1.一种键合基板，包括由铜或铜基合金制成的用于键合导线(5)的接触焊盘(4a)，
所述接触焊盘(4a)覆盖有腐蚀抑制剂层，其包含含氮的脂烃作为活性物质，以及含氮的杂环芳香族化合物作为另一活性物质，
其特征在于，在不含水分的情况下，所述腐蚀抑制剂层含有
5％重量或更多的脲衍生物，或
3％重量或更多的三苯基胍，或
2％重量或更多的四唑衍生物，或
5％重量或更多的1-h-苯并三唑，或
5％重量或更多的苯并咪唑。
2.根据权利要求1所述的键合基板，其特征在于，所述腐蚀抑制剂层含有比杂环芳族化合物更多的脂烃。
3.根据上述权利要求中任一项所述的键合基板，其特征在于，在不含水分的情况下，所述腐蚀抑制剂层由至少10％重量的一种或多种以下物质组成：脲衍生物、苯胺衍生物、三苯基胍、苯基脲、异硫氰酸根合苯和/或四唑衍生物。
4.根据上述权利要求中任一项所述的键合基板，其特征在于，在不含水分的情况下，所述腐蚀抑制剂层包含至少10％重量的四唑衍生物。
5.根据上述权利要求中任一项所述的键合基板，其特征在于，所述四唑衍生物是1-苯基-1h-四唑-5-硫醇和/或1-苯基-1h-四唑-5-硫醇钠。
6.根据上述权利要求中任一项所述的键合基板，其特征在于，在不含水分的情况下，所述腐蚀抑制剂层包含至少8％重量的1-h-苯并三唑和/或苯并咪唑。
7.根据权利要求1到6中任一项所述的键合基板，其特征在于，所述腐蚀抑制剂层的ph值小于4.0。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的键合基板，其特征在于，所述腐蚀抑制剂层的ph值为9至12。
9.根据权利要求7或8所述的键合基板，其特征在于，在不含水分的情况下，所述腐蚀抑制剂层包含至少1％重量的磷酸盐。
10.根据上述权利要求中任一项所述的键合基板，其特征在于，在不含水分的情况下，所述腐蚀抑制剂层由至少10％重量的一种或多种以下物质组成：苯并咪唑、乙二醇异丙醚、苯胺、异硫氰酸根合苯、1-h-苯并三唑和双酚a聚氧乙烯醚。
11.根据上述权利要求中任一项所述的键合基板，其特征在于，所述腐蚀抑制剂层的厚度不大于400nm。
12.一种电子模块，具有框架(2)，所述框架具有隔室(3)，在所述隔室中布置有根据上述权利要求中任一项所述的键合基板(4)。
13.一种用于保护由铜或或铜基合金制成的提供用于引线键合的表面免受腐蚀的方法，其特征在于，所述表面覆盖有有机腐蚀抑制剂层，所述有机腐蚀抑制剂层包含含氮的脂烃作为活性物质，以及含氮的杂环芳香族化合物作为另一活性物质层，其中，在不含水分的情况下，所述腐蚀抑制剂层含有5％重量或更多的脲衍生物，或3％重量或更多的三苯基胍，或2％重量或更多的四唑衍生物，或5％重量或更多的1-h-苯并三唑，或5％重量或更多的苯并咪唑。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述腐蚀抑制剂层以水溶液形式来施加。