4的数。另外， R11、R12、R13和R 14分别独立地表示烷基、烷基苯基、烷氧基苯基或卤代苯基。）
[0042]
[0043] 上述通式（II )中，作为Rtl1~R°4表示的可以被卤原子取代的碳原子数为1~4 的烷基，例如可以列举甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基等；作为可以 被卤原子取代的碳原子数为1~4的烷氧基，例如可以列举甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧 基等；作为卤原子，可以列举氟、氯、溴、碘；作为1^与1?° 4键合形成的环烯环，例如可以列举 环丁烯环、环戊烯环、环己烯环、环己二烯环等；作为Rtl1与R °4键合形成的杂环，例如可以列 举二氢啦喃环、啦略啉环、啦挫啉环、剛噪啉环、啦略环、噻吩环、啦啶环、啦嘆环、喃啶环、RJi 嗪环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、咪唑环、噁唑环、咪唑烷环、吡唑烷环、异噁唑烷环、异噻唑 烷环等；这些环还可以与其他的环稠合，也可以被取代。
[0044] 上述通式（III)中，作为Ra-Ri表示的碳原子数为1~4的烷基，例如可以列举甲 基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基等；作为该烷基中的亚甲基被-〇-取 代形成的基团，例如可以列举甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、 2-甲氧基乙基等；作为该烷基中的亚甲基被-CO-取代形成的基团，例如可以列举乙酰基、 1-羰基乙基、乙酰基甲基、1-羰基丙基、2-氧代丁基、2-乙酰基乙基、1-羰基异丙基等。
[0045] 上述通式（III)中，作为Q表示的可以具有取代基的碳原子数为1~8的亚烷基， 例如可以列举亚甲基、亚乙基、亚丙基、甲基亚乙基、亚丁基、1-甲基亚丙基、2-甲基亚丙 基、1，2-二甲基亚丙基、1，3-二甲基亚丙基、1-甲基亚丁基、2-甲基亚丁基、3-甲基亚丁基、 4-甲基亚丁基、2,4_二甲基亚丁基、1，3-二甲基亚丁基、亚戊基、亚己基、亚庚基、亚辛基、 乙烧_1，1_二基、丙烷_2, 2_二基等；作为该亚烷基中的亚甲基被-〇-、-S-、-C〇-、-CO〇-、-〇C 0-、-SO2-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N = CH-或-CH = CH-取代形成的基团，例如可以列举亚甲 基氧基、亚乙基氧基、氧基亚甲基、硫代亚甲基、羰基亚甲基、羰基氧基亚甲基、亚甲基羰基 氧基、磺酰基亚甲基、氨基亚甲基、乙酰基氨基、亚乙基羧酰胺基、乙烷酰亚胺基、亚乙烯基、 亚丙條基等。
[0046] 另外，M 表示的金属原子为 Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、PcU Rh、Pt 或 Ir。
[0047] 作为本发明的吲哚鑰化合物，因制造成本低、摩尔吸光系数大而优选上述通式 (IV)表示的化合物。
[0048] 作为上述通式（I )表示的吲哚鑰化合物的优选的具体例子，可以列举下述化合 物No. 1~No. 37。另外，以下的例示中，用省略了阴离子的吲哚鑰阳离子来表示。在本发明 的吲哚鑰化合物中，聚甲炔链也可以为共振结构。
[0049]
[0050]
[0052] 在本发明的上述通式（I )表示的吲哚鑰化合物中，有时存在以R1和R2表示的 基团所键合的不对称原子为手性中心的对映异构体、非对映异构体或外消旋体等光学异构 体，可以将这些化合物中的任何光学异构体单独分离使用，也可以以它们的混合物的形式 使用。
[0053] 上述通式（I )表示的吲哚鑰化合物不受其制造方法限制。例如，可以通过使 2-甲基吲哚衍生物与芳香族醛衍生物进行缩合反应后进行盐交换反应来合成。
[0054] 另外，上述通式（II )表示的具有不饱和键的基团可以在得到中间体2-甲基吲哚 衍生物的过程中引入。作为该方法，例如可以列举如下方法：以芳基肼衍生物为起始物质， 在利用具有上述通式（II )表示的不饱和键基团的2-丁酮衍生物形成吲哚环时引入的方 法；使卤化衍生物在吲哚环上反应而引入的方法。Y可以通过与吲哚环的NH反应的Y-D (D 是氯、溴、碘等卤素基；苯基磺酰氧基、4-甲基苯基磺酰氧基、4-氯苯基磺酰氧基等磺酰氧 基）来引入。另外，具有上述通式（II )表示的不饱和键基团的2-丁酮衍生物可以通过使 丙酮与具有相应不饱和键基团的醛反应来得到。
[0055] 本发明的上述吲哚鑰化合物除了作为光学记录材料使用外，还可以应用于滤光器 中含有的光吸收剂等光学元件、药品、农药、香料、染料等的合成中间体、或者各种功能性材 料等各种聚合物原料。但是，本发明不受这些用途的任何限制。
[0056] 接着，对本发明的光学记录材料和光学记录介质进行说明。
[0057] 本发明的光学记录材料含有至少1种上述吲哚鑰化合物。另外，本发明的光学记 录介质通过在基体上形成由该光学记录材料形成的光学记录层而得到。
[0058] 对本发明的光学记录材料的制备、以及本发明的以在基体上形成有由所述光学记 录材料形成的光学记录层为特征的光学记录介质的制造方法没有特殊限制。通常采用下 述的湿式涂布法：在有机溶剂中，溶解本发明的吲哚鑰化合物以及根据需要溶解的后述各 种化合物，制作溶液状的光学记录材料，通过旋涂、喷雾、浸渍等将该光学记录材料涂布在 基体上，所述有机溶剂是例如甲醇、乙醇等低级醇类；甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丁基溶纤 剂、丁基二乙二醇等醚醇类；丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮、二丙酮醇等酮类；乙酸 乙酯、乙酸丁酯、乙酸甲氧基乙酯等酯类；丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯等丙烯酸酯类；2,2,3， 3_四氟丙醇等氟代醇类；苯、甲苯、二甲苯等烃类；二氯甲烷、二氯乙烷、氯仿等氯代烃类 等。还可以采用蒸镀法、溅射法等。使用上述有机溶剂时，其用量优选为使本发明的光学记 录材料中的上述吲哚鑰化合物的含量为〇. 1~10质量％的量。
[0059] 上述光学记录层以薄膜的形式形成，其厚度通常以0.001~IOym为宜，优选为 0. 01~5μηι的范围。
[0060] 另外，在本发明的光学记录材料中，本发明的吲哚鑰化合物的含量优选为本发明 的光学记录材料中含有的固体成分中的10~100质量％。上述光学记录层优选按照光学 记录层中含有50~100质量％的上述吲哚鑰化合物的方式形成，为了形成这种吲哚鑰化合 物含量的光学记录层，本发明的光学记录材料更优选按本发明的光学记录材料中含有的固 体成分基准计含有50~100质量％的上述吲哚鑰化合物。
[0061] 本发明的光学记录材料中含有的上述固体成分是从该光学记录材料中除去了有 机溶剂等除固体成分以外的成分后的成分，该固体成分的含量优选为上述光学记录材料中 的0.01~100质量％，更优选为0. 1~10质量％。
[0062] 本发明的光学记录材料除本发明的吲哚鑰化合物以外，根据需要还可以含有偶 氮系化合物、酞菁系化合物、氧杂菁（oxonol)系化合物、方酸内鐵盐（squarylium)系 化合物、11引噪化合物、苯乙稀系化合物、卟吩系化合物、甘菊环型鐵（azulenium)系化合 物、克酮酸亚甲醋（croconic methine)系化合物、吡喃鐵（pyrylium)系化合物、噻喃鐵 (thiopyrylium)系化合物、三芳基甲烷系化合物、二苯基甲烷系化合物、四氢胆碱系化合 物、靛酚系化合物、蒽醌系化合物、萘醌系化合物、咕吨系化合物、噻嗪系化合物、叮啶系化 合物、噁嗪系化合物、螺吡喃系化合物、芴系化合物、若丹明系化合物等在光学记录层中常 用的化合物；聚乙烯、聚酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯等树脂类；表面活性剂；防静电剂；润滑剂； 阻燃剂；受阻胺等自由基捕获剂；二茂铁衍生物等凹坑形成促进剂；分散剂；抗氧剂；交联 剂；耐光性赋予剂等。此外，本发明的光学记录材料还可以含有作为单态氧等的猝灭剂的 芳香族亚硝基化合物、铵鑰化合物、亚胺鑰化合物、二亚胺鑰化合物、过渡金属螯合物等。本 发明的光学记录材料中，上述各化合物以在本发明的光学记录材料所含有的固体成分中为 〇~50质量％范围的量使用。
[0063] 本发明的光学记录材料可以含有二亚按鐵（diimmonium)化合物。通过含有该二 亚铵鑰化合物，可以更有效地防止本发明的光学记录介质的吸光度残留率随着时间推移而 下降。另外，关于含有该二亚铵鑰化合物时的含量，优选为本发明的光学记录材料所含有的 固体成分中的〇~99质量％范围的量，更优选为50~95质量％。
[0064] 关于设置这种光学记录层的上述基体的材料，只要是对写入（记录）光和读出 (再生）光实质上是透明的材料，则没有特殊限制，例如可以使用聚甲基丙烯酸甲酯、聚对 苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯等树脂、玻璃等。另外，其形状根据用途可以采用条状、筒状、 带状、盘状等任意的形状。
[0065] 另外，在上述光学记录层上，可以使用金、银、铝、铜等通