电子装置及其制造方法与流程

文档序号:22760386发布日期:2020-10-31 09:59阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种电子装置(100),包括

电子部件(110)的阵列,被布置在层堆叠(101)的层上、并且沿着第一轴线a布置,以及

所述层堆叠,被形成为载体(120),所述载体(120)被布置成支撑所述电子部件的阵列,其中所述载体在垂直于所述第一轴线、并且垂直于所述层堆叠的方向上包括第一金属层(130)和第二金属层(140),其中至少部分绝缘的层(150)被布置在所述第一金属层和所述第二金属层之间,以及

至少一个分割部分(160),被布置在两个相邻布置的电子部件之间,以便沿着所述至少一个分割部分的第二轴线b分割所述电子装置,其中所述第二轴线垂直于所述第一轴线延伸,

其中所述第二金属层在所述至少一个分割部分处包括与所述第二轴线相交的至少一个空隙(180),其中所述至少一个空隙具有平行于所述第一轴线延伸的宽度(190),使得在所述第二轴线处,所述第二金属层在平行于所述第一轴线的方向上相对于所述第一金属层被底切。

2.根据权利要求1所述的电子装置,其中所述至少一个空隙的宽度在相邻布置的电子部件之间的距离(l)的0.7倍-1.1倍的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的电子装置,其中所述至少一个空隙的宽度与所述至少部分绝缘的层的厚度负相关。

4.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中所述至少部分绝缘的层的厚度与所述至少一个空隙的宽度的一半的总和为0.1mm-3mm,优选为0.5mm-1.2mm,并且最优选为0.5mm-0.7mm。

5.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中所述至少一个空隙具有矩形形状。

6.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中所述第二金属层包括铝al。

7.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中所述第二金属层的厚度为0.1mm-1.6mm,优选为0.2mm-0.5mm,并且最优选为0.24mm-0.36mm。

8.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中所述至少部分绝缘的层和所述第一金属层中的至少一者在所述至少一个分割部分处包括凹口(310,320)。

9.根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中所述电子部件中的至少一个电子部件包括至少一个发光二极管led。

10.一种电子板(400),包括:

多个根据前述权利要求中任一项所述的电子装置,其中所述电子装置在第一平面中并排布置,使得相邻布置的电子装置的分割部分在所述第一平面中沿着所述第二轴线布置,以用于沿着所述第二轴线分割所述电子板。

11.一种制造电子装置的方法(500),包括以下步骤:

通过以下操作形成层堆叠(101):

在至少部分绝缘的层上布置(510)第一金属层,其中所述第一金属层和所述至少部分绝缘的层沿着第一轴线延伸,

提供(520)第二金属层,所述第二金属层沿着所述第一轴线延伸,并且在所述第二金属层中形成至少一个空隙,所述至少一个空隙具有平行于所述第一轴线延伸的宽度,

沿着所述第一轴线,在所述第一金属层上以阵列布置(530)多个电子部件,以及

在两个相邻布置的电子部件之间形成(540)至少一个分割部分,以便借助于以下布置方式,来沿着所述至少一个分割部分的垂直于所述第一轴线的第二轴线b分割所述电子装置:将所述第二金属层布置在所述至少部分绝缘的层下方,使得所述至少一个空隙与所述第二轴线相交,并且使得在所述第二轴线处,所述第二金属层在平行于所述第一轴线的方向上相对于所述第一金属层被底切。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述至少一个空隙具有矩形形状。

13.根据权利要求11或12所述的方法,其中所述第二金属层包括铝al。

14.根据权利要求11-13中任一项所述的方法,其中所述第二金属层的厚度为0.1mm-1.6mm,优选为0.2mm-0.5mm,并且最优选为0.24mm-0.36mm。

15.根据权利要求11-14中任一项所述的方法,还包括:在所述至少一个分割部分处,在所述至少部分绝缘的层和所述第一金属层中的至少一者中的所述第二轴线处形成至少一个凹口。


技术总结
提供了一种电子装置(100)和制造电子装置的方法。电子装置包括沿着第一轴线A布置的电子部件(110)的阵列,并且包括被布置成支撑该电子部件的阵列的载体(120),其中该载体包括第一金属层(130)、第二金属层(140)以及被布置在第一和第二金属层之间的至少部分绝缘的层(150)。电子装置还包括被布置在两个相邻布置的电子部件之间的分割部分(160),以用于分割电子装置,其中第二金属层包括与第二轴线相交的空隙(180),其中空隙具有平行于第一轴线延伸的宽度(190),使得在第二轴线处,第二金属层在平行于第一轴线的方向上相对于第一金属层被底切。

技术研发人员:林立华;W·奥埃皮特斯
受保护的技术使用者:昕诺飞控股有限公司
技术研发日:2019.03.11
技术公布日:2020.10.30
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