12连接，热流束流转换电路24还与电压信号处理电路10连接。
[0034]本实用新型的X射线电源控制板上还集成有电源转换电路，与所述X射线电源控制板上所有的电路连接。
[0035]本实用新型中，为了加强散热，防止控制板过热烧坏，在电压推挽电路13和电流推挽电路23位置处，安装有散热器。
[0036]图2为具体实施例中高压电压控制电路和灯丝电流控制电路的电路图。
[0037]在具体实例中，本实用新型的X射线电源控制板可以设计为如图2所示的结构。
[0038]电压信号处理电路10，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R13、电阻R14、电阻R19、电阻R20、电阻R28、电阻R29、电阻R30、电容Cl、电容C2、电容C3、电容C4、运算放大器IC6A、运算放大器IC2A、NPN型三极管Q3、瞬变二极管Dl和一个发光二极管D21。发光二极管D21可以用作为X射线指示灯。
[0039]电压反馈信号经过电阻Rl输入至运算放大器IC6A的同相输入端，运算放大器IC6A的反相输入端分别与电阻R28的一端和电阻R29的一端连接，其中电阻R28的另一端接地，电阻R29的另一端接+12V电压，运算放大器IC6A的正、负电源端分别接+12V电压以及接地，运算放大器IC6A的输出端分别与电阻R30的一端和电阻R14的一端连接以及接入热流束流转换电路24，电阻R30的另一端接+12V电压，电阻R14的另一端连接三极管Q3的基极，三极管Q3的发射极接地，三极管Q3的集电极与二极管D21的负极连接，二极管D21的正极与电阻R13串接后接入+12V电压；电压反馈信号还分别输入至二极管Dl的负极、电容Cl的一端、电阻R2的一端、电阻R5的一端以及电阻R19的一端，其中二极管Dl的正极、电容Cl的另一端以及电阻R2的另一端汇合后接地；电阻R5的另一端与运算放大器IC2A的同相输入端连接，运算放大器IC2A的反相输入端和输出端均与电阻R3的一端连接，电阻R3的另一端与电阻R4串接后接地，其中电阻R4还与电容C2并联;运算放大器IC2A的正、负电源端分别接+12V电压以及接地；电阻Rl9的另一端分别与电阻R20的一端以及电容C3的一端连接，电阻R20的另一端接入电压PWM电路12中，电容C3的另一端分别接地以及与电容C4的一端连接，电容C4的另一端接入电压PWM电路12中。其中电阻R3的另一端除与电阻R4连接外，还与X射线发生器控制箱的前面板连接，用来显示电压值。
[0040]过压比较电路11包括电阻R9、电阻R10、电阻R15、电阻R16、电阻R58、电容C8、运算放大器IC4B、NPN型三极管QUNPN型三极管Q4、稳压二极管D4、二极管D3和一个发光二极管D22，发光二极管D22可以用作为过压指示灯。
[0041]电容CS的一端和运算放大器IC4B的同相输入端均与电压信号处理电路10中运算放大器IC6A的同相输入端连接，电容CS的另一端接地，运算放大器IC4B的反相输入端分别与二极管D4的负极和电阻Rl 6的一端连接，二极管D4的正极接地，电阻Rl 6的另一端接入+12V电压;运算放大器IC4B的输出端分别与电阻R15的一端、电阻RlO的一端以及电阻R58的一端连接，电阻R15的另一端接入+12V电压，电阻RlO的另一端与三极管Ql的基极连接，三极管Ql的发射极接地，三极管Ql的集电极与二极管D22的负极连接，二极管D22的正极与电阻R9串接后接入+12V电压；电阻R58的另一端与二极管D3的正极连接，二极管D3的负极分别与三极管Q4的基极连接以及接入过流比较电路21，三极管Q4的发射极接地，三极管Q4的集电极接入电压PWM电路12中。
[0042]电压PffM电路12包括电阻R18、电阻R21、电阻R23、电容C5、有极性电容C6、有极性电容C11、有极性电容C12、有极性电容C13、电容C14、集成电路芯片IC5、开关S1、可变电阻RWl和可变电阻RW2 ο其中开关SI可作为X射线开关。
[0043]电压信号处理电路10的电阻R20的另一端分别与集成电路芯片IC5的第二管脚以及电阻R21的一端连接，电阻R21的另一端与电容C5的一端连接，电容C5的另一端分别与电容C4、集成电路芯片IC5的第三管脚连接以及接入主回路过流保护电路14;集成电路芯片IC5的第一管脚分别与可变电阻RWl的可变接线端和电容Cll的正极连接，可变电阻RWl的两个固定接线端分别与集成电路芯片IC5的第十八管脚连接以及接地；电容CU的负极接地；集成电路芯片IC5的第十八管脚还与电容C12的正极连接，电容C12的负极接地;集成电路芯片IC5的第四管脚与电容C6的正极连接，电容C6的负极分别与可变电阻RW2的一个固定接线端、电容C4的一端连接以及接地;可变电阻RW2的另一个固定接线端和可变接线端与集成电路芯片IC5的第九管脚连接，电容C4的另一端与集成电路芯片IC5的第十管脚连接;集成电路芯片IC5的第五管脚和第八管脚以及过压比较电路11中三极管Q4的集电极均与电阻R23的一端连接，电阻R23的另一端接地;三极管Q4的集电极还与电阻Rl 8的一端连接，电阻Rl 8的另一端与开关SI的一端连接，开关SI的另一端与可变电阻RWl的固定接线端连接后接地；集成电路芯片IC5的第六管脚和第七管脚均接地;集成电路芯片IC5的第十四管脚和第十七管脚均分别与电容C13的正极连接以及接入+12V电压，集成电路芯片IC5的第^^一管脚和第十五管脚均分别与电容C13的负极连接以及接地;集成电路芯片IC5的第十二管脚与电流PffM电路22连接;集成电路芯片IC5的第十三管脚和第十六管脚均与电压推挽电路13连接。
[0044]电压推挽电路13包括电阻R33、电阻R34、电阻R35、电阻R36、电阻R55、电阻R56、电容C36、电容C37、稳压二极管D7、稳压二极管D8、耗尽型N型场效应管Q9、耗尽型N型场效应管Q10、电感线圈L2和电感线圈L3。
[0045]电阻R35的一端与电压PffM电路12中集成电路芯片IC5的第十三管脚连接，电阻R35的另一端分别与电阻R36的一端、二极管D8的负极和场效应管QlO的栅极连接，电阻R36的另一端和二极管D8的正极汇合后均接地，场效应管QlO的源极与电感线圈L3的一端连接，电感线圈L3的另一端接地;场效应管QlO的漏极分别与电阻R56的一端连接以及接入主回路过流保护电路14，电阻R56的另一端与电容C37串接后接地；电阻R33的一端与电压HVM电路12中集成电路芯片IC5的第十六管脚连接，电阻R33的另一端分别与电阻R34的一端、二极管D7的负极和场效应管Q9的栅极连接，电阻R34的另一端和二极管D7的正极汇合后均接地，场效应管Q9的源极与电感线圈L2的一端连接，电感线圈L2的另一端接地;场效应管Q9的漏极分别与电阻R55的一端连接以及接入主回路过流保护电路14，电阻R55的另一端与电容C36串接后接地。
[0046]主回路过流保护电路14包括电阻R46、电阻R47、电阻R48、电阻R49、电阻R50、电容C26、电容C27、电容C28、电容C29、二极管D12、稳压二极管D13、稳压二极管D14、二极管D15、二极管D16、电流互感器Q13、电流互感器Q12、运算放大器IC9A和运算放大器IC9B。
[0047]电压推挽电路13中场效应管Q9的漏极还与电流互感器Q13的较少绕组的其中一端相连，图2中电流互感器Q12和电流互感器Q13较少绕组的绕组数均为一匝，电流互感器Q13的较少绕组的另一端连接X射线发生器的高压变压器;电流互感器Q13的较多绕组的其中一端接地，电流互感器Q13的较多绕组的另一端与二极管D16的正极连接，二极管D16的负极与电阻R49串接后接地；电压推挽电路13中场效应管Q1的漏极还与电流互感器Ql 2的较少绕组的其中一端相连，电流互感器Q12的较少绕组的另一端连接X射线发生器的高压变压器；电流互感器Q12的较多绕组的其中一端接地，电流互感器Q12的较多绕组的另一端与二极管D15的正极连接，二极管D15的负极分别与电阻R49的一端、二极管D13的负极以及电阻R47的一端连接，电阻R49的另一端接地，二极管D13的另一端接地，