本发明用于直流电器设备的短路、过电流保护,具体涉一种高速直流电子保护电路。
背景技术:
目前,以前市电开关常见的是配有熔断器,其实熔断器的熔断过程就是一个热量积累的过程。当电路电流达到熔断器的熔断电流或者超过熔断电流,熔断器就迅速熔断从而保护设备不会出现更大问题,如果过电流的时间足够短,达不到熔断丝的熔断温度,熔断器是不会熔断的,因为熔断器的分散性较大不能快速熔断常常对电器设备造成更大面积的损坏,因此可靠性就略显不足。
技术实现要素:
本发明所解决的技术问题在于提供一种高速直流电子保险电路,以解决上述背景技术缺点。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:该直流高速电子保险电路,包括启动电路(1)、过流保护电路(2)构成,所述启动电路(1)与过流保护电路(2)电气连接。
所述的一种直流高速电子保险电路,其特征在于:所述的启动电路(1)由R1、R2、R3、C1、IC1组成。
所述的一种直流高速电子保险电路,其特征在于:所述的过流保护电路(2)由BT1、BG1,R4组成。
所述的一种直流高速电子保险电路,其特征在于:所述的电源正极VCC与R1、C1、R3、单向可控硅
BT1的阳极A、IGBT模块BG1的集电极相连,所述并连电路R、1C1的下端与光电耦合器IC1的输入端阳极相连,光电耦合器IC1的输入端阴极与R2的上端相连,所述电源负极VSS与R2的下端相连,所电阻R3的下端与光电耦合器C1的集电极相连,光电耦合器IC1的发射极与单向可控硅BT1的触发极G相连,所述串连电路BT1、R4的中间端与IGBT模块BG1的基极相连,所述IGBT模块BG1的发射极与R4的另一端相连。
所述的一种直流高速电子保险电路,其特征在于所述的光电耦合器IC1的型号采用PC817。
所述的一种直流高速电子保险电路,其特征在于所述的单向可控硅BT1的型号采用50RIA120。
所述的一种直流高速电子保险电路,其特征在于所述的IGBT模块BG1的型号采用G40N150D。
有益效果是,本发明通过改变取样电阻R4的阻值可实现对不同功率的负载设备使用,同时,本发明具有结构简单,成本低廉,功率大,响应速度快和实用方便。
附图说明
图1为本发明的原理框图。
图2为本发明的电路原理图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目地与功能易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本发明。
参见图1,该直流高速电子保险电路,包括启动电路(1)、过流保护电路(2)构成,所述启动电路(1)与过流保护电路(2)电气连接。
所述的启动电路(1)由R1、R2、R3、C1、IC1组成。
所述的过流保护电路(2)由BT1、BG1,R4组成。
参见图2,所述的一种直流高速电子保险电路,其特征在于:所述的电源正极VCC与R1、C1、R3、单向可控硅BT1的阳极A、IGBT模块BG1的集电极相连,所述并连电路R、1C1的下端与光电耦合器IC1的输入端阳极相连,光电耦合器IC1的输入端阴极与R2的上端相连,所述电源负极VSS与R2的下端相连,所电阻R3的下端与光电耦合器C1的集电极相连,光电耦合器IC1的发射极与单向可控硅BT1的触发极G相连,所述串连电路BT1、R4的中间端与IGBT模块BG1的基极相连,所述IGBT模块BG1的发射极与R4的另一端相连。
上电时,电流通过C1经光电耦合器IC1输入端发光二极管的阳极经电阻R2接地形成电流回路对电容C1进行充电,光电耦合器IC1输出端集电极与发射极导通,所述电源正极VCC经电阻R3、光电耦合器对单向可控硅模BT1的触发极G提供触发电流使单向可控硅模BT1经取样电阻向负载提供工作电源。当负载出现短路或过电流时取样电阻两端迅速产生电压差导至IGBT模块BG1导通,此时过载电流经过IGBT模块BG1向负载提供电源,此时单向可控硅模BT1因失去触发电压而截止同时IGBT模块BG1的基极失压而截止关断输出电压完成整过电流保护过程,达到保护设备的安全。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征及本发明的优点,本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的发明范围内,本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。