技术领域本实用新型属于电路控制领域，涉及一种继电器。
背景技术：
继电器为电路控制中常用的控制元件。现有的继电器大多无法满足直流低电压驱动，不能适用于TTL端口直接控制。同时原有设计大多只采用电容电阻连接，高次谐波吸收能力低下，设备性能不能满足用户需求。故，针对目前现有技术中存在的上述缺陷，实有必要进行研究，以提供一种方案，解决现有技术中存在的缺陷。
技术实现要素：
为解决上述问题，本实用新型的目的在于提供一种继电器。为实现上述目的，本实用新型的技术方案为：一种继电器，包括信号输入端、信号输出端，所述信号输入端与信号输出端之间通过光耦连接，所述信号输入端设置有四个二极管，第一二极管、第三二极管串联为第一二极管组，第二二极管、第四二极管串联为第二二极管组，输入端一端连接于第一二极管组，另一端连接第二二极管组，所述信号输出端设置有第一单向可控硅、第二单向可控硅；所述第一单向可控硅一端与第一电阻连接，另一端与第一电容连接；所述第二单向可控硅一端与第二电阻连接，另一端与第二电容连接。进一步的，所述光耦设置为第一光耦、第二光耦；第一光耦一端连接所述第一单向可控硅，另一端连接于第一电阻与第一电容之间；第二光耦一端连接所述第二单向可控硅，另一端连接于第二电阻与第二电容之间。进一步的，所述信号输入端通过TTL端口接收信号。进一步的，所述继电器内插件为焊接结构。与现有技术采用的圆形插销相比，本实用新型的有益效果如下：通过加入电阻、电容及双向可控硅，有助于提高高次谐波吸收能力，相较于原有设计性能大幅提高。附图说明图1是本实用新型具体实施例插件结构示意图。具体实施方式为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。相反，本实用新型涵盖任何由权利要求定义的在本实用新型的精髓和范围上做的替代、修改、等效方法以及方案。进一步，为了使公众对本实用新型有更好的了解，在下文对本实用新型的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本实用新型。参见图1所示，一种继电器，包括信号输入端、信号输出端，信号输入端与信号输出端之间通过光耦连接，信号输入端设置有四个二极管，第一二极管D1、第三二极管D3串联为第一二极管组，第二二极管D2、第四二极管D4串联为第二二极管组，输入端一端连接于第一二极管组，另一端连接第二二极管组，信号输出端设置有第一单向可控硅SCR1、第二单向可控硅SCR2；第一单向可控硅SCR1一端与第一电阻R1连接，另一端与第一电容C1连接；第二单向可控硅SCR2一端与第二电阻R2连接，另一端与第二电容C2连接，光耦设置为第一光耦1、第二光耦2；第一光耦1一端连接第一单向可控硅SCR1，另一端连接于第一电阻R1与第一电容C1之间；第二光耦2一端连接第二单向可控硅SCR2，另一端连接于第二电阻R2与第二电容C2之间，信号输入端通过TTL端口接收信号，继电器内插件为焊接结构。通过加入电阻、电容及双向可控硅，有助于提高高次谐波吸收能力，相较于原有设计性能大幅提高。以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。