二电极C142和第一连接件PC141之间设置用于防止短路的绝缘层IL。
[0119]可在第一导线P141和第二导线P142的后表面上设置绝缘构件200。
[0120]绝缘构件200的材料不受具体限制,只要它是绝缘材料即可。然而,可能优选但不是要求的,绝缘构件200的材料具有相对高的熔点。例如,绝缘构件200可由均具有抵抗高温的耐热性的聚酰亚胺、环氧玻璃、聚醋、或双马来酰亚胺三嘆(bismaleimidetriazine, BT)树脂中的至少一种形成。
[0121]绝缘构件200可形成为柔性膜的形式或并非柔性的硬板的形式。
[0122]在根据本发明的实施方式的太阳能电池中,在之前在绝缘构件200的前表面上形成第一导线P141和第二导线P142并且之前在半导体基板110的后表面上形成第一电极C141和第二电极C142的状态下,各绝缘构件200和各半导体基板110可彼此连接以形成个体元件。
[0123]S卩,只有一个半导体基板110可附接和连接到一个绝缘构件200。换句话讲,一个半导体基板110和一个绝缘构件200可彼此附接以形成个体一体型元件,从而形成太阳能电池。
[0124]更具体地,可通过用于将一个半导体基板110附接到一个绝缘构件200的处理,将形成在一个半导体基板110的后表面上的多个第一电极C141和多个第二电极C142附接并且电连接到形成在一个绝缘构件200的前表面上的第一导线P141和第二导线P142,以形成一个个体一体型元件。
[0125]在根据本发明的实施方式的太阳能电池中,第一导线P141和第二导线P142中每个的厚度T2可大于第一电极C141和第二电极C142中每个的厚度Tl。
[0126]相比于当直接在半导体基板110的后表面上形成第一电极C141和第二电极C142时,当第一连接件PC141和第二连接件PC142中每个的厚度T2大于第一电极C141和第二电极C142中每个的厚度Tl时,制造太阳能电池所需的处理时间可进一步减少,半导体基板110的热膨胀应力可进一步减小。因此,太阳能电池的效率可进一步提高。
[0127]绝缘构件200用于有助于当第一导线P141和第二导线P142分别附接到形成在半导体基板I1的后表面上的第一电极C141和第二电极C142时执行的处理。
[0128]即,当通过半导体制造处理将绝缘构件200的上面形成有第一导线P141和第二导线P142的前表面附接并且连接到半导体基板110的上面形成有第一电极C141和第二电极C142的后表面时,绝缘构件200可有助于更容易地执行对准处理或连接处理。
[0129]因此,在通过连接处理将第一导线P141和第二导线P142分别连接到第一电极C141和第二电极C142之后,可去除绝缘构件200。因此,可在太阳能电池成品中省略绝缘构件200。在下面的描述中,使用包括绝缘构件200的太阳能电池作为示例,描述本发明的实施方式。
[0130]在根据本发明的实施方式的具有上述结构的太阳能电池中,可通过外部电路装置将通过第一导线P141收集的空穴和通过第二导线P142收集的电子用作外部装置的电力。
[0131]直到现在,本发明的实施方式描述了半导体基板110是晶体硅半导体基板,作为示例,通过扩散处理形成发射极区121和后表面电场区172。
[0132]相反,本发明的实施方式可同等地应用于被构造成使得在晶体硅半导体基板上形成均由非晶硅形成的发射极区和后表面电场区的异质结太阳能电池、或被构造成使得在半导体基板的前表面上形成发射极区并且发射极区通过半导体基板的多个通孔连接到形成在半导体基板的后表面上的第一电极的太阳能电池。
[0133]均具有上述结构的多个太阳能电池可通过互连件IC彼此串联连接。
[0134]在具有上述结构的太阳能电池中,以下详细描述形成在半导体基板110的后表面上的第一电极C141和第二电极C142的图案以及形成在绝缘构件200的前表面上的第一导线P141和第二导线P142的图案。
[0135]具有图8的(C)和⑷中示出的结构的绝缘构件200的前表面可附接并且连接到具有图8的(a)和(b)中示出的结构的半导体基板110的后表面,从而形成个体一体型元件。即,绝缘构件200和半导体基板110可具有一对一连接。
[0136]在这种情形下,如图8的(a)和(b)中所示,多个第一电极C141和多个第二电极C142可在半导体基板110的后表面上彼此分开并且可在第一方向X上延伸。
[0137]另外,如图8的(c)和(d)中所示,第一导线P141和第二导线P142可形成在绝缘构件200的前表面上。
[0138]如上所述,第一导线P141可包括第一连接件PC141和第一焊盘PP141。如图8的(c)中所示,第一连接件PC141可在第一方向X上延伸,第一焊盘PP141可在第二方向y上延伸。第一焊盘PP141的一侧可连接到第一连接件PC141的端部,另一侧可连接到互连件1C。
[0139]另外,第二导线P142可包括第二连接件PC142和第二焊盘PP142。如图8的(c)中所示,第二连接件PC142可与第一连接件PC141分开并且可在第一方向X上延伸,第二焊盘PP142可在第二方向y上延伸。第二焊盘PP142的一侧可连接到第二连接件PC142的端部,另一侧可连接到互连件1C。
[0140]在本文中公开的实施方式中,第一连接件PC141可与第二焊盘PP142分开,第二连接件PC142可与第一焊盘PP141分开。
[0141]因此,第一焊盘PP141可在第一方向X上形成在绝缘构件200的前表面的一端,第二焊盘PP142可形成在绝缘构件200的另一端。
[0142]如上所述,根据本发明的实施方式的太阳能电池可通过只将一个绝缘构件200附接到一个半导体基板110来形成个体一体型元件,从而更容易地执行太阳能电池模块的制造处理。另外,即使任一个太阳能电池中包括的半导体基板110在太阳能电池模块的制造处理中破裂或受损,也可只更换使用破裂或受损的半导体基板110形成个体一体型元件的对应太阳能电池。因此,太阳能电池模块的处理良率可进一步提高。
[0143]另外,当制造太阳能电池或太阳能电池模块时,形成个体一体型元件的太阳能电池可使施加到半导体基板110的热膨胀应力最小。
[0144]当绝缘构件200的面积等于或大于半导体基板110的面积时,可在绝缘构件200的前表面中充分确保用于连接相邻太阳能电池的互连件IC的形成空间。因此,绝缘构件200的面积可大于半导体基板110的面积。
[0145]为此,绝缘构件200在第一方向X上的长度可比半导体基板110在第一方向X上的长度长。
[0146]在本文中公开的实施方式中,绝缘构件200的前表面可附接于半导体基板110的后表面。因此,第一电极C141可连接到第一导线P141,第二电极C142可连接到第二导线P142o
[0147]图9示出图8中示出的半导体基板和绝缘构件彼此连接的状态。图1OA是沿着图9的1a-1Oa线截取的截面图,图1OB是沿着图9的1b-1Ob线截取的截面图,图1OC是沿着图9的1c-1Oc线截取的截面图。
[0148]如图9中所示,一个半导体基板110可与一个绝缘构件200完全交叠,以形成个体太阳能电池元件。
[0149]例如,如图1OA中所示,形成在半导体基板110的后表面上的第一电极C141和形成在绝缘构件200的前表面上的第一连接件PC141可彼此交叠,并且可利用电极粘合剂ECA彼此电连接。
[0150]另外,形成在半导体基板110的后表面上的第二电极C142和形成在绝缘构件200的前表面上的第二连接件PC142可彼此交叠,并且可利用电极粘合剂ECA彼此电连接。
[0151]第一电极C141和第二电极C142之间的空间可被绝缘层IL填充,另外,第一连接件PC141和第二连接件PC142之间的空间可被绝缘层IL填充。
[0152]如图1OB中所示,第二连接件PC142和第一焊盘PP141之间的空间可被绝缘层IL填充。如图1OC中所示,第一连接件PC141和第二焊盘PP142之间的空间可被绝缘层IL填充。
[0153]如图9中所示,第一焊盘PP141和第二焊盘PP142可分别包括与半导体基板110交叠的第一区PP141-S1和PP142-S1、以及与半导体基板110不交叠的第二区PP141-S2和PP142-S2o
[0154]互连件IC可连接到第一焊盘PP141的第二区PP141-S2和第二焊盘PP142的第二区PP142-S2,第一焊盘PP141的第二区PP141-S2和第二焊盘PP142的第二区PP142-S2被设置成确保互连件IC的连接空间。
[0155]因为根据本发明的实施方式的第一焊盘PP141和第二焊盘PP142分别包括第二区PP141-S2和PP142-S2,所以可更容易地执行互连件IC的连接。另外,当互连件IC连接到绝缘构件200时,可使半导体基板110的热膨胀应力最小。
[0156]因此,互连件IC可连接到绝缘构件200的第一焊盘PP141或第二焊盘PP142,从而连接多个太阳能电池。
[0157]直到现在,本发明的实施例描述了形成在半导体基板110上的第一电极C141和第二电极C142与形成在绝缘构件200上的第一连接件PC141和第二连接件PC142彼此交叠并且在彼此平行的方向上彼此连接。相反,形成在半导体基板110上的第一电极C141和第二电极C142与形成在绝缘构件200上的第一连接件PC141和第二连接件PC142可彼此交叠并且在其间在彼此交叉的方向上彼此连接。
[0158]另外,第一连接件PC141和第二连接件PC142中的每个没有形成为多个并且可被构造为一个片电极。在这种情形下,多个第一电极C141可连接到片电极型第一连接件PC141,
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