非电路形成面研削的工序（晶片背面研 削工序）；以及对将非电路形成面研削后的晶片的非电路形成面实施加工（例如，TSV(贯通 电极）形成、电极形成、金属配线形成）的工序（非电路形成面加工工序）。作为对晶片的非 电路形成面实施加工的工序，更具体而言，可列举：用于电极等的形成的金属溅射、对金属 溅射层进行蚀刻的湿式蚀刻、用于制成金属配线形成的掩膜的抗蚀剂的涂布、利用曝光及 显影的图案的形成、抗蚀剂的剥离、干式蚀刻、金属镀层的形成、及用于TSV形成的硅蚀刻、 硅表面的氧化膜形成等以往公知的工艺。需要说明的是，在晶片311上接合支承体312的 目的在于，确保晶片研削时的强度。另外，上述实施加工的工序包括高温下的处理（例如， 250°C以上）。因此，支承体312使用具有某种程度的强度且具有耐热性的支承体（例如，耐 热玻璃）。
[0210] 使用具有某种程度的强度且具有耐热性的支承体（例如，耐热玻璃）。
[0211] (支承体）
[0212] 作为支承体312,可使用第1本发明的项中所说明的支承体12。
[0213](晶片）
[0214]作为晶片311，可使用第1本发明的项中所说明的晶片11。
[0215](暂时固定层）
[0216]作为构成暂时固定层313的胶粘剂组合物，只要以在进行上述晶片背面研削工 序、上述非电路形成面加工工序时，不会自支承体312及晶片311剥离、且在上述工序 E3 (支承体剥离工序）中利用溶剂溶解而能够自晶片311剥离支承体312的方式进行选择， 就不特别限定。用于形成此类暂时固定层313的形成材料可使用第1本发明的项中所说明 的、用于形成暂时固定层13的形成材料。
[0217] 作为暂时固定层313的制作方法，可采用与第1本发明的项中所说明的暂时固定 层13的制作方法相同的方法。
[0218] 作为借助暂时固定层313接合有晶片311与支承体312的带有支承体的晶片310 的制作方法，可采用与第1本发明的项中所说明的借助暂时固定层13接合有晶片11与支 承体12的带有支承体的晶片10的制作方法相同的方法。
[0219][切割胶带一体型片状树脂组合物准备工序]
[0220] 接着，在切割胶带一体型片状树脂组合物准备工序（工序B3)中，准备在切割胶带 315上形成有片状树脂组合物316的切割胶带一体型片状树脂组合物314 (参照图16)。对 于切割胶带一体型片状树脂组合物314而言，可准备预先贴合有切割胶带315与片状树脂 组合物316的状态的组合物，也可通过分别准备切割胶带315与片状树脂组合物316并将 它们贴合而进行准备。片状树脂组合物316的形状并无特别限定，但可设为圆形、矩形等。 作为片状树脂组合物316的大小或形状，并无特别限定，例如在晶片311为圆形状（例如， 直径为290mm)的情况下，可以是直径小于晶片311的圆形状（例如，直径为280mm)，也可 以是与晶片311相同直径的圆形状，还可以是直径大于晶片311的圆形状（例如，直径为 300mm)。其原因在于，即便片状树脂组合物316的形状为任一种，只要下述胶粘剂涂布工序 (工序D3)中，在片状树脂组合物316露出的部分涂布胶粘剂，就可以使溶剂难以与片状树 脂组合物316相接触。在这种情况下，晶片311与片状树脂组合物316优选为以使中心对 齐的方式进行层叠。需要说明的是，在本实施方式中，对片状树脂组合物316的外形与晶片 311的另一面311b的外形为相同形状的情形进行说明。
[0221] (切割胶带）
[0222] 切割胶带315可使用第1本发明的项中所说明的切割胶带15。
[0223](片状树脂组合物）
[0224] 片状树脂组合物316具有对切割晶片311所形成的芯片320(参照图21)与搭载 用基板322 (参照图21)的间隙进行密封的功能。作为片状树脂组合物316的构成材料，可 列举第1本发明的项中所说明的片状树脂组合物16的构成材料。
[0225] 作为片状树脂组合物316的制作方法，可采用与第1本发明的项中所说明的片状 树脂组合物16的制作方法相同的方法。
[0226](切割胶带一体型片状树脂组合物的制作方法）
[0227] 本实施方式的切割胶带一体型片状树脂组合物314通过贴合切割胶带315与片状 树脂组合物316所获得。贴合例如可通过压接而进行。此时，层压温度并无特别限定，例 如优选为30~50°C，更优选为35~45°C。另外，线压并无特别限定，例如优选为0. 1~ 20kgf/cm，更优选为1~10kgf/cm。另外，还可通过在切割胶带315上直接涂布用于形成片 状树脂组合物316的树脂组合物溶液并进行干燥而获得。
[0228][粘贴工序]
[0229] 接着，在粘贴工序（工序C3)中，将带有支承体的晶片310的另一面311b粘贴于 切割胶带一体型片状树脂组合物314的片状树脂组合物316上（参照图17)。贴合例如可 通过压接而进行。此时，层压温度并无特别限定，例如优选为20~120°C，更优选为40~ 100°C。另外，压力并无特别限定，例如优选为0. 05~l.OMPa，更优选为0. 1~0. 8MPa。贝占 合优选为减压下进行。若在减压下进行，则可抑制晶片311与片状树脂组合物316的界面 的空隙产生，从而可更适宜地贴合晶片311与片状树脂组合物316。作为减压条件，优选为 5~lOOOPa，更优选为10~500Pa。在减压条件下进行该工序C3的情况下，例如可在减压 腔室内进行。
[0230][胶粘剂涂布工序]
[0231] 接着，在胶粘剂涂布工序（工序D3)中，在片状树脂组合物316露出的部分涂布胶 粘剂318(参照图18)。对于胶粘剂的涂布而言，优选在片状树脂组合物316露出的全部部 分进行涂布，但第3本发明并不限定于此例，只要涂布于片状树脂组合物316露出的部分的 至少一部分即可。其原因在于，只要在片状树脂组合物316露出的部分的至少一部分涂布 有胶粘剂318,就可使溶剂难以与片状树脂组合物316相接触。胶粘剂318不仅涂布于片状 树脂组合物316露出的部分，还可以以覆盖切割胶带315的方式进行涂布。
[0232](胶粘剂）
[0233] 作为胶粘剂318的构成材料，优选为难以溶解于下述工序E3(支承体剥离工序） 中使用的溶剂的材料。作为用于形成此类胶粘剂318的构成材料，可列举丙烯酸系树脂、硅 酮树脂、金属、无机物等。作为上述丙烯酸系树脂、上述硅酮树脂，例如可使用与构成切割胶 带315的粘合剂层相同的树脂。
[0234][支承体剥离工序]
[0235] 接着，在支承体剥离工序（工序E3)中，利用溶剂溶解暂时固定层313而自晶片 311剥离支承体312 (参照图19)。此时，还可吸引支承体312而沿着自晶片311远离的方 向施加力。作为上述溶剂，在用于形成暂时固定层313的形成材料为聚酰亚胺树脂的情况 下，优选使用N，N-二甲基乙酰胺（DMAc)、N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP)、N，N-二甲基甲酰胺 (DMF)等。另外，在用于形成暂时固定层313的形成材料为硅酮树脂的情况下，作为上述溶 剂，优选使用甲苯、二氯甲烷、三氯乙烷等。另外，在用于形成暂时固定层313的形成材料为 脂肪族烯烃系树脂的情况下，作为上述溶剂，优选使用甲苯、乙酸乙酯等。另外，在用于形成 暂时固定层313的形成材料为氢化苯乙烯系热塑性弹性体的情况下，作为上述溶剂，优选 使用甲苯、乙酸乙酯等。另外，在用于形成暂时固定层313的形成材料为丙烯酸系树脂的情 况下，作为上述溶剂，优选使用丙酮、甲乙酮、甲醇、甲苯、乙酸乙酯等。在本实施方式中，优 选为：利用溶剂溶解暂时固定层313,另一方面片状树脂组合物316难以被该溶剂溶解。作 为此类暂时固定层313的材质、溶剂、及片状树脂组合物316的材质的优选的组合，可列举： 作为暂时固定层313的聚酰亚胺树脂、作为溶剂的NMP、作为片状树脂组合物316的环氧树 脂的组合；作为暂时固定层313的脂肪族烯烃系树脂、作为溶剂的甲苯、作为片状树脂组合 物316的环氧树脂的组合等。在本实施方式中，优选为：利用溶剂溶解暂时固定层313,另 一方面片状树脂组合物316、胶粘剂318难以被该溶剂溶解。作为此类暂时固定层313的材 质、溶剂、片状树脂组合物316的材质、及胶粘剂318的材质的优选的组合，可列举：作为暂 时固定层313的聚酰亚胺树脂、作为溶剂的NMP、作为片状树脂组合物316的环氧树脂、作为 胶粘剂318的丙烯酸系树脂的组合；作为暂时固定层313的脂肪族烯烃系树脂、作为溶剂的 甲苯、作为片状树脂组合物316的环氧树脂、作为胶粘剂318的聚酰亚胺树脂的组合等。
[0236][切割工序]
[0237] 接着，在切割工序（工序F3)中，将晶片311与片状树脂组合物316 -并切割，获 得带有片状树脂组合物316的芯片320 (参照图20)。切割可采用以往公知的刀具切割或激 光切割。
[0238][底部填充工序]
[0239] 接着，在底部填充工序（工序G3)中，将带有片状树脂组合物316的芯片320配置 于搭载用基板322,借助在芯片320所具有的电极上所形成的凸块321，将芯片320所具有 的电极（未图示）与搭载用基板322所具有的电极（未图示）接合，并且利用片状组合物 316密封（底部填充）芯片320与搭载用基板322的间隙（参照图21)。具体而言，首先， 与搭载用基板322相向地配置带有片状树脂组合物316的芯片320的片状树脂组合物316， 接着，使用倒装芯片接合机，自带有片状树脂组合物316的芯片320侧施加压力，由此进行 该工序。由此，借助在芯片320所具有的电极上所形成的凸块321，将芯片320所具有的电 极与搭载用基板322所具有的电极接合，并且利用片状组合物316密封（底部填充）芯片 320与搭载用基板322的间隙。接合温度优选为50~300°C，更优选为100~280°C。另 外，接合压力优选为〇? 02~lOMPa，更优选为0? 05~5MPa。
[0240] 以上，根据本实施方式的半导体装置的制造方法，可获得将形成有贯通电极的芯 片320安装于搭载用基板322、且利用片状组合物316密封芯片320与搭载用基板322的间 隙的半导体装置。根据本实施方式的半导体装置的制造方法，由于在片状树脂组合物316 露出的部分涂布胶粘剂318,因此利用溶剂溶解暂时固定层313而自晶片311剥离支承体 312时，溶剂难以与片状树脂组合物316相接触。其结果，可抑制片状树脂组合物316被溶 解。另外，如上所述，由于抑制了片状树脂组合物316的溶解，因此通过工序F3所获得的带 有片状树脂组合物316的芯片320的片状树脂组合物316,作为用于密封芯片320与搭载 用基板322的间隙的片状树脂组合物充分地发挥功能。另外，由于抑制了片状树脂组合物 316的溶解，因此可提高通过工序G3所获得的半导体装置（利用片状组合物密封芯片与搭 载用基板的间隙的半导体装置）的成品率。
[0241] 在上述实施方式中，对没有剥离胶粘剂318的情形进行了说明。然而，第3本发明 中并不限定于此例，还可在工序E3(支承体剥离工序）之后（例如，工序E3之后，且切割工 序之前），剥离胶粘剂。在工序E3 (支承体剥离工序）之后剥离胶粘剂的情况下，与没有剥 离的情况相比，在可抑制胶粘剂所引起的对半导体元件的污染的方面优异。胶粘剂的剥离 还可利用切割机等将胶粘剂物理切断，也可使用能够溶解胶粘剂的胶粘剂溶解用的溶剂进 行溶解。
[0242] 实施例
[0243] 以下，对本发明（第1本发明~第3本发明）的优选实施例，例示性地进行详细说 明。但是，该实施例所记载的材料或配合量等只要不是特别限定式的记载，其主旨就并非是 将该发明的主旨仅限定于此。另外，份是指重量份。
[0244][第1本发明]
[0245] 以下的各实施例等与第1本发明相对应。
[0246](实施例1)
[0247] <片状树脂组合物的制作>
[0248] 将下述（a)~（g)溶解于甲乙酮，获得固体成分浓度为23.6重量％的树脂组合物 溶液。
[0249] (a)以丙烯酸乙酯-甲基丙烯酸甲酯为主成分的丙烯酸酯系聚合物（商品名： "ParachronW-197CM"，根上工业株式会社制造）：100份
[0250](b)环氧树脂1 (商品名"Epikote1004 "，JER株式会社制造）：56份
[0251] (c)环氧树脂2(商品名"Epikote828"，JER株式会社制造）：19份
[0252] (d)酚醛树脂（商品名"MilexXLC-4L"，三井化学株式会社制造）：75份
[0253] (e)球状二氧化娃（商品名"S0-25R"，Admatechs株式会社制造）：167份
[0254] (f)有机酸（商品名"邻茴香酸"，东京化成株式会社制造）：1. 3份
[0255] (g)咪唑催化剂（商品名"2PHZ-PW"，四国化成株式会社制造）：1.3份
[0256] 将该树脂组合物溶液涂布于经硅酮脱模处理的厚度为50ym的聚对苯二甲酸乙 二醇酯膜所构成的脱模处理膜（剥离衬垫）上后，在130°C下干燥2分钟。由此，制作厚度 20ym、直径190mm的圆形的片状树脂组合物A。
[0257] <切割胶带的制作>
[0258] 首先，准备包括IL圆底可分离式烧瓶、可分离式盖、分液漏斗、温度计、氮导入管、 李比希冷却器、真空密封圈、搅拌棒、搅拌翼的聚合用实验装置。
[0259] 接着，将丙稀酸2-甲氧基乙酯（品名：AcrylicsC-1，东亚合成公司制造）50 份、丙烯酰基吗啉（品名：ACM0,兴人公司制造）35份、丙烯酸2-羟基乙酯（品名： AcrylicsI3HEA，东亚合成公司制造）15份、以及相对于单体总量（100份）为0.2重量％ (即，0.2份）的作为热聚合引发剂的2, 2'-偶氮二异丁腈（岸田化学公司制造）投入上述 聚合用实验装置，以使作为溶剂的乙酸乙酯中单体总量成为溶液的20重量％。之后，一面 在常温（23°C)下进行氮置换，一面进行1小时的搅拌。
[0260] 接着，在氮流入下，在利用水浴进行控制以使上述聚合用实验装置内的溶液温度 成为60°C±2°C的同时搅拌10小时，获得中间聚合物溶液。需要说明的是，在上述中间聚 合物的聚合途中，适当进行聚合中的温度控制、为了防止急剧的粘度上升（例如，单体侧链 的极性基等所引起的氢键所致的粘度上升）而适当进行乙酸乙酯的滴加。
[0261] 接着，将上述中间聚合物溶液冷却至室温（23°C)，之后，添加甲基丙烯酸2-异氰 酸根合乙酯（KarenzMOI;昭和电工公司制造）16重量份、二月桂酸二丁基锡IV(和光纯药 工业公司制造）0.1重量份。
[0262] 接着，边在空气气氛下保持为50°C边搅拌24小时，获得最终聚合物溶液。
[0263] 在上述最终聚合物溶液中，相对于最终聚合物溶液中的固体成分100重量份混合 二季戊四醇六丙烯酸酯（KAYARADDPHA;日本化药制造）30重量份、作为光聚合引发剂的 1-羟基环己基苯基酮（Irgacure184;汽巴精化公司制造）3重量份及聚异氰酸酯系交联剂(CoronateL;日本聚氨酯公司制造）3重量份并进行均匀搅拌，获得粘合剂溶液。
[0264] 将所获得的粘合剂溶液使用敷料器涂布于经硅酮系脱模处理的PET膜的脱模处 理面后，利用120°C的干燥机干燥2分钟，获得厚度30ym的粘合剂层A。
[0265] 接着，使用T型模头挤出将直链状低密度聚乙烯树脂（制品名：NovatecLD，日本 聚乙烯公司制造）制膜。该直链状低密度聚乙烯树脂层的厚度为IOOym。接着，对直链状 低密度聚乙烯树脂层的单面进行电晕处理，并在电晕处理面上使用手压辊贴合上述粘合剂 层A。之后，在50°C下放置72小时使其密接，获得本实施例的切割胶带A。
[0266]〈切割胶带一体型片状树脂组合物的制作〉
[0267] 将片状树脂组合物A使用手压辊贴合于上述切割胶带A的粘合剂层A上，制作切 割胶带一体型片状树脂组合物A。
[0268]〈暂时固定层的制作〉
[0269] 在氮气流下的气氛中，在2528.Og的N，N-二甲基乙酰胺（DMAc)中，在70°C下混 合聚醚二胺（Hinzman制造，D-4000,分子量：4023. 5)29. 5g、4,V-二胺基二苯醚（DDE，分 子量：200. 2)90. 3g及均苯四甲酸二酐（PMDA，分子量：218. 1) 100.Og并使其反应，获得聚酰 胺酸溶液A。冷却至室温（23°C)后，将聚酰胺酸溶液A涂布于隔离件上，在90°C下干燥3 分钟后，获得厚度IOOym的暂时固定层A。
[0270]〈胶粘剂溶液的调整〉
[0271] 依据表1的配合，并除此方面以外，利用与暂时固定层A用溶液（聚酰胺酸溶液A) 相同的方法获得胶粘剂层用溶液B(聚酰胺酸溶液B)。将所获得的胶粘剂层用溶液冷却至 室温（23°C)。
[0272]表 1
[0273]
[0274][工艺评价]
[0275] 将暂时固定层A粘贴于直径195mm、厚度725ym的硅晶片。粘贴在温度90°C、压 力0.IMPa下通过辊层压而进行。粘贴后，在300°C、1.5小时、氮气气氛的条件下，将暂时固 定层A酰亚胺化。
[0276] 在粘贴有娃晶片的暂时固定层A的另一面上，粘贴作为支承体的底座（直径 200mm，厚度726ym的硅晶片）。粘贴在温度120°C、压力0? 3MPa下进行。
[0277] 接着，在暂时固定层A与底座的斜面部之间，涂布胶粘剂层用溶液B，使其干燥，形 成胶粘剂层B。由此，将暂时固定层A固定于底座。
[0278] 通过以上处理，获得依次层叠有底座、暂时固定层A及硅晶片的层叠体。
[0279] 使用所获得的层叠体进行背面研削直至晶片厚度成为50ym为止。接着，将所获 得的研削层叠体，在80°C、0. 2MPa、10mm/S的条件下层压于切割胶带一体型片状树脂组合 物A。此时，还将晶片固定夹具同时层压于切割胶带一体型片状树脂组合物A。需要说明的 是，层压以使胶粘剂层B不会露出到晶片外部的方式进行。
[0280] 接着，以底座朝下而浸渍至粘合剂层A为止的方式浸渍于NMP溶液中30秒，取出。 使用镊子剥离底座，自切割胶带一体型片状树脂组合物A的基材（直链状低密度聚乙烯树