初级两端连接第一定值电阻R5的两端。
[0024]本发明实施例通过偏置电路与功率放大电路中射频MOSFET的栅极连接，控制电路与偏置电路连接，控制电路通过偏置电路控制射频MOSFET的偏置电压，进而控制射频MOSFET开启或关闭，使功率放大电路在发送发射信号时射频MOSFET开启，发射信号发送结束时射频MOSFET关闭，防止功率放大电路中的发射信号影响前置放大电路对回波信号的接收，提高了回波信号检测精准。
[0025]图2为本发明实施例提供的驱动器的电路图；图3为本发明实施例提供的射频集成放大器的电路图；图4为本发明实施例提供的射频集成放大器的另一电路图。在上述实施例的基础上，第一耦合变压器Tl的次级两端分别通过第一电容Cl和第二电容C2连接第一射频MOSFET A2的栅极和第二射频MOSFET A3的栅极；第二耦合变压器T2的次级两端分别通过第三电容C3和第四电容C4连接第三射频MOSFET A4的栅极和第四射频MOSFET A5的栅极。
[0026]如图2所示，上述实施例中的第一驱动器A6包括驱动芯片EL7202CS、驱动电阻R6和驱动电容C，其中，驱动芯片EL7202CS的输入端与控制电路通过控制端Pl连接，驱动芯片EL7202CS的输出端与第一滑动变阻器Rl的固定端连接，驱动电阻R6的一端连接驱动芯片EL7202CS的输入端，驱动电阻R6的另一端接地，驱动电容C的一端与驱动芯片EL7202CS的电源引脚连接，驱动电容C的另一端接地；第二驱动器A7、第三驱动器AS和第四驱动器A9与第一驱动器A6结构相同。
[0027]如图3所示，上述实施例中的射频集成放大器Al包括射频集成放大芯片MAV-11SM、第二定值电阻R7和第五电容C5，射频集成放大芯片MAV-1ISM的输入端连接第五电容C5的一端，第五电容C5的另一端分别连接功率放大电路的输入端P2和第二定值电阻R7的一端，第二定值电阻R7的另一端接地，射频集成放大芯片的输出端连接第一定值电阻R5的一端，第一定值电阻R5的另一端接地。
[0028]如图4所示，第一定值电阻R5接地的一端还连接并联电路，并联电路包括第六电容C6、第七电容C7、电感L和第三定值电阻R8，第七电容C7和电感L串联，第六电容C6与串联的第七电容C7和电感L并联，第三定值电阻R8与第七电容C7并联。
[0029]在本发明实施例中，输入端P2输入的发射信号功率范围在13dbm以内，第一定值电阻R5、第二定值电阻R7、第三定值电阻R8的阻值均为50欧姆。
[0030]本发明实施例通过射频MOSFET的栅极连接电容，保证了射频MOSFET具有稳定的偏置电压，并提供了驱动器与射频集成放大器的具体结构。
[0031]图5为本发明实施例提供的控制信号与发射信号的波形图。在上述实施例的基础上，控制电路输出控制信号，控制信号用于控制第一射频MOSFET A2、第二射频MOSFET A3、第三射频MOSFET A4和第四射频MOSFET A5开启或关闭。
[0032]如图5所示，控制信号Kl为脉冲信号，当脉冲信号Kl为高电平时，第一射频MOSFET A2、第二射频MOSFET A3、第三射频MOSFET A4和第四射频MOSFET A5开启，当脉冲信号Kl为低电平时，第一射频MOSFET A2、第二射频MOSFET A3、第三射频MOSFET A4和第四射频MOSFET A5关闭。
[0033]如图1所示，控制电路通过控制端Pl输入控制信号K1，脉冲信号Kl为高电平时，第一驱动器A6、第二驱动器A7、第三驱动器AS和第四驱动器A9输出电流，该电流流经第一滑动变阻器RU第二滑动变阻器R2、第三滑动变阻器R3和第四滑动变阻器R4后，第一滑动变阻器RU第二滑动变阻器R2、第三滑动变阻器R3和第四滑动变阻器R4对该电流进行分压，第一射频MOSFET A2、第二射频MOSFET A3、第三射频MOSFET A4和第四射频MOSFET A5产生偏置电压，使第一射频MOSFET A2、第二射频MOSFET A3、第三射频MOSFET A4和第四射频MOSFET A5导通即开启。脉冲信号Kl为低电平时，第一驱动器A6、第二驱动器A7、第三驱动器AS和第四驱动器A9不输出电流，第一滑动变阻器R1、第二滑动变阻器R2、第三滑动变阻器R3和第四滑动变阻器R4没有分压，第一射频MOSFET A2、第二射频MOSFET A3、第三射频MOSFET A4和第四射频MOSFET A5的栅极和源极同时接地，即第一射频MOSFET A2、第二射频MOSFET A3、第三射频MOSFET A4和第四射频MOSFET A5没有偏置电压，第一射频MOSFET A2、第二射频MOSFET A3、第三射频MOSFET A4和第四射频MOSFET A5关闭。
[0034]如图5所示，脉冲信号Kl的上升沿时刻比发射信号K2的出现时刻早预定时间间隔Ty脉冲信号Kl的下降沿时刻与发射信号K2的结束时刻为同一时刻，发射信号K2由功率放大电路的输入端P2输出。
[0035]本发明实施例中，I；在50ns到10ns之间。
[0036]本发明实施例通过脉冲信号为高电平控制射频MOSFET开启，脉冲信号为低电平控制射频MOSFET关闭，发射信号只在脉冲信号高电平时出现，保证发射信号发射间隔内功率放大电路断开，防止功率放大电路中的发射信号影响前置放大电路对回波信号的接收，提高了回波信号检测精准。
[0037]图6为本发明实施例提供的功率放大电路的增益随发射信号的频率变化的示意图。本发明实施例的功率放大电路采用图1所示的电路图，如图6所示，功率放大电路的增益稳定在50dB左右，并不随发射信号频率的增加而产生较大波动，说明本发明实施例提供的在线核磁共振宽频射频信号功率放大电路在保证功率放大电路增益稳定的基础上，通过控制射频MOSFET开启或关闭来实现功率放大电路的通断。
[0038]综上所述，本发明实施例通过偏置电路与功率放大电路中射频MOSFET的栅极连接，控制电路与偏置电路连接，控制电路通过偏置电路控制射频MOSFET的偏置电压，进而控制射频MOSFET开启或关闭，使功率放大电路在发送发射信号时射频MOSFET开启，发射信号发送结束时射频MOSFET关闭，防止功率放大电路中的发射信号影响前置放大电路对回波信号的接收，提高了回波信号检测精准；通过射频MOSFET的栅极连接电容，保证了射频MOSFET具有稳定的偏置电压，并提供了驱动器与射频集成放大器的具体结构；通过脉冲信号为高电平控制射频MOSFET开启，脉冲信号为低电平控制射频MOSFET关闭，发射信号只在脉冲信号高电平时出现，保证发射信号发射间隔内功率放大电路断开，防止功率放大电路中的发射信号影响前置放大电路对回波信号的接收，提高了回波信号检测精准。
[0039]在本发明所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
[0040]所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
[0041]另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以