1.一种微硅麦克风，包括振动膜层，其特征在于，所述振动膜层包括振动梁和振动膜，振动梁围绕振动膜的边缘均匀布设，振动梁的一端固定在振动膜的边缘，振动梁的另一端固定在支撑结构上。
2.如权利要求1所述的微硅麦克风，其特征在于，所述振动梁围绕所述振动膜边缘均匀布设，与振动膜边缘垂直连接，所述振动梁一端伸入振动膜边缘与振动膜表面平滑连接。
3.如权利要求1所述的微硅麦克风，其特征在于，所述振动梁包括第一振动梁和镜像设置的第二振动梁，所述第一振动梁和第二振动梁成组设置，围绕所述振动膜边缘均匀布设。
4.如权利要求1所述的微硅麦克风，其特征在于，所述振动梁包括弯折。
5.如权利要求3或4所述的微硅麦克风，其特征在于，所述振动梁呈L型弯折，包括两个相交的条形支撑，其中一个条形支撑与振动膜边缘垂直连接，另一个条形支撑固定在支撑结构上。
6.如权利要求1至5任一所述微硅麦克风，其特征在于，还包括与所述振动膜层间隔设置的电容层，所述电容层和所述振动膜层相邻的表面布设隔离凸点，所述电容层和所述振动膜层相背的表面覆盖背板结构层，所述电容层和所述背板结构层上开设通孔。
7.一种微硅麦克风的制造方法，包括：
硅基片顶部顺序形成绝缘层、振动膜层、牺牲层、电容层和背板结构层；
在硅基片底部形成露出绝缘层的背腔；
在电容层和背板结构层上布设通孔；
通过通孔和/或背腔去除部分绝缘层和牺牲层。
8.如权利要求7所述的微硅麦克风的制造方法，其特征在于，所述绝缘层为氧化硅，所述振动膜层为多晶硅，所述牺牲层为氧化硅，所述电容层为多晶硅，所述背板结构层为氮化硅。
9.如权利要求7所述的微硅麦克风的制造方法，其特征在于，所述形成振动膜层，包括在振动膜层的边缘形成分布的固定梁。
10.如权利要求7所述的微硅麦克风的制造方法，其特征在于，所述形成牺牲层，包括在牺牲层表面形成中部的工艺盲孔和边缘的工艺通孔。
11.如权利要求10所述的微硅麦克风的制造方法，其特征在于，所述形成电容层，包括在电容层与牺牲层结合的底面，利用工艺盲孔形成隔离凸点，利用工艺通孔形成电容层与振动膜层的连接体。
12.如权利要求7所述的微硅麦克风的制造方法，其特征在于，所述背板结构层边缘的所述通孔使得电容层的边缘部分露出形成压焊位置，在压焊位置形成金属压焊点。