[0124] 依照如下的反应式而合成化合物1。
[0125] [化 12]
[0126]
[0127] 在氮气环境下，加入四（三苯基膦）钯（0)1.72g(0.00149mol)、4-溴四苯基硅烷 34.3g(0.0825mol)、双（三丁基甲锡烷基）乙炔 25.0g(0.0412mol)、l，4-二噁烷300mL，在 120 °c下搅拌一晚。将反应溶液冷却至室温为止后，滤取所析出的结晶，利用硅胶管柱色谱法对 所得的固体进行纯化，获得13. Og(18.7mmo 1、产率为45.3 % )作为白色固体的中间体A。
[0128] 在氮气环境下，加入癸硼烷2.23g(0.0186mol)、甲苯229mL，使其完全溶解后滴加 N，N-二甲基苯胺2.34mL，在室温下搅拌30分钟。然后加入中间体A 13.0g(18.7mmol)，在120 °C下搅拌一晚。将反应溶液冷却至室温为止后，滤取所析出的结晶，对所得的固体物进行结 晶纯化，获得8.01 8(9.83111111〇1、产率为52.8%)作为白色固体的化合物1。将^)-13，111/2 814 [M+Hl + ^H-NMR测定结果(测定溶媒:CDCl3)示于图2中。
[0129] 实施例2
[0130] 依照如下的反应式而合成化合物3。
[0131] [化 13]
[0132]
3
[0133] 在氮气环境下，加入2，6 -二溴P比啶6 3 . 6 g ( 0 . 2 6 8 m 〇 1 )、四氢咲喃 (Tetrahydrofuran，THF) 1080mL而冷却至-50°C。其后，滴加2 · 69M的η-正丁基锂己烷溶液， 在-50°C下进行2小时的搅拌。在所得的黑色溶液中滴加溶于THF 240ml与二乙醚160ml中的 三苯基氯硅烷78.4g(0.266mol)。其后，一面缓缓升温至室温一面搅拌一晚，在所得的反应 液中一面搅拌一面加入乙酸乙酯（1000 mL)、IN盐酸（1000 mL)，利用蒸馏水(3 X 500mL)对有 机层进行清洗。用无水硫酸镁对有机层进行干燥后，将硫酸镁过滤分离，减压馏去溶媒。利 用硅胶管柱色谱法对所得的残渣进行纯化，获得18.5g(44.4mmol、产率为17%)作为白色固 体的中间体B。
[0134] 在氮气环境下，加入四（三苯基膦）钯（0)665mg(0 · 575mmol)、中间体B28g (0.0672111〇1)、双（三丁基甲锡烷基）乙炔19.48(0.0320111〇1)、1，4-二噁烷2451^，在120°(：下 搅拌一晚。将反应溶液冷却至室温为止后，滤取所析出的结晶，将溶媒减压馏去。利用结晶、 硅胶管柱色谱法对所得的残渣进行纯化，获得12.4 8(17.8臟〇1、产率为55.7%)作为白色固 体的中间体C。
[0135] 在氮气环境下，加入癸硼烷2.0g(0.0164mol)、甲苯200mL，使其完全溶解后滴加 N， N-二甲基苯胺2.12mL，在室温下搅拌30分钟。然后加入中间体C 12.4g(17.8mmol)，在120°C 下搅拌一晚。将反应溶液冷却至室温为止后，滤取所析出的结晶，利用结晶、硅胶管柱色谱 法对所得的固体物进行纯化，获得2.6g(3.19mmo 1、产率为19.5%)作为白色固体的化合物 3。将APCI-T0FMS，m/z SietM+Hl + jH-NMR测定结果(测定溶媒:CDCl3)示于图3中。
[0136] 依据所述合成例而合成化合物10、化合物16、化合物17、化合物22、及化合物23。另 外，合成下述化合物H-1~化合物H-4作为比较用化合物。
[0137] [化 14]
[0138]
[0139] 实施例3
[0140]在形成有膜厚为70nm的包含ITO的阳极的玻璃基板上，利用真空蒸镀法在真空度 为2.0 X HT5Pa下层叠各薄膜。首先，在ITO上将CuPC形成为30nm的厚度而作为空穴注入层。 其次，将α-Nro形成为15nm的厚度而作为空穴传输层。其次，在空穴传输层上，自不同的蒸镀 源进行共蒸镀而将作为发光层的主体材料的CBP与作为掺杂剂的Ir(Ppy) 3形成为30nm的厚 度的发光层。Ir (ppy)3的浓度为10 %。其次，在发光层上将化合物1形成为5nm的厚度而作为 空穴阻挡层。其次，将Alq3形成为20nm的厚度而作为电子传输层。进一步在电子传输层上， 将LiF形成为I.Onm的厚度而作为电子注入层。最后，在电子注入层上，将Al形成为70nm的厚 度而作为电极。所得的有机EL元件具有如下的层构成:在图1所示的有机EL元件中，在阴极 与电子传输层之间追加电子注入层，且在发光层与电子传输层之间追加空穴阻挡层。
[0141] 在所得的有机EL元件上连接外部电源而施加直流电压，结果确认到具有如表1所 示的发光特性。在表1中，亮度、电压及发光效率表示在20mA/cm 2下驱动时的值(初始特性）。 元件发射光谱（emission spectrum)的极大波长为530nm，可知获得来自Ir(ppy)3的发光。
[0142] 实施例4~实施例9
[0143] 使用化合物3、化合物10、化合物16、化合物17、化合物22或化合物23代替化合物I 而作为实施例3中的空穴阻挡材料，除此以外与实施例3同样地进行而制成有机EL元件。
[0144] 比较例1
[0145] 将实施例3中的作为电子传输层的Alq3的膜厚设为25nm，并不设置空穴阻挡层，除 此以外与实施例3同样地进行而制成有机EL元件。
[0146] 比较例2~比较例5
[0147] 使用化合物H-I、化合物H-2、化合物H-3或化合物H-4作为实施例3中的空穴阻挡材 料，除此以外与实施例3同样地进行而制成有机EL元件。
[0148] 关于实施例3~实施例9及比较例1~比较例5中所得的有机EL元件，与实施例3同 样地进行评价，结果确认到具有如表1所示的发光特性。另外，实施例3~实施例7及比较例1 ~比较例5中所得的有机EL元件的发射光谱的极大波长为530nm，可鉴定为获得来自Ir (ppy)3的发光。另外，实施例3~实施例9及比较例1~比较例5中所使用的发光层的主体材 料均为CBP。
[0149] [表 1]
[0151] 根据表1可知，与并未使用空穴阻挡材料的比较例1、及使用本发明以外的化合物 的比较例2、比较例3、比较例4、及比较例5相比而言，将本发明的邻碳硼烷化合物用于空穴 阻挡层的实施例3~实施例9显示出良好的特性。
[0152] [产业上的可利用性]
[0153] 关于本发明的邻碳硼烷化合物，通过将其用于有机EL元件的电子传输性的发光层 主体材料、电子传输层材料、空穴阻挡层材料或激子阻挡层材料中可减低元件驱动电压。而 且，使用所述磷光元件用材料的有机EL元件可实现改善发光效率且驱动寿命长、耐久性高 的有机EL元件。
【主权项】
1. 一种有机电场发光元件用材料，其特征在于：包含通式（I)所表示的邻碳棚烧化合 物， [化1](1) 此处，环A表示式（Ia)所表示的CsBi地10的2价的邻碳棚烷基;Li、L2分别独立地表示经取 代或未经取代的碳数6~30的芳香族控基、经取代或未经取代的碳数3~30的芳香族杂环 基、或2个~6个选自所述芳香族控基及所述芳香族杂环基的芳香族环连结而构成的连结芳 香族基，在为连结芳香族基的情况下，可为直链状也可为分支状，所连结的芳香环可相同也 可不同山为P+1价的基，L2为q+1价的基;1?1、1?2、1?3、1?4、1?5、1?6独立地表示碳数1~12的脂肪族 控基、经取代或未经取代的碳数6~18的芳香族控基、或经取代或未经取代的碳数3~17的 芳香族杂环基，化、Rs独立地表示氨、碳数1~12的脂肪族控基、经取代或未经取代的碳数6~ 18的芳香族控基、或经取代或未经取代的碳数3~17的芳香族杂环基;P表示1~5的整数，q 表示0~5的整数，r表示1~4的整数。2. 根据权利要求1所述的有机电场发光元件用材料，其中，通式（1)所表示的邻碳棚烧 化合物为通式(2)所表示的邻碳棚烧化合物， [化2](2) 此处，Li、L2、Ri~Rs、p、q及r与通式（1)同义。3. 根据权利要求2所述的有机电场发光元件用材料，其中，通式(2)中，Li~L2分别独立 地为经取代或未经取代的碳数6~18的芳香族控基、经取代或未经取代的碳数3~17的芳香 族杂环基、或2个~6个选自所述芳香族控基及所述芳香族杂环基的芳香族环连结而构成的 连结芳香族基。4. 根据权利要求3所述的有机电场发光元件用材料，其中，通式(2)中，扣~Rs分别独立 地为碳数1~10的脂肪族控基、或碳数6~12的芳香族控基。5. -种有机电场发光元件，其是在基板上层叠阳极、有机层及阴极而成的有机电场发 光元件，所述有机电场发光元件的特征在于包含有机层，所述有机层包含根据权利要求1所 述的有机电场发光元件用材料。6. 根据权利要求5所述的有机电场发光元件，其中，包含有机电场发光元件用材料的有 机层是选自由发光层、电子传输层、空穴阻挡层及激子阻挡层所组成的群组中的至少一个 层。7. 根据权利要求5所述的有机电场发光元件，其特征在于:包含有机电场发光元件用材 料的有机层是电子传输层、空穴阻挡层或激子阻挡层。
【专利摘要】本发明提供一种改善有机电场发光元件(有机EL元件)的发光效率、充分确保驱动稳定性、且具有简略的构成的有机EL元件与用于其的有机EL元件材料。有机EL元件用材料包含邻碳硼烷化合物，所述邻碳硼烷化合物具有经由芳香族基而在C2B10H10所表示的2价邻碳硼烷基上键结有硅烷基(-SiR3)的结构。另外，有机电场发光元件是在基板上层叠阳极、有机层及阴极而成，且具有包括所述邻碳硼烷化合物的有机层，所述有机层为发光层、电子传输层、空穴阻挡层或激子阻挡层。
【IPC分类】C07F7/10, C07F7/08, H01L51/50
【公开号】CN105594008
【申请号】CN201480053853
【发明人】上田季子, 小川淳也, 甲斐孝弘
【申请人】新日铁住金化学株式会社
【公开日】2016年5月18日
【申请日】2014年8月28日
【公告号】WO2015045718A1