[0047]至此，第三超晶格结构层55、第三块结构层56以及第四超晶格结构层57共同组成了电子阻挡层。
[0048]在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
[0049]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0050]在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
[0051]在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0052]流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本发明的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本发明的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
[0053]在本说明书的描述中，参考术语“ 一个实施例”、“ 一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
[0054]尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
【主权项】
1.一种GaN基LED结构，其特征在于，包括: 衬底； 位于所述衬底之上的GaN缓冲层； 位于所述GaN缓冲层之上的第一掺杂类型GaN层； 位于所述第一掺杂类型GaN层之上的量子阱发光层； 位于所述量子阱发光层之上的第二掺杂类型GaN层； 电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述量子阱发光层与P掺杂类型GaN层之间，其中，所述电子阻挡层包括块结构层和超晶格结构层，所述块结构层的禁带宽度大于GaN的禁带宽度，所述超晶格结构层用于调节所述P掺杂类型GaN层与所述块结构层之间的能带倾斜程度以降低空穴势垒高度；以及P电极和N电极。2.根据权利要求1所述的GaN基LED结构，其特征在于，所述电子阻挡层具体包括: 沿着邻近所述量子阱发光层至远离所述量子阱发光层的方向依次层叠的AlGaN材料的第一块结构层和GaN/AlGaN材料的第一超晶格结构层。3.根据权利要求1所述的GaN基LED结构，其特征在于，所述电子阻挡层具体包括: 沿着邻近所述量子阱发光层至远离所述量子阱发光层的方向依次层叠的AlGaN材料的第二块结构层和InGaN/GaN材料的第二超晶格结构层。4.根据权利要求1所述的GaN基LED结构，其特征在于，所述电子阻挡层具体包括: 沿着邻近所述量子阱发光层至远离所述量子阱发光层的方向依次层叠的AlGaN/GaN材料的第三超晶格结构层、AlGaN材料的第三块结构层和InGaN/GaN材料的第四超晶格结构层。5.根据权利要求1所述的GaN基LED结构，其特征在于，所述电子阻挡层具体包括: 沿着邻近所述量子阱发光层至远离所述量子阱发光层的方向依次层叠的AlGaN/GaN材料的第五超晶格结构层、AlGaN材料的第四块结构层和InGaN/AlGaN材料的第六超晶格结构层。6.根据权利要求1所述的GaN基LED结构，其特征在于，所述超晶格结构层中的超晶格层数目为1-6层。7.—种GaN基LED结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供衬底； 在所述衬底之上形成GaN缓冲层； 在所述GaN缓冲层之上形成第一掺杂类型GaN层； 在所述第一掺杂类型GaN层之上形成量子阱发光层； 在所述量子阱发光层之上形成第二掺杂类型GaN层； 在所述量子阱发光层与P掺杂类型GaN层之间形成电子阻挡层，其中，所述电子阻挡层包括块结构层和超晶格结构层，所述块结构层的禁带宽度大于GaN的禁带宽度，所述超晶格结构层用于调节所述P掺杂类型GaN层与所述块结构层之间的能带倾斜程度以降低空穴势垒高度；以及 形成P电极和N电极。8.根据权利要求7所述的GaN基LED结构的形成方法，其特征在于，所述电子阻挡层具体包括: 沿着邻近所述量子阱发光层至远离所述量子阱发光层的方向依次层叠的AlGaN材料的第一块结构层和GaN/AlGaN材料的第一超晶格结构层。9.根据权利要求7所述的GaN基LED结构的形成方法，其特征在于，所述电子阻挡层具体包括: 沿着邻近所述量子阱发光层至远离所述量子阱发光层的方向依次层叠的AlGaN材料的第二块结构层和InGaN/GaN材料的第二超晶格结构层。10.根据权利要求7所述的GaN基LED结构的形成方法，其特征在于，所述电子阻挡层具体包括: 沿着邻近所述量子阱发光层至远离所述量子阱发光层的方向依次层叠的AlGaN/GaN材料的第三超晶格结构层、AlGaN材料的第三块结构层和InGaN/GaN材料的第四超晶格结构层。11.根据权利要求7所述的GaN基LED结构的形成方法，其特征在于，所述电子阻挡层具体包括: 沿着邻近所述量子阱发光层至远离所述量子阱发光层的方向依次层叠的AlGaN/GaN材料的第五超晶格结构层、AlGaN材料的第四块结构层和InGaN/AlGaN材料的第六超晶格结构层。12.根据权利要求7所述的GaN基LED结构的形成方法，其特征在于，所述超晶格结构层中的超晶格的层数目为1-6层。
【专利摘要】本发明公开了一种GaN基LED结构及其形成方法。本发明实施例的GaN基LED结构包括：衬底；位于所述衬底之上的GaN缓冲层；位于所述GaN缓冲层之上的第一掺杂类型GaN层；位于第一掺杂类型GaN层之上的量子阱发光层；位于量子阱发光层之上的第二掺杂类型GaN层；电子阻挡层，电子阻挡层位于量子阱发光层与P掺杂类型GaN层之间，其中，电子阻挡层包括块结构层和超晶格结构层，块结构层的禁带宽度大于GaN的禁带宽度，超晶格结构层用于调节P掺杂类型GaN层与块结构层之间的能带倾斜程度以降低空穴势垒高度；以及P电极和N电极。本发明采用块结构层加超晶格结构层的复合结构，大幅度提升电子空穴在量子阱发光层内的复合发光效率，且具有结构简单等优点。
【IPC分类】H01L33/06, H01L33/30
【公开号】CN105304779
【申请号】CN201410371644
【发明人】吴明驰
【申请人】惠州比亚迪实业有限公司
【公开日】2016年2月3日
【申请日】2014年7月31日