在照射经涂覆的衬底前干燥该衬底上的基质。30.根据权利要求19-27中任一项所述的方法，其中照射经涂覆的衬底包括引导该能量束冲击该图案的轨迹。31.根据权利要求19-27中任一项所述的方法，其中照射经涂覆的衬底包括引导该能量束冲击经涂覆的衬底区域的除该图案的轨迹之外的区域。32.根据权利要求19-27中任一项所述的方法，其中移除该基质包括应用溶剂来移除该衬底上固定图案外的剩余基质。33.根据权利要求19-27中任一项所述的方法，其中移除该基质包括烧蚀该衬底上固定图案外的剩余基质。34.一种制造方法，包括: 对衬底涂覆含有待图案化于该衬底上的材料的基质； 引导能量束冲击除待形成于该衬底上的材料的图案的轨迹之外的、经涂覆的衬底的区域，其中通过该能量束照射增加该区域内的基质的溶解度； 应用溶剂以移除该衬底的该区域中该图案的轨迹外的基质；以及 在移除该基质后，烧结该图案中的材料。35.根据权利要求34所述的方法，其中该基质包括超分子聚合物，以及其中通过该能量束照射引起该超分子聚合物的分解。36.根据权利要求34所述的方法，其中该基质包括潜酸，其通过该能量束的照射而活化。37.根据权利要求34所述的方法，其中该基质包括聚合物，以及其中通过该能量束照射引起该聚合物的水解。38.根据权利要求34-37中任一项所述的方法，其中待图案化的材料包括纳米颗粒。39.根据权利要求34-37中任一项所述的方法，其中烧结该材料包括对该衬底上的图案应用块体烧结工艺。40.一种制造方法，包括: 对衬底涂覆含有待图案化于该衬底上的材料的基质； 用第一能量束照射经涂覆的衬底以在该基质中固定图案，同时通过引导该能量束冲击该图案的轨迹来增加该图案的轨迹内的基质的反射率而不完全烧结该基质中的材料； 通过用能量密度小于该图案的轨迹内的基质的烧蚀阈值的第二能量束照射该基质，烧蚀该衬底上固定图案外的剩余基质而不烧蚀该图案的轨迹；以及烧蚀该基质后，烧结该图案中的材料。41.根据权利要求40所述的方法，其中待图案化的材料包括纳米颗粒。42.根据权利要求40或41所述的方法，其中烧结该材料包括对固定在该衬底上的图案应用块体烧结工艺。43.一种制造方法，包括 对衬底涂覆含有待图案化于该衬底上的金属络合物的基质； 用能量束照射经涂覆的衬底以在该基质中固定图案，同时引起该金属络合物在该基质中形成金属颗粒而不完全烧结该金属颗粒； 移除该衬底上固定图案外的剩余基质； 移除该基质后，烧结该图案中的金属颗粒。44.一种制造系统，包括: 涂覆机，配置为对衬底涂覆含有待图案化于该衬底上的材料的基质； 刻写机，配置为引导能量束冲击图案的轨迹以充分加热该基质从而引起该材料沿该图案的轨迹粘附于该衬底而不完全烧结该轨迹中的材料，由此在该基质中固定该图案；基质移除机，配置为移除衬底上固定图案外的剩余基质；以及烧结机，配置为在移除基质后烧结图案中的材料。45.根据权利要求44所述的系统，其中待图案化的材料包括纳米颗粒。46.根据权利要求44所述的系统，其中该烧结机被配置为对固定在该衬底上的图案应用块体烧结工艺。47.根据权利要求44-46中任一项所述的系统，还包括干燥机，配置为在照射经涂覆的衬底前干燥该衬底上的基质。48.根据权利要求44-46中任一项所述的系统，其中该基质移除机被配置为应用溶剂来移除该衬底上固定图案外的剩余基质。49.一种制造系统，包括 涂覆机，配置为对衬底涂覆含有待图案化于该衬底上的材料的基质； 刻写机，配置为用能量束照射经涂覆的衬底以在该基质的外层中固定图案，而不会固定该基质的块体或烧结该基质中待图案化的材料； 基质移除机，配置为移除该衬底上固定图案外的剩余基质；以及 烧结机，配置为在移除该基质后烧结该图案中的材料。50.根据权利要求49所述的系统，其中该基质包括光敏表面活性添加剂，以及其中通过该刻写机照射经涂覆的衬底活化该添加剂以引起该添加剂在该基质的外层中形成固定图案。51.根据权利要求49所述的系统，其中该涂覆机配置为在该基质之上施加光敏层，以及其中照射经涂覆的衬底活化该光敏层。52.根据权利要求49所述的系统，其中通过该刻写机照射经涂覆的衬底引起该基质的外层的聚合作用或交联作用。53.根据权利要求52所述的系统，其中该涂覆机配置为对该基质施加光引发剂，以及其中照射经涂覆的衬底引起该光引发剂在该外层中释放自由基，其诱发该聚合作用或交联作用。54.根据权利要求52所述的系统，其中通过该刻写机照射经涂覆的衬底引起该外层中的加热，其热诱发该聚合作用或交联作用。55.根据权利要求49-54中任一项所述的系统，其中待图案化的材料包括纳米颗粒。56.根据权利要求49-54中任一项所述的系统，其中该烧结机配置为对固定在该衬底上的图案应用块体烧结工艺。57.根据权利要求49-54中任一项所述的系统，还包括干燥机，配置为在照射经涂覆的衬底前干燥该衬底上的基质。58.根据权利要求49-54中任一项所述的系统，其中该刻写机配置为引导该能量束冲击该图案的轨迹。59.根据权利要求49-54中任一项所述的系统，其中该刻写机配置为引导该能量束冲击经涂覆的衬底区域的除该图案的轨迹之外的区域。60.根据权利要求49-54中任一项所述的系统，其中该基质移除机配置为应用溶剂来移除该衬底上固定图案外的剩余基质。61.根据权利要求49-54中任一项所述的系统，其中该基质移除机配置为烧蚀该衬底上固定图案外的剩余基质。62.一种制造系统，包括: 涂覆机，配置为对衬底涂覆含有待图案化于该衬底上的纳米颗粒的基质； 刻写机，配置为用能量束照射经涂覆的衬底以在该基质中固定图案而不完全烧结该纳米颗粒， 基质移除机，配置为移除该衬底上固定图案外的剩余基质；以及 烧结机，配置为在移除该基质后烧结该图案中的材料。63.根据权利要求62所述的系统，其中该基质包括光敏添加剂，以及其中通过该刻写机照射经涂覆的衬底活化该图案内的添加剂。64.根据权利要求63所述的系统，其中通过照射经涂覆的衬底来活化该基质的外表面并且活化该基质的块体。65.根据权利要求63所述的系统，其中该添加剂的活化引起该图案内的分子成分的二聚作用、聚合作用和交联作用中的至少一种。66.根据权利要求62所述的系统，其中通过该刻写机照射经涂覆的衬底在该基质中释放热能，其引起该图案内的分子成分的聚合作用和交联作用中的至少一种。67.根据权利要求62所述的系统，其中该基质包括酸酐成分和溶剂，以及其中通过该刻写机照射经涂覆的衬底通过选择性地移除图案内的该溶剂来固化该酸酐成分。68.根据权利要求62所述的系统，其中该基质包括醇酸树脂，以及其中通过该刻写机照射经涂覆的衬底引起该醇酸树脂由风干诱发的聚合作用。69.根据权利要求62所述的系统，其中该纳米颗粒包括金属，以及其中通过该刻写机照射经涂覆的衬底引起形成将该金属键合成配体的配位聚合物。70.根据权利要求62所述的系统，其中该基质包括牺牲树脂，以及其中通过该刻写机照射经涂覆的衬底改变树脂的状态以引起纳米颗粒之间的凝聚。71.根据权利要求62-70中任一项所述的系统，其中该烧结机配置为对固定在该衬底上的图案应用块体烧结工艺。72.根据权利要求62-70中任一项所述的系统，还包括干燥机，配置为在照射经涂覆的衬底前干燥该衬底上的基质。73.根据权利要求62-70中任一项所述的系统，其中该刻写机配置为引导该能量束冲击该图案的轨迹。74.根据权利要求62-70中任一项所述的系统，其中该刻写机配置为引导该能量束冲击经涂覆的衬底区域的除该图案的轨迹之外的区域。75.根据权利要求62-70中任一项所述的系统，其中该基质移除机配置为应用溶剂来移除该衬底上固定图案外的剩余基质。76.根据权利要求62-70中任一项所述的系统，其中该基质移除机配置为烧蚀该衬底上固定图案外的剩余基质。77.一种制造系统，包括: 涂覆机，配置为对衬底涂覆含有待图案化于该衬底上的材料的基质； 刻写机，配置为引导能量束冲击除待形成于该衬底上的材料的图案的轨迹之外的、经涂覆的衬底的区域，其中通过该能量束的照射增加该区域内基质的溶解度； 基质移除机，配置为应用溶剂以移除图案的轨迹外的、衬底的该区域内的基质；以及 烧结机，配置为在移除该基质后烧结该图案中的基质。78.根据权利要求77所述的系统，其中该基质包括超分子聚合物，以及其中通过该能量束的照射弓I起该超分子聚合物的分解。79.根据权利要求77所述的系统，其中该基质包括潜酸，其通过该能量束的照射而活化。80.根据权利要求77所述的系统，其中该基质包括聚合物，以及其中通过该能量束的照射引起该聚合物的水解。81.根据权利要求77-80中任一项所述的系统，其中待图案化的材料包括纳米颗粒。82.根据权利要求77-80中任一项所述的系统，其中该烧结机配置为对该衬底上的图案应用块体烧结工艺。83.一种制造系统，包括: 涂覆机，配置为对衬底涂覆含有待图案化于该衬底上的材料的基质； 刻写机，配置为用第一能量束照射经涂覆的衬底以在该基质中固定图案，同时通过引导能量束冲击该图案的轨迹来增加该图案的轨迹内的基质的反射率而不完全烧结该基质中的材料；以及 基质移除机，配置为通过用能量密度小于该图案的轨迹内的基质的烧蚀阈值的第二能量束照射该基质，烧蚀该衬底上固定图案外的剩余基质而不烧蚀该图案的轨迹， 其中在该基质被烧蚀后，该图案中的材料被烧结。84.根据权利要求83所述的系统，其中待图案化的材料包括纳米颗粒。85.根据权利要求83或84所述的系统，还包括烧结机，配置为对固定在该衬底上的图案应用块体烧结工艺。86.一种制造系统，包括: 涂覆机，配置为对衬底涂覆含有待图案化于该衬底上的金属络合物的基质； 刻写机，配置为用能量束照射经涂覆的衬底以在该基质中固定图案，同时引起该金属络合物在该基质中形成金属颗粒而不完全烧结该金属颗粒； 基质移除机，配置为移除该衬底上固定图案外的剩余基质；以及 烧结机，配置为在移除该基质后，烧结该图案中的材料。
【专利摘要】一种制造方法，包括对衬底(22)涂覆含有待图案化于该衬底上的材料的基质(28)。通过引导能量束冲击经涂覆的衬底以在该基质中固定图案(42)而不完全烧结该图案。移除衬底上固定图案外的剩余基质，以及在移除基质后烧结该图案中的材料。
【IPC分类】H05K3/02, B05D5/12, B05D3/06, H05K3/12, G03F7/40, G03F7/20, H05K3/22, G03F7/30, H05K1/09
【公开号】CN105009695
【申请号】CN201480009274
【发明人】M.泽诺, M.奥尔特曼, C.罗特曼, Z.科特勒
【申请人】奥博泰克有限公司
【公开日】2015年10月28日
【申请日】2014年2月18日
【公告号】EP2957155A1, WO2014125470A1