过蒸镀法或溅射法来形成 反射膜，也可以用丙烯酸树脂、紫外线固化性树脂等来形成保护层。
[0066] 本发明的光学记录材料适用于使用半导体激光进行记录、再生的光学记录介质， 特别适用于高速记录型的⑶-R、DVD±R、HD-DVD-R、BD-R等公知的单层式、双层式、多层式 光盘。
[0067] 实施例
[0068] 以下，举出实施例、比较例和评价例对本发明进行更详细地说明。但是，本发明并 不受以下实施例等的任何限制。
[0069] 下述制造例1和2表示上述通式（I )所示的化合物No. 1的溴化物盐以及猝灭 剂（C)盐的制造例。
[0070] 另外，下述实施例1和2表示含有制造例1和2中得到的化合物No. 1的光学记录 材料的制备以及使用该光学记录材料的光学记录介质No. 1和No. 2的制造例。
[0071] 下述比较例1表示使用了与上述通式（I )表示的吲哚鑰化合物具有不同结构的 吲哚鑰化合物的比较光学记录材料的制备以及使用了该比较光学记录材料的比较光学记 录介质No. 1的制造例。
[0072] 在下述评价例1以及比较评价例1中，通过测定UV吸收光谱的最大吸收波长 (Amax)下的吸光度残留率来评价实施例1中得到的光学记录介质No. 1以及比较例1中得 到的比较光学记录介质No. 1的耐热性。它们的结果如[表5]所示。
[0073] [制造例1和2]化合物No. 1的溴化物以及猝灭剂（C)盐的制造
[0074] 使用以下所示的合成方法合成化合物No. 1的溴化物以及猝灭剂（C)盐。得到的化 合物通过IR和1H-NMR分析来进行鉴定。[表1]表示得到的化合物的收率以及特性值[溶 液状态下的光吸收特性（Amax和X max下的ε )、分解点]的测定结果，[表2]和[表3] 表示鉴定数据。需要说明的是，[表1]中，分解点是指在l〇°C/分钟的升温速度下差热分 析的质量开始减少的温度。
[0075] [制造例1]化合物No. 1的溴化物的制造
[0076] 加入假吲噪季盐（溴盐）24mmol、苯甲醛30mmol以及氯仿38g，在80°C下搅拌7小 时。馏去溶剂，将得到的残留物用氯仿20ml进行重结晶，得到目标物化合物No. 1的溴化物。
[0077] [制造例2]化合物No. 1的猝灭剂（C)盐的制造
[0078] 加入化合物No. 1的Br盐0. 69mmol、上述化学式（C)表示的阴离子的三乙基胺盐 0. 69mmol以及吡啶3. 6g，在60°C下搅拌2小时，加入甲醇8g，冷却至室温。将析出的固体 过滤后，减压干燥，得到目标物化合物No. 1的猝灭剂阴离子（C)盐。
[0079] [表 1]
[0080]
[0085] [实施例1和2]
[0086] 将上述制造例1和2中得到的化合物溶解于2, 2, 3, 3-四氟丙醇中并使吲哚鑰化 合物浓度为I. 〇质量％，以2, 2, 3, 3-四氟丙醇溶液的形式得到光学记录材料。在通过涂布 钛螯合物（T-50 :日本曹达公司制）并水解而形成了底涂层（0. 01 μπι)的直径为12cm的聚 碳酸酯圆盘基板上，用旋涂法涂布上述光学记录材料，形成厚IOOnm的光学记录层，得到光 学记录介质No. 1和No. 2。测定得到的光学记录介质的UV光谱吸收以及薄膜（光学记录 层）的入射角5°的反射光的UV光谱。结果如[表4]所示。
[0087] [表 4]
[0088]
[0089] r405 :405nm下的摩尔吸光系数与Xmax下的摩尔吸光系数之比
[0090] [比较例1]
[0091] 除了用下述比较化合物No. 1代替本发明的吲哚鑰化合物以外，与上述实施例1和 2同样操作，制作光学记录材料，使用该光学记录材料得到光学记录介质No. 1。
[0092]
[0093] [评价例1以及比较评价例1]
[0094] 对实施例1中得到的光学记录介质No. 1以及比较例1中得到的比较光学记录介 质No. 1进行耐热性评价。评价如下来进行：将该光学记录介质置于设定为80°C的热风循 环式恒温干燥机内120小时，测定从加热前的UV吸收光谱的X max的吸光度残留率。评价 结果如以下的[表5]所示。
[0095] [表 5]
[0096]
[0097] 由[表5]可知，具有利用本发明的光学记录材料形成的光学记录层的光学记录介 质即使在80°C下加热120小时后，残留率也很高。另一方面可见，具有利用含有比较化合物 的比较光学记录材料形成的光学记录层的比较光学记录介质的残留率显著下降，耐热性不 好。
[0098] 根据本发明，能提供适用于形成光学记录介质的光学记录层的吲哚鑰化合物以及 含有该吲哚鑰化合物而形成的光学记录材料。本发明的特定的吲哚鑰化合物由于分解点 低，因此蓄热性低，能够抑制热干扰，且耐光性高，适用于光学记录介质的光学记录层的形 成。
【主权项】
1?下述通式（I)表示的吲哚鑰化合物，通式（I)中，环A表示苯环或萘环，R1表示下述通式（II)表示的基团，R2表示碳原子 数为1~30的有机基团或下述通式（II)表示的基团，Y1表示氢原子、碳原子数为1~10 的烷基、苯基、萘基、蒽-1-基、菲-1-基、苄基、苯乙基、2-苯基丙烷、二苯基甲基、三苯基甲 基、苯乙條基或肉桂基，Z1表不可以被卤素基取代或者可以被-〇-、-C〇-、-〇C〇-或-COO-中 断的碳原子数为1~8的烷基、具有碳原子数为1~8的烃基的磺酰基、具有碳原子数 为1~8的烃基的亚磺酰基、具有碳原子数为1~8的烷基的烷基氨基、具有碳原子数为 1~8的烷基的>烷基氣基、氛基、硝基、羟基或卤素基，Z2表不可以被卤素基取代或者可以 被-0-、-C0-、-OCO-或-COO-中断的碳原子数为1~8的烷基、具有碳原子数为1~8的烃 基的磺酰基、具有碳原子数为1~8的烃基的亚磺酰基、氰基、硝基、羟基或卤素基，多个Z2 之间可以键合形成环结构，a表示0~6的整数，b表示0~5的整数，Ar^表示q价的阴离 子，q表示1或2,p表示保持电荷为中性的系数，通式（II)中，G与T之间的键为双键、共轭双键或三键，G表示碳原子，T表示碳原子、 氧原子或氮原子，其中，当T为氧原子时，y和z为0,当T为氮原子时，y+z为0或1 ;w表示 0~4的数，x、y和z表示0或1，RQ1、R°2、R°3以及R°4分别独立地表示氢原子、羟基、硝基、 氰基、卤原子、可以被卤原子取代的碳原子数为1~4的烷基或可以被卤原子取代的碳原子 数为1~4的烷氧基，俨和R°4可以键合形成环烯环或杂环。2.根据权利要求1所述的吲哚鑰化合物，其中，所述通式（I)表示的吲哚鑰化合物是 下述通式（IV)表示的化合物，通式（IV)中，环A、R2、Y1、Z1、Z2、a、b、An<^p和q与所述通式（I)中的定义相同， R3、R4和R5分别独立地表示卤原子、羟基、硝基、氰基、可以被卤原子取代的碳原子数为1~ 4的烷基或可以被卤原子取代的碳原子数为1~4的烷氧基。3. -种光学记录材料，其被用于在基体上形成有光学记录层的光学记录介质的该光学 记录层的形成中，且含有权利要求1或2所述的吲哚鑰化合物中的至少1种。4. 一种光学记录介质，其特征在于，其在基体上具有由权利要求3所述的光学记录材 料形成的光学记录层。
【专利摘要】本发明提供下述通式(Ⅰ)表示的新型吲哚鎓化合物以及使用了该吲哚鎓化合物的光学记录材料。通式(Ⅰ)中，环A表示苯环等，R1表示通式(Ⅱ)表示的基团等，R2表示碳原子数为1～30的有机基团等，Y1表示碳原子数为1～10的烷基等，Z1表示可以被卤素基取代、或者可以被-O-等中断的碳原子数为1～8的烷基等，Z2表示可以被卤素基取代、或者可以被-O-等中断的碳原子数为1～8的烷基等，a表示0～6的整数，b表示0～5的整数，Anq-表示q价的阴离子，q表示1或2，p表示保持电荷为中性的系数。
【IPC分类】G11B7/246, C07D405/06, C07D401/06, C07D209/60, C07D209/08, C07D413/06, C07F17/02
【公开号】CN104910063
【申请号】CN201510232720
【发明人】矢野亨, 青山洋平
【申请人】株式会社艾迪科
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2008年9月26日
【公告号】CN101778906A, EP2177572A1, EP2177572A4, EP2177572B1, US20100304074, WO2009051000A1