一反射器RFl和第二反射器RF2的折射率可以是除1.48之外的1.2至1.5。
[0107]第一反射器RFl和第二反射器RF2可以包含基于白色的材料，例如，白色荧光物质，以便进一步改进反射率。
[0108]如图8A所示，第一反射器RFl的正面可以具有没有多个不平部的平坦表面。此外，如图SB所示，第二反射器RF2的正面可以具有没有多个不平部的平坦表面。
[0109]图8A示出了第一反射器RFl与第一太阳能电池CEl和第二太阳能电池CE2的半导体基板I1分开。然而，如果第一反射器RFl包括如以上所述的绝缘材料，则第一反射器RFl可以在空间上不与第一太阳能电池CEl和第二太阳能电池CE2的半导体基板110分开。
[0110]此外，图8B示出了第二反射器RF2与第二太阳能电池CE2和第三太阳能电池CE3的半导体基板110分开。然而，第二反射器RF2可以在空间上不与第二太阳能电池CE2和第三太阳能电池CE3的半导体基板110分开。
[0111]根据本发明的实施方式的太阳能电池模块可以使用背接触太阳能电池，在背接触太阳能电池中，多个第一电极C141和多个第二电极C142形成在半导体基板110的背面上以彼此分开。
[0112]作为不例，本发明的第一实施方式描述了第一反射器RFl在第二方向y上彼此分开并且延伸，或者第二反射器RF2在第一方向X上彼此分开并且延伸。
[0113]例如，作为不例，本发明的第一实施方式描述了多个第二反射器RF2形成在第一串STl与第二串ST2之间并且在第一方向X上彼此分开。此外，作为示例，本发明的第一实施方式描述了多个第一反射器RFl在第二方向y上彼此分开。
[0114]然而，本发明的实施方式不限于此并且可以按照各种方式变化。例如，设置在相同行上的第一反射器RFl和第二反射器RF2可能不是复数形式，并且设置在相同行上的第一反射器RFl和第二反射器RF2中的一个的数量可以是一。下面对此进行详细描述。
[0115]图9例示了根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块。
[0116]在本发明的第二实施方式中省略了对与本发明的第一实施方式所例示的结构和组件相同或等效的结构和组件的描述，并且主要描述了它们之间的差异。
[0117]如图9所示，设置在多个串STl与ST4之间并且在第一方向x上延伸的第二反射RF2未被划分并且可以按照一体的形式形成。即，一个第二反射器RF2可以被设置在第一串STl与第二串ST2之间。
[0118]如上所述，在本发明的第二实施方式中，因为一个第二反射器RF2被设置在两个相邻串之间并且在第一方向X上延伸，所以第一反射器RFl和第二反射器RF2在太阳能电池CE之间的分离空间中的非形成空间减小。因此，与根据本发明的第一实施方式的太阳能电池模块相比，入射在根据本发明的第二实施方式的各个太阳能电池CE上的光的量可以进一步增加。此外，可以进一步简化制造工艺。
[0119]作为示例，图9示出了第二反射器RF2按照一体的形式延伸。相反，第一反射器RFl可以在与串STl至ST4中的每一个的纵向(即，第一方向X)交叉的第二方向y上按照一体的形式形成。
[0120]此外，第一反射器RFl和第二反射器RF2的第一修改例和第二修改例可以应用于根据本发明的第二实施方式的太阳能电池模块。
[0121]作为示例，图9示出了第一反射器RFl或第二反射器RF2未被划分并且按照一体的形式形成，以便反射入射在四个相邻太阳能电池之间的空间上的光。
[0122]相反，根据本发明的实施方式的太阳能电池模块可以包括具有不平部的单独的反射器，所述不平部在第一方向X和第二方向I的倾斜方向上形成在图1的四个相邻太阳能电池之间的空间中。
[0123]下面参照图1OA和图1OB对此进行详细描述。
[0124]图1OA至图1OB例示了根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块。
[0125]更具体地，图1OA是根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块的平面图。在图1OB中，(a)是图1OA的一部分KlO的放大视图，(b)是第三反射器的立体图，(c)是沿着与图1OB中的(b)中的第三反射器的倾斜方向OL对应的线OL-OL截取的截面图。
[0126]在本发明的第三实施方式中省略了对与本发明的第一实施方式和第二实施方式所例示的结构和组件相同或等效的结构和组件的描述，并且主要描述了它们之间的差异。
[0127]如图1OA和图1OB所示，根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块可以包括图1的四个太阳能电池彼此相邻的相邻空间(即，第一反射器RFl和第二反射器RF2的相邻空间)中的第三反射器RF3。
[0128]作为示例，图1示出了各自具有矩形形状的太阳能电池。然而，当包括在各个太阳能电池中的半导体基板110由单晶硅形成时，半导体基板110可以具有八边形形状，其中矩形的四个角(或边缘)具有线形状，如图1OA和图1OB中的(a)所示。
[0129]在根据本发明的第三实施方式的太阳能电池模块中，第三反射器RF3可以具有考虑到半导体基板110的边缘的形状的八边形形状。
[0130]因此，因为第三反射器RF3的形状对应于由单晶硅形成的半导体基板110的边缘的形状，所以光的泄漏部分可以进一步减少并且光的反射面积可以进一步增加。结果，可以进一步改进太阳能电池模块的效率。在本发明的这些实施方式中，第三反射器RF3可以具有其它形状，诸如正方形、矩形、圆形、椭圆、三角形、多边形或不规则的形状。
[0131]如图1OB中的(a)至(C)所示，第三反射器RF3在其正面上可以具有第三突起P3和第三凹部GR3。
[0132]因此，如图1OB中的(a)和(b)所示，形成在第三反射器RF3的正面上的第三突起P3和第三凹部GR3的平面形状可以具有菱形图案。
[0133]更具体地，第三突起P3和第三凹部GR3可以在第一方向x和第二方向y的倾斜方向OL上延伸。因此，由第三突起P3和第三凹部GR3形成的倾斜面可以朝向第一方向X和第二方向I的倾斜方向OL或与倾斜方向OL垂直的方向形成。
[0134]因此，从形成在第三反射器RF3的正面上的不平部反射的光可以入射在按照第三反射器RF3的倾斜方向设置的四个太阳能电池上。结果，可以进一步改进太阳能电池模块的效率。
[0135]本发明的第三实施方式描述了太阳能电池模块单独地包括除第一反射器RFl和第二反射器RF2之外的第三反射器RF3。然而，第三反射器RF3可以与第一反射器RFl或第二反射器RF2 —起形成一体。
[0136]迄今为止，作为示例，本发明的实施方式描述了反射器被设置在属于相同串的两个相邻太阳能电池之间或者在两个相邻串之间。然而，反射器可以被设置在最外部串的外表面或最外部太阳能电池的外表面上。
[0137]下面参照图11对此进行详细描述。
[0138]图11例示了根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块。
[0139]更具体地，在图11中，(a)是根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块的平面图，(b)是图11中的(a)的一部分Kll(b)的放大立体图，并且(C)是图11中的(a)的一部分Kll (C)的放大立体图。
[0140]在本发明的第四实施方式中省略了对与本发明的第一实施方式至第三实施方式所例示的结构和组件相同或等效的结构和组件的描述，并且主要描述了它们之间的差异。
[0141]如图11中的(a)所示，根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块还可以包括最外部反射器RFEl和RFE2，当从其正面观看太阳能电池模块时，所述最外部反射器RFEl和RFE2被设置在多个太阳能电池的外部(即，最外部串的外表面或最外部太阳能电池的外表面)。
[0142]最外部反射器RFEl和RFE2可以包括设置在太阳能电池模块的上侧和下侧上的第一最外部反射器RFEl以及设置在太阳能电池模块的左侧和右侧上的第二最外部反射器REF2。
[0143]第一最外部反射器RFEl可以被设置在包括在太阳能电池模块的各个串中的最外部太阳能电池的外表面上(在上方向和下方向上)，并且第二最外部反射器RFE2可以被设置在包括在太阳能电池模块的左侧最外部串和右侧最外部串中的太阳能电池的外表面上(在左方向和右方向上)。
[0144]第一最外部反射器RFEl和第二最外部反射器RFE2可以具有多个不平部。由多个不平部形成的倾斜面可以面对仅设置在第一最外部反射器RFEl和第二最外部反射器RFE2内侧的多个太阳能电池。
[0145]S卩，如图11中的(b)所示，由包括在设置在太阳能电池模块的上侧和下侧上的第一最外部反射器RFEl中的多个不平部形成的倾斜面可以面对着与太阳能电池模块的上方向和下方向对应的第一方向X。
[0146]此外，如图11中的(C)所示，由包括在设置在太阳能电池模块的左侧和右侧的第二最外部反射器RFE2中的多个不平部形成的倾斜面可以面对着与太阳能电池模块的左方向和右方向对应的第二方向I。
[0147]如上所述，根据本发明的第四实施方式的太阳能电池模块包括位于太阳能电池模块的边缘处的最外部反射器RFEl和RFE2，并且形成最外部反射器RFEl和RFE2的不平部，其中最外部反射器RFEl和RFE2的倾斜面面对太阳能电池模块的内表面，从而进一步改进太阳能电池模块的效率。
[0148]图12和图13示出了适用于根据本发明的第一实施方式至第三实施方式的太阳能电池模块的太阳能电池的示例。
[0149]更具体地，图12是太阳能电池的部分立体图，并且图13示出了形成在图12所示的太阳能电池的背面上的第一电极和第二电极的图案的示例。
[0150]如图12所示，根据本发明的实施方式的太阳能电池的示例可以包括半导体基板110、防反射层130、发射极区域121、多个背面场(BSF)区域172、多个第一电极C141和多个第二电极C142。
[0151]必要时或根据需要，可以省略防反射层130和背面场区域172。在以下描述中，作为示例，本发明的实施方式描述了包括如图12所示的防反射层130和背面场区域172的太阳能电池。
[0152]半导体基板110可以是由第一导电类型(例如，η型)的硅形成的半导体基板，但并不是必需的。半导体基板110可以通过使由硅材料形成的晶片掺杂有第一导电类型的杂质而形成。
[0153]发射极区域121可以被设置为在与半导体基板110的正面相反的背面内侧彼此分开，并且可以在彼此平行的方向上延伸。即，发射极区域121可以是复数形式。多个发射极区域121可以包含与半导体基板110的第一导电类型(例如，η型)相反的第二导电类型(例如，P型)的杂质。因此，发射极区域121可以与半导体基板110 —起形成ρ-η结。
[0154]多个背面场区域172可以被设置在半导体基板110的背面内侧。多个背面场区域172可以被设置为在与多个发射极区域121平行的方向上彼此分开并且可以在与发射极区域121相同的方向上延伸。因此，如图12和图13所示