阵列基板及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及显示技术领域，具体设及一种阵列基板及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 在LCD(LiquidCrystalDisplay,液晶显示器）的结构设计中，由多个 CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,互补金属氧化物半导体）反相器构成 的CMOS环形振荡器用于产生电路中的时钟信号。与传统的NMOS型反相器和PMOS型反相 器相比，CMOS反相器由一个P型MOS晶体管和一个N型MOS晶体管串联组成，其中P型MOS 晶体管作为负载管，N型MOS晶体管作为输入管，并且两个MOS晶体管中的一个总是截止的， 因此运种配置可W大幅降低功耗。另外，CMOS反相器的电阻较低，其处理速率也能得到很 好的提局。
[0003] 当前，业界普遍义用IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide,铜嫁锋氧化物）制备 TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管）的非晶态氧化半导体图案（Amo;rphous Oxide Semiconductor, AOS)，并且 OSC(Organic Semiconductor,有机半导体）是一种由小分子或 高分子聚合物组成的有机材料，具有可饶、制程成本低的特点，广泛应用于柔性显示器、电 子皮肤等领域，因此如何基于IGZO和OSC制造CMOS反相器或CMOS环形振荡器是业界在改 良LCD时需要解决的问题。
【发明内容】
[0004] 有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制造方法，能够基于IGZO和OSC制造 CMOS反相器或CMOS环形振荡器。 阳0化]本发明提供的一种阵列基板的制造方法，包括：在衬底基材上依次形成第一金属 层和绝缘层，第一金属层包括沿预定方向间隔排布的第一电极条和第二电极条；在绝缘层 上形成沿预定方向间隔排布的IGZO图案，IGZO图案位于第一电极条的上方；在绝缘层和 IGZO图案层上形成第二金属层，第二金属层形成有沿预定方向交错排布的第一沟道和第二 沟道，第一沟道暴露其对应区域的IGZO图案，第二沟道暴露其对应区域的绝缘层且位于第 二电极条的上方；在第二沟道的对应区域形成OSC图案；在绝缘层、第二金属层、IGZO图案 W及OSC图案上形成一平坦纯化层；其中，第一电极条、第一沟道及其对应区域的第二金属 层和IGZO图案形成第一晶体管，第二电极条、第二沟道及其对应区域的第二金属层和所述 OSC图案形成第二晶体管，且第一晶体管和第二晶体管串联形成一 CMOS反相器。
[0006] 其中，第一电极条和第二电极条均为阵列基板的薄膜晶体管的栅极，第二金属层 包括薄膜晶体管的源极和漏极，沿预定方向，在相邻的源极和漏极之间形成第一沟道和第 二沟道，且同一漏极位于相邻的第一沟道和第二沟道之间。
[0007] 其中，第一电极条、第一沟道及其对应区域的源极、漏极和IGZO图案形成第一晶 体管，第二电极条、第二沟道及其对应区域的源极、漏极和OSC图案形成第二晶体管，且阵 列基板形成奇数个首尾相连的CMOS反相器。
[0008] 其中，第一晶体管为N沟道型MOS晶体管，第二晶体管为P沟道型MOS晶体管。
[0009] 其中，在衬底基材上形成第一金属层之后，所述方法还包括：在衬底基材上形成沿 预定方向交错排布的公共电极，每一公共电极位于相邻的第一电极条和第二电极条之间， 公共电极及其对应区域的第二金属层和绝缘层形成一电容。
[0010] 本发明提供的一种阵列基板，包括：衬底基材；形成于衬底基材上的第一金属层 和绝缘层，第一金属层包括沿预定方向间隔排布的第一电极条和第二电极条；形成于绝缘 层上且沿预定方向间隔排布的IGZO图案，IGZO图案位于第一电极条的上方；形成于绝缘层 和IGZO图案层上的第二金属层，第二金属层形成有沿预定方向交错排布的第一沟道和第 二沟道，第一沟道暴露其对应区域的IGZO图案，第二沟道暴露其对应区域的绝缘层且位于 第二电极条的上方；形成于第二沟道的对应区域的OSC图案；平坦纯化层，形成于绝缘层、 第二金属层、IGZO图案W及OSC图案上；其中，第一电极条、第一沟道及其对应区域的第二 金属层和IGZO图案形成第一晶体管，第二电极条、第二沟道及其对应区域的第二金属层和 OSC图案形成第二晶体管，且第一晶体管和第二晶体管串联形成一 CMOS反相器。
[0011] 其中，第一电极条和第二电极条均为阵列基板的薄膜晶体管的栅极，第二金属层 包括薄膜晶体管的源极和漏极，沿预定方向，在相邻的源极和漏极之间形成有第一沟道和 第二沟道，且同一漏极位于相邻的第一沟道和第二沟道之间。
[0012] 其中，第一电极条、第一沟道及其对应区域的源极、漏极和IGZO图案形成第一晶 体管，第二电极条、第二沟道及其对应区域的源极、漏极和OSC图案形成第二晶体管，且阵 列基板形成有奇数个首尾相连的CMOS反相器。
[0013] 其中，第一晶体管为N沟道型MOS晶体管，第二晶体管为P沟道型MOS晶体管。
[0014] 其中，阵列基板还包括形成于衬底基材上且沿预定方向交错排布的公共电极，每 一公共电极位于相邻的第一电极条和第二电极条之间，公共电极及其对应区域的第二金属 层和绝缘层形成一电容。
[0015] 本发明的阵列基板及其制造方法，设计由IGZO图案及其对应区域的第一电极条、 第一沟道和第二金属层形成CMOS反相器的第一晶体管、由OSC图案及其对应区域的第二电 极条、第二沟道和第二金属层形成CMOS反相器的第二晶体管，从而实现基于IGZO和OSC制 造CMOS反相器或CMOS环形振荡器。
【附图说明】
[0016] 图1是本发明的阵列基板的制造方法一实施例的流程示意图；
[0017] 图2是根据图1所示方法形成阵列基板的示意图； 阳01引图3是本发明的CMOS反相器一实施例的电路示意图；
[0019] 图4是由图3所示CMOS反相器构成的CMOS环形振荡器的电路示意图；
[0020] 图5是图4所不CMOS环形振荡器输出的时序f目号的不意图；
[0021] 图6是在IGZO上形成保护层一实施例的示意图； 阳022] 图7是本发明的液晶显示面板一实施例的结构剖视图；
[0023] 图8是本发明的液晶显示装置一实施例的结构剖视图。
【具体实施方式】
[0024] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明所提供的示例性的实施例的技术方 案进行清楚、完整地描述。
[00巧]图1是本发明的阵列基板的制造方法一实施例的流程示意图。所述方法用于在形 成TFT的同时形成CMOS反相器或CMOS环形振荡器。请参阅图1和图2所示，所述方法包 括W下：
[00%] Sll :在衬底基材上依次形成第一金属层和绝缘层，第一金属层包括沿预定方向间 隔排布的第一电极条和第二电极条；
[0027] 参阅图2所示，衬底基材21用于形成前述阵列基板，所述衬底基材21可W为玻璃 基材、透明塑料基材或可晓式基材。
[0028] 本实施例可通过第一光罩制程W及第一黄光制程在衬底基材21上形成第一金属 层22,即形成具有预定图案的TFT的栅极，其中TFT的栅极包括沿图中箭头所示的预定方 向D间隔排布的第一电极条221和第二电极条222(图中仅示出一个第一电极条221和一 个第二电极条222)，预定方向D为与每一栅极的延伸方向相垂直的水平方向。
[0029] 当然，还可仅采用例如化学气相沉积、真空蒸锻、等离子化学气相沉积、瓣射或低 压化学气相沉积等方法直接形成第一金属层22。
[0030] 由于后续需要形成TFT的源极和漏极，因此本发明实施例进一步在第一金属 层22 W及未形成第一金属层22的衬底基材21上形成绝缘层23,即栅极绝缘层（Gate Insulation Layer，GI)。
[0031] 本发明实施例在形成第一金属层22之后，还可W在衬底基材21上形成沿预定方 向D交错排布的公共电极24(图中仅示出一个公共电极24)，且每一公共电极24位于相邻 的第一电极条221和第二电极条222之间。当然，本发明实施例也可W通过第一光罩制程 和第一黄光制程形成第一金属层22和公共电极24,即，公共电极24和第一金属层22由同 一光罩制程和同一黄光制程制得。
[0032] S12 :在绝缘层上形成沿预定方向间隔排布的IGZO图案，所述IGZO图案位于第一 电极条的上方；
[0033] 本发明实施例可通过第二光罩制程和第二黄光制程在绝缘层23上形成具有预定 图案的IGZO图案（层）25,其中，第二黄光制程可利用包括但不限于具有憐酸、硝酸、醋酸W 及去离子水的蚀刻液对形成于绝缘层23上的一整片半导体图案层24进行蚀刻，从而得到 所述IGZO图案25,当然其他实施例也可W采用干法蚀刻。
[0034] S13 :在绝缘层和IGZO图案层上形成第二金属层，第二金属层形成有沿预定方向 交错排布的第一沟道和第二沟道，第一沟道暴露其对应区域的IGZO图案，第二沟道暴露其 对应区域的绝缘层且位于第二电极条的上方。
[0035] 本发明实施例可通过第=光罩制程W及第=黄光制程在绝缘层23上形成具有预 定图案的第二金属层26,即形成TFT的源漏电极层，第二金属层26包括源极261和漏极 262。沿预定方向D，在相邻的源极261和漏极262之间形成第一沟道263和第二沟道264， 且同一漏极262位于相邻的第一沟道263和第二沟道264之间，第一沟道263位于第一电 极条221的上方，第二沟道264位于第二电极条222的上方。
[0036] S14 :在第二沟道的对应区域形成OSC图案；
[0037] 本发明实施例可通过第四光罩制程W及第四黄光制程在第二沟道364的对应区