技术特征：
1.一种连接器用端子材，具有：至少表面由cu或cu合金构成的基材；形成于所述基材上且由ni或ni合金构成的ni层；形成于所述ni层上且具有cu6sn5的cu-sn金属间化合物层；及形成于所述cu-sn金属间化合物层上且由sn或sn合金构成的sn层，所述连接器用端子材的特征在于，所述ni层的厚度为0.1μm以上且1.0μm以下，所述cu-sn金属间化合物层的厚度为0.2μm以上且2.5μm以下，所述sn层的厚度为0.5μm以上且3.0μm以下，通过ebsd法以0.1μm的测量步长来分析所述cu-sn金属间化合物层及所述sn层的截面，将相邻的像素间的取向差为2
°
以上的边界视为晶界，将所述cu-sn金属间化合物层中的所述cu6sn5的平均结晶粒径设为dc，将所述sn层的平均结晶粒径设为ds时，平均结晶粒径dc为0.5μm以上，粒径比ds/dc为5以下。2.根据权利要求1所述的连接器用端子材，其特征在于，所述cu-sn金属间化合物层由形成于所述ni层上的cu3sn层及形成于所述cu3sn层上的所述cu6sn5层构成，所述cu3sn层对于所述ni层的被覆率为20％以上。3.根据权利要求1或2所述的连接器用端子材，其特征在于，所述sn层由凝固组织构成。4.根据权利要求1～3中任一项所述的连接器用端子材，其特征在于，当在所述sn层的通过所述ebsd法划定的晶界中，将所述取向差为15
°
以上的晶界的长度设为la，将所述取向差为2
°
以上且小于15
°
的晶界的长度设为lb时，lb比率即lb/(lb+la)为0.1以上。5.一种连接器用端子材的制造方法，具有：镀敷处理工序，对至少表面由cu或cu合金构成的基材的表面，依次实施形成由ni或ni合金构成的镀敷层的镀ni处理、形成由cu或cu合金构成的镀敷层的镀cu处理及形成由sn或sn合金构成的镀敷层的镀sn处理；及回流焊处理工序，在所述镀敷处理工序之后，进行回流焊处理，制造如下的连接器用端子材：所述连接器用端子材通过在所述基材上形成由ni或ni合金构成的ni层、在所述ni层上形成由cu及sn的金属间化合物构成的cu-sn金属间化合物层及在所述cu-sn金属间化合物层上形成由sn或sn合金构成的sn层而成，所述连接器用端子材的制造方法的特征在于，所述回流焊处理包括：加热工序，进行以20℃/秒以上且75℃/秒以下的升温速度加热至240℃以上的第一次加热处理及在所述第一次加热处理之后在240℃以上且300℃以下的温度加热1秒以上且15秒以下的时间的第二次加热处理；第一次冷却工序，在所述加热工序之后，以30℃/秒以下的冷却速度进行冷却；及第二次冷却工序，在所述第一次冷却之后，以100℃/秒以上且300℃/秒以下的冷却速度进行冷却。
技术总结
一种端子材，具有至少表面由Cu或Cu合金构成的基材、所述基材上的厚度0.1μm以上且1.0μm以下的Ni层、所述Ni层上的厚度0.2μm以上且2.5μm以下的Cu-Sn金属间化合物层及所述Cu-Sn金属间化合物层上的厚度0.5μm以上且3.0μm以下的Sn层，通过EBSD法以0.1μm的测量步长来分析所述Cu-Sn金属间化合物层及所述Sn层的截面，将相邻的像素间的取向差为2
技术研发人员：宫岛直辉 牧一诚 船木真一 石川诚一
受保护的技术使用者：三菱综合材料株式会社
技术研发日：2020.09.29
技术公布日：2022/5/10