半导体器件和用于制造半导体器件的方法
【技术领域】
[0001]本申请涉及一种光电子的半导体器件和一种用于制造光电子的半导体器件的方法。
【背景技术】
[0002]在手持的电子设备、例如移动无线电设备中，通常应用液晶显示器，所述液晶显示器借助于LED背光照明。在减小这样的设备的结构深度时，也产生对LED的结构高度的要求，所述要求借助于传统的构型无法容易地实现。
【发明内容】
[0003]目的是，提出一种光电子的半导体器件，所述光电子的半导体器件通过小的结构高度来表征并且同时提供对于应用设备而言足够的光通量。此外，应提出一种方法，借助于所述方法可简单且成本适宜地制造这样的光电子的半导体器件。
[0004]这些目的还通过根据独立权利要求所述的一种光电子的半导体器件或者方法来实现。其它的设计方案和适宜方案是从属权利要求的主题。
[0005]光电子的半导体器件根据至少一个实施方式具有半导体芯片，所述半导体芯片具有半导体层序列，所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域。有源区域尤其设置用于产生在可见光谱、紫外光谱或者红外光谱范围中的辐射。半导体层序列例如具有第一传导类型的第一半导体层和不同于第一传导类型的第二传导类型的第二半导体层。有源区域设置在第一半导体层和第二半导体层之间。为了电接触半导体芯片，半导体芯片适当地具有第一接触部和第二接触部。特别地，第一接触部设置用于电接触第一半导体层并且第二接触部设置用于电接触第二半导体层。接触部能够分别构成为第一半导体层或者第二半导体层的子区域或者构成为与所述层能导电地连接的附加的层、例如金属层。
[0006]根据光电子的半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件的辐射出射面平行于有源区域伸展、即平行于有源区域的主延伸平面伸展。特别地，光电子的半导体器件具有恰好一个辐射出射面。辐射出射面例如平坦地构成。“平坦地”在本文中尤其是指，辐射出射面没有折弯。然而平坦的辐射出射面例如能够设置有结构化部、例如粗糙化部以提高耦合输出效率。
[0007]根据光电子的半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件具有安装侧面，所述安装侧面设置用于固定半导体器件并且倾斜于或者垂直于辐射出射面伸展。特别地，辐射出射面垂直于或者基本上垂直于辐射出射面伸展。将基本上垂直于理解为相对于垂直定向至多10°的偏差。用于外部电接触半导体器件的接触面在安装侧面上是可触及的。因此，在将光电子的半导体器件安装在连接载体上时，其中安装侧面朝向连接载体，接触面能够与连接载体外部电接触。半导体器件尤其构成为可表面安装的器件(surface mounteddevice, smd)。
[0008]根据半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件具有模制体，所述模制体部分地模制到半导体芯片上。特别地，模制体至少局部地形成安装侧面。模制体尤其至局部地形成半导体器件的所有侧面。将侧面在有疑问的情况下理解为半导体器件的如下外部的面，所述面倾斜于或者垂直于辐射出射面伸展。换句话说，侧面和尤其安装侧面在模制体的背离辐射出射面的后侧和与后侧相对置的前侧之间伸展。
[0009]在模制体模制到半导体芯片上的位置处，模制体尤其直接邻接于半导体芯片。半导体器件的辐射出射面适当地没有模制体。模制体尤其对于在有源区域中产生的辐射构成为是不可透过的。然而模制体也能够对于辐射透明地构成或者至少半透明地构成。
[0010]根据半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件具有接触带。接触带将半导体芯片与至少一个接触面导电连接。接触带尤其设置在模制体上，例如设置在模制体的前侧上或者设置在模制体的后侧上。
[0011]在光电子的半导体器件的至少一个实施方式中，半导体器件具有半导体芯片，所述半导体芯片具有半导体层序列，所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域。半导体器件还具有辐射出射面，所述辐射出射面平行于有源区域伸展。此外，半导体器件包括安装侧面，所述安装侧面设置用于固定半导体器件并且倾斜于或者垂直于辐射出射面伸展并且在所述安装侧面上，用于外部的电接触的至少一个接触面是可触及的。半导体器件还具有模制体，所述模制体部分地模制到半导体芯片上并且至少局部地形成安装侧面。在模制体上设置有接触带，所述接触带将半导体芯片与至少一个接触面导电连接。
[0012]根据半导体器件的至少一个实施方式，半导体器件在辐射出射面的俯视图中具有带有至少一个缩进部的矩形的基本形状。特别地，至少一个接触面设置在至少一个缩进部中。至少一个缩进部尤其从安装侧面起是可触及的。缩进部例如基本上具有圆形的一部分的形状。这类缩进部可简单地制造。但是，对于缩进部而言基本上也能够应用另一基本形状。至少一个缩进部例如在矩形的基本形状的角中构成。矩形的基本形状的在俯视图中直线伸展的区域尤其不具有接触面的材料。
[0013]根据半导体器件的至少一个实施方式，模制件具有另一缩进部。适当地，在另一缩进部中构成有另一接触面，使得半导体器件通过在接触面和另一接触面之间施加外部的电压而将载流子从不同的侧注入到半导体芯片的有源区域中并且在那里在发射辐射的情况下复合。
[0014]另一缩进部例如在矩形的基本形状的另一角中构成，其中安装侧面尤其在角和另一角之间伸展。因此，在这两个角的区域中提供用于半导体器件的外部的电接触的两个接触部。基本形状也能够在多于两个的角中、尤其在所有的角处具有缩进部。模制体例如在与安装侧面相对置的侧面上具有上侧的缩进部。所述上侧的缩进部能够设有尤其能导电的覆层。覆层能够在上侧的缩进部的区域中与至少一个接触带电绝缘。因此，上侧的缩进部的覆层在这种情况下不用于电接触。因此，安装能够仅在安装侧面上进行，使得排除侧的混淆。然而也可以考虑的是，上侧的缩进部中的至少一个、尤其两个缩进部与半导体芯片导电连接。由此，也能够在与安装侧面相对置的侧面上进行尤其表面安装的安装。
[0015]根据半导体器件的至少一个实施方式，半导体芯片具有载体，在所述载体上设置有半导体层序列。因此，载体是半导体芯片的部分。半导体芯片在制造时尤其已经具有载体，甚至在通过分割而从晶片复合结构中产生半导体芯片之前就已经具有载体。
[0016]在一个设计方案变型形式中，载体是用于例如外延地沉积半导体层序列的半导体层的生长衬底。
[0017]在一个替选的设计方案变型形式中，载体与生长衬底不同。生长衬底能够整面地或者至少局部地被去除或者打薄。载体用于机械稳定半导体层序列，使得为此不再需要生长衬底。去除生长衬底的半导体芯片也称为薄膜半导体芯片。这类半导体芯片良好近似于具有朗伯特放射特性的表面发射器。半导体层序列例如借助于连接层固定在载体上。粘接层或者焊料层例如适合作为连接层。
[0018]根据半导体器件的至少一个实施方式，模制体完全地或者至少局部地覆盖载体的背离半导体层序列的后侧。因此，半导体芯片在背离辐射出射面的后侧上至少局部地用模制体的材料覆盖。
[0019]根据半导体器件的至少一个实施方式，载体和模制体在半导体器件的至少一个侧面处齐平，例如在安装侧面处齐平。特别地，载体和模制体在半导体器件的两个相对置的侧面处齐平。因此，载体和模制体共同形成半导体器件的至少一个侧面。因此，在载体的露出的部位上，半导体芯片不嵌入到模制体中。在制造半导体器件时，半导体器件的侧面能够在分割步骤中形成，其中模制体和载体在一个共同的步骤中彻底分开。
[0020]根据半导体器件的至少一个实施方式，模制体邻接于载体的所有侧面。特别地，模制体邻接于载体上的安装侧面和与安装侧面相对置的侧面。因此，在这种情况下，半导体芯片沿着所有侧面至少局部地或者完全地嵌入到模制体中。
[0021]根据半导体器件的至少一个实施方式，半导体芯片在载体的朝向半导体层序列的前侧上具有两个接触部。接触部尤其分别经由接触带与半导体器件的接触面连接。接触带例如在模制体的共同的主面上伸展。模制体的前侧和后侧称为主面。特别地，接触带在模制体的前侧上伸展。接触部能够在载体上在半导体层序列的侧向构成。半导体层序列的背离载体的辐射出射面在这种情况下完全没有接触材料。在有源区域中产生的辐射被遮住的危险能够因此减小。替选地，接触部中的一个或这两个接触部能够设置在半导体层序列上。
[0022]根据半导体器件的至少一个实施方式，半导体芯片在载体的朝向半导体层序列的