1.经涂覆的基底，其中涂层从基底(1)开始按下列顺序包含：
a.类金刚石碳层(2)，
b.金属单片或多片层(3)，和
c.阻氧层(4)，
其中所述金属单片或多片层(3)含有
b1)锡；或锡和至少一种用于锡的合金元素，它们未成合金和/或成合金地存在，且所述金属单片或多片层(3)中的锡比例为50原子%至100原子%，
或含有
b2)镁和至少一种用于镁的合金元素，它们未成合金和/或成合金地存在，且所述金属单片或多片层(3)中的镁比例为50原子%至99原子%。
2.根据权利要求1的经涂覆的基底，其中所述至少一种用于锡的合金元素选自锑、铜、铅、银、铟、镓、锗或其组合，优选选自铜、银、铟或其组合，和/或
其中所述至少一种用于镁的合金元素选自铝、铋、锰、铜、镉、铁、锶、锆、钍、锂、镍、铅、银、铬、硅、锡、钆、钇、钙、锑或其组合，优选选自铝、锰、铜、硅或其组合。
3.根据权利要求1或权利要求2的经涂覆的基底，其中所述金属单片或多片层(3)中的b1)锡或锡和至少一种用于锡的合金元素的比例或b2)镁和至少一种用于镁的合金元素的比例为90原子%至100原子%，优选95原子%至100原子%。
4.根据权利要求1至3任一项的经涂覆的基底，其中所述金属单片或多片层(3)中的锡比例为60原子%至100原子%，优选70原子%至100原子%，更优选80原子%至100原子%，特别是90原子%至100原子%，或其中所述金属单片或多片层(3)中的镁比例为50原子%至99原子%，优选60原子%至95原子%。
5.根据权利要求1至4任一项的经涂覆的基底，其中所述金属单片或多片层(3)含有锡、锡合金或镁合金，优选镁与铝和/或铜的合金或由其构成，其中所述金属层(3)优选是单片的。
6.根据权利要求1至4任一项的经涂覆的基底，其中所述金属单片或多片层(3)由两个、三个或更多个层片形成，
其中交替布置一个或多个含锡的层片和一个或多个含有至少一种用于锡的合金元素的层片，所述合金元素优选选自铜、银和/或铟，或
其中交替布置一个或多个含镁的层片和一个或多个含有至少一种用于镁的合金元素的层片，所述合金元素优选选自铝和/或铜。
7.根据前述权利要求任一项的经涂覆的基底，其中所述阻氧层(4)中的锡或镁的比例在每种情况下为<10原子%，优选<5原子%，特别<2原子%。
8.根据前述权利要求任一项的经涂覆的基底，其中所述阻氧层(4)含有碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氮化物、金属碳化物或其组合或由其构成，其中si3n4和/或掺杂si3n4是优选的，且被zr、ti、hf和/或b掺杂的si3n4是特别优选的。
9.根据前述权利要求任一项的经涂覆的基底，其中所述阻氧层(4)具有10至100nm，优选20至80nm的层厚度。
10.根据前述权利要求任一项的经涂覆的基底，其中所述涂层进一步包含在基底(1)和类金刚石碳层(2)之间的一个或多个离子扩散阻隔层(5)，其优选含有碳化硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物或其组合或由其构成，其中si3n4和/或掺杂si3n4是优选的，且被zr、ti、hf和/或b掺杂的si3n4是特别优选的。
11.根据前述权利要求任一项的经涂覆的基底，其中所述类金刚石碳层(2)具有1nm至20nm，优选2nm至10nm，特别优选3nm至8nm的层厚度，和/或所述金属单片或多片层(3)具有1nm至50nm，优选2nm至40nm，特别优选5nm至25nm的层厚度。
12.根据前述权利要求任一项的经涂覆的基底，其中所述基底(1)是陶瓷、玻璃陶瓷或玻璃，其中玻璃是优选的。
13.根据前述权利要求任一项的经涂覆的基底，其中所述金属单片或多片层(3)含有锡或是锡层，所述阻氧层(4)含有si3n4和/或掺杂si3n4，特别是被zr掺杂的si3n4或由其构成，并且任选地，将至少一个离子扩散阻隔层(5)布置在基底(1)和类金刚石碳层(2)之间，所述离子扩散阻隔层含有si3n4和/或掺杂si3n4，特别是被zr掺杂的si3n4或由其构成。
14.根据前述权利要求任一项的经涂覆的基底，其中所述金属单片或多片层(3)通过溅射，优选磁控管溅射或共溅射，或通过cvd，优选pecvd，或通过离子束蒸镀形成。
15.根据前述权利要求任一项的经涂覆的基底，其中所述类金刚石碳层(2)是未掺杂或掺杂的。
16.制造具有包含类金刚石碳层(2)的涂层的经热处理的基底的方法，其包括：
a.热处理根据权利要求1至14任一项的经涂覆的基底，这优选在300至800℃的温度下进行，和
b.通过洗涤法从经热处理的经涂覆的基底上除去阻氧层(4)和金属单片或多片层(3)。