1.一种基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器，其特征在于，包括依次连接的输入匹配网络、功率分配网络、堆叠矩阵放大网络、功率合成网络和输出匹配网络，以及分别与所述堆叠矩阵放大网络对称连接的第一偏置电路和第二偏置电路。
2.根据权利要求1所述的基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器，其特征在于，所述堆叠矩阵放大网络包括至少两路并行的堆叠结构，所述堆叠结构至少由两个晶体管按照源极漏极相连堆叠构成；
所述每路堆叠结构的最底层的晶体管的栅极连接两并联电阻后均分别连接到所述第一偏置电路的栅极旁路电容和所述第二偏置电路的栅极旁路电容，所述最底层晶体管的源极接地，且所述最底层晶体管的栅极通过所述功率分配网络连接到所述输入匹配网络；
所述每路堆叠结构的其余层的晶体管的栅极通过电阻均分别连接到所述第一偏置电路的栅极分压电阻和第二偏置电路的栅极分压电阻，且所述其余层的晶体管的栅极分别连接两路由栅极补偿电阻与栅极补偿电容连接接地组成的补偿电路；
所述每路堆叠结构的最上层的晶体管的漏极通过所述功率合成网络分别连接到所述输出匹配网络与所述第一偏置电路和所述第二偏置电路的漏极馈电电感。
3.根据权利要求2所述的基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器，其特征在于，所述每路堆叠结构在相邻的栅极节点上的补偿电路通过栅极隔离电阻串接。
4.根据权利要求2所述的基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器，其特征在于，所述堆叠矩阵放大网络的每层中堆叠的晶体管的偏置电压不等分，最底层晶体管的偏置电压最低，最上层晶体管的偏置电压最高，其余晶体管的偏置电压介于两者之间。
5.根据权利要求2所述的基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器，其特征在于，所述第一偏置电路和所述第二偏置电路均由栅极旁路电容、栅极分压电阻、漏极馈电电感和漏极旁路电容构成。
6.根据权利要求2所述的基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器，其特征在于，所述堆叠矩阵放大网络包括四路并行的堆叠结构，所述堆叠结构由三个晶体管按照源极漏极相连堆叠构成。
7.根据权利要求5所述的基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器，其特征在于，低压偏置电源分别连接到所述第一偏置电路和所述第二偏置电路的栅极旁路电容上；高压偏置电源分别连接到所述第一偏置电路和所述第二偏置电路的漏极馈电电感和漏极旁路电容上。
8.根据权利要求1所述的基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器，其特征在于，所述输入匹配网络与输出匹配网络均由隔直电容、匹配电容和匹配电感构成。
9.根据权利要求1所述的基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器，其特征在于，所述功率分配网络与功率合成网络均由六段微带线结构构成。
10.根据权利要求1至9任一项所述的基于晶体管堆叠结构的矩阵功率放大器，其特征在于，所述堆叠矩阵放大网络为有源放大网络，所述输入匹配网络、功率分配网络、功率合成网络和输出匹配网络均为无源网络。