技术特征：
技术总结
本发明提供一种SiC MOSFET一类短路电流抑制电路及方法，包括：逻辑控制单元，驱动单元，短路保护单元以及漏极电压检测单元。本发明通过判断漏极电压是否下降至导通压降来选择开通瞬态的栅极驱动电压，当发生一类短路时，栅极将被钳位在较低的驱动电压，依据功率器件的输出特性，短路电流将被抑制，从而降低了短路故障对器件的冲击，减小了短路损耗，增大了短路耐受时间。此外本发明电路不影响正常开通过程，确保了SiC MOSFET开通瞬态的快速性。
技术研发人员：谭国俊;张经纬;耿程飞;叶宗彬
受保护的技术使用者：徐州中矿大传动与自动化有限公司
技术研发日：2018.12.05
技术公布日：2019.03.19