r>[0043]在某些示例中(例如图2中的示例性实施例)，可以使用公知的技术来形成栅极电极220和接触电极230、242、242等等。例如，如由本领域技术人员所公知的镶嵌技术、替换栅极技术、接触沟槽图案化操作(例如，以形成沟槽形状的接触部)等可用于形成栅极电极220和接触电极230、242、242。
[0044]或者，继续参考图2，在某些示例中，可以形成一个或多个过孔250a_250d来接触栅极电极220和接触电极230、242、242。随后，可以形成较高等级的金属化层以及内部级的接触部，以部分完成集成电路。此外，可以将已完成的集成电路进行封装并将其键合到其它设备部件或母板等等，以部分形成诸如消费电子产品等等之类的产品。这些技术是本领域技术人员公知的，并且这里将不再重复。
[0045]图5是根据本公开内容的至少某些实施方式布置的流程图，其例示了用于形成非凹陷的场绝缘体和场绝缘体上方的较薄电极的过程500。在例示出的实施方式中，过程500可以包括如由操作502、504、506、508、510、512、514、516、和/或518中一个或多个所例示的一个或多个操作、功能或行为。然而，本文中的实施例可以包括任意数量的操作，以使得可以跳过某些操作等等。此外，各个实施例可以包括另外的操作(为了清楚起见未示出)。此外，总的来说，针对图5所描述的技术可以提供用于形成图2和图3中的结构的示例的方法；然而，对于形成图2和图3中的结构，其它方法可以是可用的。
[0046]过程500可以以操作502 “形成半导体柱状物”开始，在操作502中可以形成半导体柱状物。尽管可以使用本领域中公知的任何技术来执行操作并且本发明的实施例并不限于这方面，但是在图4A中例示出的示例性实施例中，操作502包括对体衬底(例如，硅衬底)上方的硬掩模进行图案化并对体衬底中的一个或多个部分进行蚀刻，以形成一个或多个半导体柱状物。如在图4A中示出的，可以在操作502之后，在从衬底205形成的半导体柱状物210上设置硬掩模部分410。如所讨论的，衬底205可以包括任何适当的衬底，举例来说，例如硅。在各个示例中，硬掩模和硬掩模部分410可以包括氮化物硬掩模。在其它示例中，可以不使用硬掩模或者可以在进一步处理之前去除硬掩模。
[0047]过程500可以从操作502继续到操作504“沉积共形氧化物层”，其中，可以在半导体柱状物和硬掩模部分上方形成共形绝缘体层，举例来说，例如氧化物。例如，在图4B中例示出的示例性实施例中，可以在衬底205、半导体柱状物210、以及硬掩模部分410上方形成共形绝缘体层260。总之，尽管针对氧化物进行了讨论，但共形绝缘体层260可以包括任何适当的一种或多种绝缘体材料。此外，可以使用任何公知的一种或多种技术(举例来说，例如化学气相沉积等等)来形成或沉积共形绝缘体层260。
[0048]过程500可以从操作504继续到操作506“沉积共形氮化物层“，其中，可以邻近设置在衬底上的半导体柱状物来形成共形绝缘体层，举例来说，例如氮化物。例如，在图4C中例示出的示例性实施例中，可以在共形绝缘体层260、衬底205、半导体柱状物210、以及硬掩模部分410上方形成共形绝缘体层270。总之，尽管针对氮化物进行了讨论，但共形绝缘体层270可以包括任何适当的一种或多种绝缘体材料。此外，可以使用任何公知的一种或多种技术(举例来说，例如化学气相沉积等等)来形成或沉积共形绝缘体层260。尽管针对两个共形绝缘体层讨论了示例性实施例，但是在某些示例中，可以使用单个共形绝缘体层。
[0049]过程500可以从操作506继续到操作508 “沉积体氧化物”和操作510 “对体氧化物进行抛光来形成非凹陷的场氧化物”，其中，可以邻近一个或多个共形绝缘体层来形成场绝缘体，举例来说，例如场氧化物。例如，在图4D中例示出的示例性实施例中，可以邻近共形绝缘体层270来形成场绝缘体280。总之，尽管针对场氧化物进行了讨论，但场绝缘体280可以包括任何适当的一种或多种绝缘体材料。如所讨论的，在示例性实施例中，可以通过首先经由任何沉积技术来沉积一个或多个体绝缘体并将所沉积的体绝缘体抛光回到硬掩模部分410来形成场绝缘体280。如示出的，这种抛光过程还可以去除一个或多个共形绝缘体层(例如共形绝缘体层260和共形绝缘体层270)的部分来暴露硬掩模部分410。
[0050]过程500可以从操作510继续到操作512 “执行选择性蚀刻以去除共形氮化物层的部分”，其中，可以执行选择性的氮化物蚀刻以去除共形绝缘体层中(举例来说，例如共形氮化物层)的部分。在其中使用单个共形绝缘体的示例中，选择性蚀刻可以暴露半导体柱状物中的鳍状部分。在其它示例中(例如图4E中的示例性实施例)，选择性蚀刻可以去除共形绝缘体层270的部分。此外，在某些示例中，如示出的，选择性蚀刻可以完全或部分去除硬掩模部分410。例如，选择性氮化物蚀刻可以是深的硅氮化物(例如，SiN)蚀刻，其对氧化物(例如，S1)和硅(例如，Si)来说是选择性的。
[0051]过程500可以从操作512继续到操作514 “执行选择性蚀刻以去除共形氧化物层和场氧化物的部分”，其中，可以执行选择性蚀刻来去除共形绝缘体(举例来说，例如共形氧化物层)的部分以及场氧化物的部分。在某些示例中(例如图4F中的示例性实施例)，可以去除共形绝缘体层260的部分和场绝缘体280的部分以暴露半导体柱状物210的鳍状部分212。例如，选择性氧化物蚀刻可以是相对短的氧化物蚀刻。如在边缘415处示出的，场绝缘体280的部分可以被去除或腐蚀。这种去除或腐蚀例如可以辅助随后接近鳍状部分212。
[0052]过程500可以从操作514继续到操作516 “形成电极”，其中可以形成电极。例如，如在图2中示出的，可以使用公知的技术来形成栅极电极220和接触电极230、242、242等等。例如，如由本领域技术人员所公知的镶嵌技术、替换栅极技术、接触沟槽图案化操作(例如，以形成沟槽形状的接触部)等可用于形成栅极电极220和接触电极230、242、242。
[0053]过程500可以从操作516继续到操作518“完成集成电路”，其中，可以完成如本文中所讨论的集成电路。例如，如在图2中示出的，可以形成一个或多个过孔250a-250d以接触栅极电极220和接触电极230、242、242。随后，可以形成较高等级的金属化层以及内部级的接触部，以部分完成集成电路。此外，可以将已完成的集成电路进行封装并将其键合到其它设备部件或母板等等，以部分形成诸如消费电子产品等等之类的产品。这些技术是本领域技术人员公知的，并且这里将不再重复。
[0054]尽管示例的过程500的实施方式可以包括以例示出的顺序来进行所有示出的框，但本公开内容并不限于这方面，并且在各个示例中，过程500的实施方式可以包括仅进行示出的框的子集和/或以与例示出的顺序不同的顺序来进行。
[0055]此外，可以响应于由一个或多个计算机程序产品提供的指令来进行图5中的框的其中任何一个或多个。这些程序产品可以包括提供指令的信号承载介质，当例如由处理器执行该指令时，可以提供本文中所描述的功能性。可以以任意形式的计算机可读介质来提供计算机程序产品。因此，例如，包括一个或多个处理器核的处理器可以响应于由计算机可读介质传送到处理器的指令而进行在图5中示出的框的其中一个或多个。
[0056]图6是根据本公开内容的至少某些实施方式布置的、采用具有晶体管的IC的移动计算平台的例示性图示，该晶体管具有非凹陷的场绝缘体和场绝缘体上方的较薄电极。移动计算平台600可以是被配置用于电子数据显示、电子数据处理、无线电子数据传输等其中每个的任何可移动设备。例如，移动计算平台600可以是平板电脑、智能电话、膝上计算机等的其中任何一个，并且其可以包括显示屏605，在示例性实施例中，显示屏605是触摸屏(例如，电容性、电感性、电阻性等等的触摸屏)、芯片级(SoC)或封装级集成系统610、以及电池615。
[0057]在展开的视图620中进一步例示了集成系统610。在示例性实施例中，经封装的设备650 (在图6中被标记为“具有非凹陷的场绝缘体的存储器/处理器”)包括采用具有如本文中所讨论的非凹陷的场绝缘体和场绝缘体上方的较薄电极的晶体管的至少一个存储器芯片(例如，RAM)、和/或至少一个处理器芯片(例如，微处理器、多核微处理器、或者图形处理器、等等)。在实施例中，封装设备650是包括采用具有如本文中所讨论的非凹陷的场绝缘体和场绝缘体上方的较薄电极的晶体管的SRAM高速缓冲存储器(例如，SRAM高速缓冲存储器可以包括采用如本文中所讨论的晶体管的反相器电路)的微处理器。所采用的晶体管可以包括设置在衬底的器件区上方的半导体柱状物(该半导体柱状物具有基底部分和鳍状部分)、设置在衬底的场区上方并邻近半导体柱状物的基底部分的场绝缘体、以及在器件区中耦合到半导体柱状物的鳍状部分并且在场区中被设置在场绝缘体上方的栅极电极，其中，如本文中所讨论的，栅极电极具有器件区上方的第一深度以及场区上方的小于第一深度的第二深度。经封装的设备650还可以耦合到(例如，通信地耦合到)板、基板、或者插入器(interposer) 660、以及功率管理集成电路(PMIC) 630、包括宽带RF (无线)发送机和/或接收机(TX/RX)的RF (无线)集成电路(RFIC) 625 (例如，包括数字基带并且模拟前端模块还包括发送路径上的功率放大器和接收路径上的低噪声放大器)、以及它们的控制器635的其中一个或多个。通常，经封装的设备650还可以耦合到(例如，通信地耦合到)显示屏605。
[0058]功能性地，PMIC 630可以执行电池功率调整、DC到DC转换等，并因此具有耦合到电池615的输入并具有向其它功能模块提供电流源的输出。如进一步例示出的，在示例性实施例中，RFIC 625可以具有耦合到天线(未示出)的输出，以实现多个无线标准或协议中的任何标准或协议，这些标准或协议包括但不限于W1-Fi (IEEE 802.11家族)、WiMAX(IEEE802.16 家族)、IEEE 802.20、长期演进(LTE)、Ev_D0、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS, CDMA, TDMA, DECT、蓝牙、及其衍生物、以及被命名为3G、4G、5G及之后的任何其它无线协议。在替代实施方式中，可以将这些板级模块的其中每个集成在耦合到经封装的设备650的封装基板的单独IC上或者集成在耦合到经封装的设备650的封装基板的单个IC(SoC)内。
[0059]图7是根据本公开内容的至少某些实施方式布置的计算设备700的功能性框图。例如可以在平台600内部找到计算设备700，并且计算设备700还包括承载多个部件(例如但不限于处理器704(例如，应用处理器)，其可以并入具有如本文中所讨论的非凹陷的场绝缘体和场绝缘体上方的较薄电极的晶体管和至少一个通信芯片1006)的母板702。在实施例中，处理器1004、一个或多个通信芯片706的至少其中之一、等等。处理器704可以物理地和/或电气地耦合到母板702。在某些示例中，处理器704包括封装在处理器704内的集成电路管芯。通常，术语“处理器”可以指代对来自寄存器和/或存储器的电子数据进行处理以便将该电子数据转换成可以储存在寄存器和/或存储器中的其它电子数据的任何器件或器件的一部分。
[0060]在各个示例中，一个或多个通信芯片706还可以物理地和/或电气地耦合到母板702。在另外的实施方式中，通信芯片706可以是处理器704中的部分。取决于其应用，计算设备700可以包括其