1.一种恒流LED驱动电路，包括一体封装的低压驱动芯片模块和功率MOS芯片模块，其特征在于，所述的低压驱动芯片模块具有低压供电端VDD、漏端Drain、接地端GND和栅端GD，所述的低压供电端VDD通过稳压电容接地，所述的接地端GND通过电阻接地，所述的漏端Drain为所述的恒流LED驱动电路的输出端；
所述的功率MOS芯片模块的漏极、源极和栅极分别与所述的低压驱动芯片模块漏端Drain、接地端GND和栅端GD一一对应连接。
2.根据权利要求1所述的恒流LED驱动电路，其特征在于，所述的低压驱动芯片模块中还包括内置的高压启动电路单元和低压控制电路单元，所述的高压启动电路单元包括JFET场效应管、第一高压功率MOS管；
所述的JFET场效应管的栅极接地，所述的JFET场效应管与所述的第一高压功率MOS管共漏极且接于所述的漏端Drain，所述的JFET场效应管的源极分别通过所述的低压控制电路单元、低压供电端VDD与所述的稳压电容相连接，所述的第一高压功率MOS管的栅极和源极均与所述的低压控制电路单元相连接，同时所述的第一高压功率MOS管的栅极接于所述的栅端GD，且所述的第一高压功率MOS管的源极接于所述的接地端GND。
3.根据权利要求2所述的恒流LED驱动电路，其特征在于，所述的JFET场效应管为N沟道JFET场效应管。
4.根据权利要求2所述的恒流LED驱动电路，其特征在于，所述的第一高压功率MOS管为第一NMOS管。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的恒流LED驱动电路，其特征在于，所述的功率MOS芯片模块中包括第二高压功率MOS管，所述的第二高压功率MOS管的漏极接于所述的低压驱动芯片模块的漏端Drain，所述的第二高压功率MOS管的栅极接于所述的低压驱动芯片模块的栅端GD，且所述的第二高压功率MOS管的源极接于所述的低压驱动芯片模块的接地端GND。
6.根据权利要求5所述的恒流LED驱动电路，其特征在于，所述的第二高压功率MOS管为第二NMOS管。