括用于外界50/60HZ交流电源连接的接头JP1、共模电感T1、差模电感T2、热敏电阻NTCl、熔断器F1、电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、电阻Rl和电阻R2 ;所述共模电感Tl的一输入端分别与电容Cl的一端以及热敏电阻NTCl的一端电连接，所述共模电感Tl的另一输入端分别与电容Cl的另一端以及熔断器Fl的一端电连接；所述共模电感Tl的一输出端分别与电容Cl的一端、电阻Rl的一端以及共模电感T2的一输入端电连接，另一输出端分别与电容Cl的另一端、电阻R2的一端以及共模电感T2的另一输入端电连接；其中，所述电阻Rl的另一端与电阻R2的另一端电连接；所述共模电感T2的一输出端与电容C3的一端电连接，另一端与电容C4的一端电连接；其中，所述电容C3的另一端与电容C4的另一端电连接；所述接头JPl分别与热敏电阻NTCl的另一端、熔断器Fl的另一端以及电容C3与电容C4的连接节点电连接；差模电感T2的一输出端与电容C3的正极的连接节点以及差模电感T2的一输出端与电容C4的负极的连接节点与整流电路连接。
[0018]所述的整流电路为二极管D1、二极管D2、二极管D3和二极管D4构成的桥式整流电路，差模电感T2的一输出端与电容C3的正极的连接节点分别与二极管D2的正极以及二极管D3的负极电连接，差模电感T2的一输出端与电容C4的负极的连接节点分别与二极管D2的正极以及二极管D4的负极电连接；其中，所述二极管Dl的负极与二极管D2的负极电连接，所述二极管D3的正极与二极管D4的正极电连接；二极管Dl的负极与二极管D2的负极的连接节点以及二极管D3的正极与二极管D4的正极连接节点分别与无源滤波器电连接。
[0019]所述无源滤波器包括二极管D5、二极管D6、二极管D7、电容C5和电容C6 ;二极管Dl的负极与二极管D2的负极的连接节点分别与电容C5的正极以及二极管D5的负极电连接，二极管D3的正极与二极管D4的正极连接节点分别与二极管D7的正极以及电容C6的负极电连接；其中，所述的二极管D6的正极分别与电容C5的负极以及二极管D7的负极电连接，二极管D6的负极分别与二极管D5的正极以及电容C6的正极电连接；电容C5的正极与二极管D5的负极的连接节点以及电容C6的负极与二极管D7的正极的连接节点还与高频发生器电连接。
[0020]所述高频发生器包括触发电路和自激振荡电路；所述触发电路包括电容C7、电容C8、电容C9、电容C10、电阻R3、电阻R4、双向触发二极管D12、双向触发二极管D13、双向触发二极管D14、双向触发二极管D15和双向触发二极管D16 ;所述自激振荡电路包括电容(:11、电容(:12、电容(:13、电阻1?5、电阻1?6、耦合变压器T3、稳压二极管D8、稳压二极管D9、稳压二极管D10、稳压二极管DlUMOS管Ql和MOS管Q2 ;其中，电容C5的正极与二极管D5的负极的连接节点分别与电阻R3的一端、电容C7的一端、电容C8的一端以及MOS管Ql的漏极电连接；其中，电容C6的负极与二极管D7的正极的连接节点分别与电容C9的一端、电容C7的另一端、电容C8的另一端、MOS管Q2的源极以及电容ClO的一端电连接；所述电阻R3的另一端分别与电容C9的另一端以及电阻R4的一端电连接，电阻R4的另一端分别与双向触发二极管D16的一端以及电容ClO的另一端电连接，其中，所述双向触发二极管D16的另一端与双向触发二极管D15的一端电连接；所述双向触发二极管D15的另一端与双向触发二极管D14的一端电连接，所述双向触发二极管D14的另一端与双向触发二极管D13的一端电连接，所述双向触发二极管D14的另一端与双向触发二极管D12的一端电连接；所述耦合变压器T3包括第一绕组N1、第二绕组N2和第三绕组N3 ;所述第一绕组NI的一端分别与第二绕组N2的一端、电容C12的一端、电阻R6的一端、稳压二极管DlO的负极以及稳压二极管Dll的负极电连接，另一端分别与电容C13的一端以及双向触发二极管D12的另一端电连接；第二绕组N2的另一端分别与电容C12的另一端、稳压二极管DlO的正极以及MOS管Q2的栅极电连接，所述稳压二极管Dll的正极与MOS管Q2的源极电连接；所述第三绕组N3的一端与电容Cll的一端、电阻R5的一端、稳压二极管D8的正极以及MOS管Ql的栅极电连接，所述第三绕组N3的另一端与电容Cll的另一端、电阻R5的另一端、稳压二极管D8的负极以及稳压二极管D9的负极电连接，所述稳压二极管D9的正极分别与MOS管Ql的源极和MOS管Q2的漏极电连接；其中，电容C13的另一端、MOS管Q2的漏极与MOS管Ql的源极的连接节点以及电容C9与电容ClO的连接节点与谐振电路电连接。
[0021]所述谐振电路包括电感L1、电感L2、电容C14、电容C15以及电容C16 ;所述电容C13的另一端分别与电感LI的一端、电容C14的一端以及电容C16的一端电连接，所述MOS管Q2的漏极与MOS管Ql的源极的连接节点与电感L2的一端电连接，其中，所述电感LI的另一端与电感L2的另一端电连接；所述电容C9与电容ClO的连接节点分别与电容C15的一端、高频无极灯的一端电连接，其中，所述电容C15的另一端与电容C14的另一端电连接；所述高频无极灯的另一端与电容C16的另一端电连接。
[0022]本发明的中各部分结构的工作原理分析如下:采用了附图2所述的EMI滤波器，该EMI滤波器由对差模信号起滤波的电容Cl，C2，对共模干扰信号起滤波的电容C3，C4，共模扼流圈Tl，差模扼流圈T2，热敏电阻NTCI，熔断器Fl，电阻R1，R2组成。其中Cl，C2，Tl对共模干扰起到抑制作用；C3，C4，T2对差模干扰起到抑制作用；R1，R2为差模电容的释放电阻，NTC为热敏电阻起到电路的浪涌保护作用，Fl为熔断器，做到了同时可抑制干扰源产生的共模干扰和差模干扰，同时阻止电路产生的电磁干扰辐射到电网中；可以有效的抑制来自电网的干扰，同时也对电路本身产生的干扰有一定的抑制作用，可起到双向隔离的作用。
[0023]采用了附图3所述的整流电路，该电路由整流二极管Dl，D2，D3，D4组成，二极管Dl, D4
组成一对桥臂，D2，D3组成一对桥臂，在电压负半周Dl，D4导通，电压正半周D2，D3导通，通过两个桥臂的轮流导通将交流电转换为直流电。
[0024]无源滤波器的电路如图4所示，由整流二极管D5，D6，D7及电容C5，C6组成。本申请中采用了成本较低的无源功率校正电路，在交流电正半周，交流电通过C5，D6，C6的串联电路对C5，C6充电。当交流电压达到峰值时电容C5，C6电压等于峰值电压，DS, D7截止。在交流电压从峰值开始下降时D6截至，停止对C5和C6充电。电压下降至峰值电压的1/2时D5，D7导通，电容C5，C6对D5，D7组成的并联电路放电。电路在交流电正半周电压对负载、C5和C6供电，在交流电负半周C5，C6对负载并联放电，从而保持了负载电流的恒定。综上所述在每半个工作周期内，通过增大二极管的导通角，来缩短电源电压的过零死区时间，其电流波形就会接近连续并且近似于正弦波，这样输入电流就会跟随电源电压变化曲线，从而将电路的功率因数提高到0.9以上。无源滤波器采用电感、电容的调谐原理，将谐波消除在滤波器中，无源滤波器结构简单，成本低，技术比较成熟，满足本电路低成本小体积的要求。
[0025]高频发生器的电路如附图5所示，高频发生器由触发电路和自激震荡电路组成，其结构简单，自激震荡电路元件少，无需控制电路，所以电路结构简单成本较低。其中，触发电路由电容C7，C8，C9，ClO和电阻R3，R4以及双向二极管D12，D13，D14，D15，D16组成。C7，C8，C9为旁路电容用以滤除电路中的旁路干扰。ClO为储能电容为触发电路提供触发能量。当加载直流电时，ClO开始储能，当电压达到额定值时则双向二极管导通，并为高频发生电路提供触发电压。其中，高频发生电路由电容Cll，C12，C13，电阻R5，R6，藕合变压器T3，稳压二极管D8，D9，D10，Dll，MOS管Ql，Q2组成。Q1，Q2起到开关作用。藕合变压器T3起到频率选择和能量祸合的作用。Cll，C12，R5，R6起到钳位吸收保护MOS管Ql和Q2的作用。稳压二极管起到稳压作用，保护Ql和Q2栅极和源极之间的电压。当触发电路的电压达到额定电压时，电容C13和耦合变压器线圈组成了自激震荡电路，震荡电路将能量通过耦合变压器T3耦合到Ql和Q2并推动