技术特征：
技术总结
本发明涉及一种采用物理气相沉积技术生长大尺寸碳化硅晶体的方法，将籽晶连接至籽晶托表面，采用物理气相沉积技术生长大尺寸碳化硅晶体，所述物理气相沉积技术的参数包括：生长气氛压强为5～40 Torr，生长温度为2000～2400℃，生长时间为50小时以上，优选100～150小时；所述籽晶托包括石墨基底和设置在石墨基底内表面上的致密碳化硅多晶膜层，所述致密碳化硅多晶膜层的尺寸为4英寸以上，厚度为0.5～10 mm，平整度为1～100μm。
技术研发人员：高攀;陈辉;孔海宽;刘学超;施尔畏
受保护的技术使用者：中国科学院上海硅酸盐研究所
技术研发日：2017.12.20
技术公布日：2018.05.18