除三元基合金成分 以外而添加的其他金属元素及其的含量而产生变动。
[0067] 另外，优选地，纳米结晶粒合金使用满足下述数学式1的合金。
[0068] 数学式1
[0069] Fe i〇〇-c-d-e-f-g-h^cDdEeS i f BgZh
[0070] 所述数学式1中，A表示从Cu及Au之中选择的至少一种元素，D表示从Ti、Zr、 Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Ni、Co及稀土类元素之中选择的至少一种元素，E表示从Mn、A1、 Ga、Ge、In、Sn及白金族元素之中选择的至少一种元素，Z表示从C、N及P之中选择的至 少一种元素，c、d、e、f、g及h为分别满足关系式0.01彡c彡8at%、0.01彡10at%、 0彡e彡10at%、10彡f彡25at%、3彡g彡12at%、15彡f+g+h彡35at%的数，所述合金 结构的面积比的20%以上由粒径50nm以下的微细结构组成。
[0071] 有关上述的数学式1，A元素用于提高合金的耐腐蚀性，防止结晶粒子的粗大化的 同时，改善铁损或合金的导磁率等的磁特性。A元素的含量太低，则难以取得抑制结晶粒的 粗大化的效果。相反，A元素的含量过多，则磁特性贫化。因此，优选地，A元素的含量在0. 01 至8at%的范围。D元素为对于结晶粒直径的均等化及磁变形的抵减等有效的元素。优选 地，D元素的含量在0. 01至10at%的范围。
[0072] E元素为对合金的软磁特性及耐腐蚀性的改善有效的元素。优选地，E元素的含 量为10at%以下。Si及B为在制造磁性板时促成合金的非晶（amorphous)化的元素。优 选地，Si的含量在10至25at%的范围，B的含量为3至12at%的范围。此外，作为Si及B 以外的促成合金的非晶化的元素也可以将Z元素包含在合金。此时，优选地，Si、B及Z元 素的合计含量在15至35at%的范围。微细结晶结构优选地形成为实现如下结构：粒径为5 至30nm的结晶粒在合金结构中以面积比50至90%的范围存在。
[0073] 此外，用于所述薄板磁性板2的纳米结晶粒合金，例如，可以使用Fe-Si-B-Cu-Nb 合金，此时，优选地，Fe为73-80at %，Si及B的和为15-26 %，Cu和Nb的和为l-5at %。所 述的组成范围可以使制作为带（ribbon)形态的非晶合金通过后述的热处理而容易以纳米 状的结晶粒沉积出。
[0074] 所述保护膜1，例如，可以使用1至50 y m厚度的聚对苯二甲酸乙二醇酯 (Polyethylene Terephthalate，PET)膜、聚酰亚胺（Polyimide)膜、聚醋（polyester)膜、 聚苯硫醚（Polyphenylene sulfide，PPS)膜、聚丙稀（polypropylene，PP)膜、与聚对苯二 甲酸醋（Polyterephthalate，PTFE) -样的氟树脂基膜等的树脂膜11，并且通过第一粘附 层12粘附于薄板磁性板2的一侧面。
[0075] 此外，双面胶带3,例如，将PET (Polyethylene Terephthalate)膜用作基材32并 使用第二及第三粘附层31、33形成于两侧面的双面胶带，并且在第二及第三粘附层31、33 的外侧面粘附有离型膜4。所述离型膜4在制造双面胶带3时一体形成，并且在吸收板10 粘附于电子设备时剥离而消除。
[0076] 双面胶带3可以适用有如上所述的基材的类型，也可以适用没有基材而仅由粘附 层形成的无基材类型。
[0077] 所述第一至第三粘附层12、31、33，例如，可以使用丙烯酸（&(：巧1。）基粘附剂，当 然也可以适用其他种类的粘附剂。
[0078] 用于所述电磁波吸收板10的薄板磁性板2,例如，可以使用每张厚度为10至 35 ym的薄板磁性板。此时，优选地，考虑到对于薄板磁性板2进行热处理之后的处理 (handling)工艺，则薄板磁性板2的厚度设定为25至30 ym。带材的厚度越薄，在热处理 之后进行处理时即使轻微的冲击也会发生带材的破裂现象。
[0079] 优选地，非晶带材2a的多个微细片20具有数十y m~3mm以下的大小。
[0080] 此外，保护膜1可以使用范围在10-30 ym的保护膜，优选地，厚度为20 ym。双面 胶带3可以使用厚度为10、20、30 11111的双面胶带，优选地，厚度为10^111。但是，本发明并非 限定于此，保护膜1和双面胶带3也可以根据需要而使用50 y m-100 y m的厚保护膜。
[0081] 图1中示出的第一实施例的电磁波吸收板10使用一张薄板磁性板2,但是为了提 高电磁波吸收率，如图2所示，也可以将二至四张薄板磁性板22、24层叠而进行使用。将二 至四张薄板磁性板22、24层叠而进行使用时，在层叠的薄板磁性板之间插入粘附层或者双 面胶带，从而防止在进行薄片处理时磁性板的微细片分散。
[0082] 参考图2,根据本发明的优选的第二实施例的电磁波磁性板10a，保护膜1粘附在 二层结构的薄板磁性板22、24的一侧面，所述薄板磁性板22、24的板之间插入有第四粘附 层3a，并且在另一侧面粘附有双面胶带3b及离型膜4。第四粘附层3a也可以使用双面胶 带。
[0083] 所述薄板磁性板22、24与第一实施例相同，使用对非晶合金或者纳米结晶粒合金 的带材进行热处理之后进行薄片处理，从而分离为多个微细片20以及/或者形成裂缝的薄 板磁性板。
[0084] 根据本发明的电磁波吸收板的厚度为30至300 ym，优选地，设定为40至150 ym， 并且使用频带为400MHz至10GHz。此时，吸收板的厚度超过500 ym时，不能适用于追求薄 膜化趋势的便携式终端等。
[0085] 以下，参考图3,对根据本发明的实施例的电磁波吸收板10的制造方法进行说明。
[0086] 首先，利用根据恪融纺丝（melt spinning)的快速凝固法（RSP)制造由非晶合金 或者纳米结晶粒合金形成的非晶带材2a之后S11，为了易于进行热处理的后处理，从而首 选以一定长度进行切割（cutting)并层叠为板形态S12。
[0087] 非晶带材2a为非晶合金的情况下，对Fe基非晶带材，例如，对由Fe-Si-B合金形 成的30 ym以下的极薄型非晶带材，通过利用根据熔融纺丝的快速凝固法（RSP)进行制造， 并且为了得到想要的导磁率，从而对层叠的非晶带材在300°C至600°C的温度范围内进行 30分钟至2小时无磁场热处理S13。
[0088] 此时，热处理气氛的非晶带材2a的Fe含量即使较高，但也是在不发生氧化的温度 范围内进行，由此无需在气氛炉中进行，在大气中进行热处理也无妨。此外，即使在氧化气 氛或者氮气氛中进行热处理，只要是相同的温度条件，则非晶带材的导磁率没有实质上的 差异。
[0089] 上述的热处理温度低于300°C时，存在以下问题：由于制造磁性板时发生的内应 力的消除（stressrelief)无法完全实现，从而无法消除导磁率等的磁特性的不均等，由此 需要长时间进行热处理。超过600°C时，存在以下问题：由于过热处理而在磁性板内部迅速 实现结晶化，由此导磁率显著降低，不能出现想要的导磁率。通常，表现出以下倾向：若热处 理温度低，则需要长时间进行热处理，相反，若热处理温度高，则缩短处理时间。
[0090] 此外，非晶带材2a由纳米结晶粒合金形成时，对Fe基非晶带材，例如，对由 Fe-Si-B-Cu-Nb合金形成的30 ym以下的极薄型非晶带材，利用根据熔融纺丝的快速凝固 法（RSP)进行制造，并且为了得到想要的导磁率，从而对层叠的带材板在300°C至700°C的 温度范围内进行30分钟至2小时无磁场热处理，由此形成形成有纳米结晶粒的纳米结晶粒 带材板S13。
[0091] 此时，热处理气氛中Fe的含量为70at%以上，因此在大气中进行热处理，则形成 氧化，从时间的侧面考虑是非优选的方式，由此优选地方式是在氮气氛中进行。但是，即使 在氧化气氛中进行热处理，只要是相同的温度条件，则板的导磁率没有实质上的差异。
[0092] 此时，热处理温度低于300°C时，存在以下问题：纳米结晶粒未充分生成，从而不 能得到想要的导磁率，并且需要长时间进行热处理。超过700°C时，由于过热处理而存在导 磁率显著降低的问题。优选地，热处理温度低，则所需的处理时间长，相反，热处理温度高， 则缩短处理时间。
[0093] 此外，本发明的非晶带材2a使用厚度在15~35 y m范围的非晶带材，并且非晶带 材2a的导磁率与带材的厚度成比例增加。
[0094] 另外，对所述非晶带材进行热处理，则脆性增强，从而在后续工艺中实施薄片处理 时易于实现薄片。
[0095] 其后，使用一张或者二至四层的多层进行过热处理的非晶带材2a，在一侧粘附保 护