1.一种存储器元件，包括：
一第一电源电路，配置来连接到一第一电源，以分配一第一电源电压；
第二电源电路，配置来连接到一第二电源，以分配高于该第一电源电压的一第二电源电压；
一控制电路，用以产生一第一控制信号，该第一控制信号具有介于该第一电源电压和一第一参考电压之间的一电压电位；
一电压驱动器，响应该第一控制信号，以该第一电压或该第二电压来驱动一电路节点，其中该第一电压或该第二电压具有介于该第二电源电压和一第二参考电压之间的一电压电位；以及
一升压电路，用以将该第一控制信号升压到高于该第一电源电压的一电位，以供给该电压驱动器。
2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该电压驱动器包括：
一第一开关晶体管，连接在该电路节点和该第二电源电路之间；以及
一第二开关晶体管，位于该电路节点和该第二电压参考之间；
其中该升压电路连接到该第一开关晶体管的一栅极。
3.根据权利要求2所述的存储器元件，其中该升压电路包括：
一开路栅极，位于一控制信号和一栅极节点之间，该栅极节点连接到该第一开关晶体管的该栅极；
一电容器，具有连接到该第一开关晶体管的该栅极节点的一第一端子以及一第二端子；以及
一控制逻辑，用以在该开路栅极上产生一第一时序信号，从而将该第一控制信号传输到该栅极节点，并且在该电容器的该第二端子上产生一第二时序信号，从而将该栅极节点升压至高于该第一电源电压。
4.根据权利要求2所述的存储器元件，其中该第一开关晶体管是一n型金属氧化物半导体(nmos)晶体管。
5.根据权利要求2所述的存储器元件，其中该控制电路包括多个晶体管，配置来以该第一电源电压进行操作；且该电压驱动器和该升压电路包括配置来以该第二电源电压进行操作的多个晶体管。
6.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该控制电路包括具有一第一栅极介电材料厚度的多个晶体管；且该电压驱动器和该升压电路包括具有大于该第一栅极介电材料厚度的一第二栅极介电材料厚度的多个晶体管。
7.根据权利要求1所述的存储器元件，更包括一电荷泵浦电路，是用来作为一第二电源，并连接到该第二电源电路。
8.根据权利要求1所述的存储器元件，其中该第一电源电路包括配置来连接到一外部电源的一导体。
9.根据权利要求1所述的存储器元件，更包括一晶体管，该晶体管具有在一操作期间电性连接至该电路节点的一第一载流节点、在该操作期间连接至一选择线的一栅极，以及连接至一存储器电路的一第二载流端子；
其中，该选择线在该操作期间具有高于该第一电源电压的一选择线电压，该第一电压高于该第一电源电压，使该晶体管关闭，从而阻止一电流在该操作期间流向该存储器电路，并且该第二电压低于该第一电源电压，使该晶体管在该操作期间导通，从而将一电流传导到该存储器电路。
10.一种存储器元件，包括：
多条位线；
多个nand存储单元串列，用于连接该多条位线中的多条对应位线，该多个nand存储单元串列中的一nand存储单元串列，包括连接到一串选择线的一选择栅极，用以将该nand存储单元串列连接到一对应位线；
一选择栅极驱动器，连接到该串选择线，以提供高于一第一电源电压的一电压；
一第一电源电路，配置来连接到一第一电源以提供该第一电源电压；
一第二电源电路，配置来连接到一第二电源，以分配高于该第一电源电路的一第二电源电压；
一页面缓冲器，连接到该第一电源电路，以产生多个写入/抑制信号给该多条位线中的该多条对应位线，其中该多个写入/抑制信号，具有介于该第一电源电压和该第一参考电压之间的一电压电位；以及
多个数据线驱动器，连接到该第二电源电路和该页面缓冲器，用以响应该页面缓冲器所输出的该多个写入/抑制信号，以一第一位线电压或一第二位线电压来驱动连接至该多条对应位线的多个数据线节点，其中该第一位线电压或该第二位线电压，具有介于该第二电源电压和一第二参考电压之间的一电压电位；该多个数据线驱动器中的一数据线驱动器包括：
一第一开关晶体管，连接在该多个数据线节点的一者和该第二电源电路之间；
一第二开关晶体管，连接在该多个数据线节点的一者和该第二电压参考之间；以及
一升压电路接收该多个写入/抑制信号的一者，以将该第一开关晶体管的一栅极升压到高于该第一电源电压，以导通该第一开关晶体管。
11.根据权利要求10所述的存储器元件，其中该升压电路，包括：
一开路栅极，位于该页面缓冲器和连接到该第一开关晶体管的该栅极节点之间；
一电容器，具有连接到该第一开关晶体管的该栅极节点的一第一端子以及一第二端子；以及
一控制逻辑，用以在该开路栅极上产生一第一时序信号，从而将该多个写入/抑制信号的一者传输到该栅极节点，并且在该电容器的该第二端子上产生一第二时序信号，从而将该栅极节点升压至高于该第一电源电压。
12.根据权利要求10所述的存储器元件，其中该第一开关晶体管是一n型金属氧化物半导体晶体管。
13.根据权利要求10所述的存储器元件，其中该页面缓冲器包括多个晶体管，配置来以该第一电源电压进行操作；且该第一开关晶体管、该第二开关晶体管和该升压电路包括配置来以该第二电源电压进行操作的多个晶体管。
14.根据权利要求10所述的存储器元件，其中该页面缓冲器包括具有一第一栅极介电材料厚度的多个晶体管；且该第一开关晶体管、该第二开关晶体管和该升压电路包括具有大于该第一栅极介电材料厚度的一第二栅极介电材料厚度的多个晶体管。
15.根据权利要求10所述的存储器元件，更包括一电荷泵浦电路，是用来作为一第二电源，并连接到该第二电源电路。
16.根据权利要求10所述的存储器元件，其中该第一电源电路包括配置来连接到一外部电源的一导体。