用于读取操作的技术的制作方法

文档序号:21681203发布日期:2020-07-31 21:53阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种设备,其包括:

第一晶体管,其配置成在第一栅极处接收第一电压并向第一节点输出第二电压;

第二晶体管,其配置成在第二栅极处接收第三电压并向第二节点输出第四电压;

第三晶体管,且与所述第一节点耦合且配置成将所述第二电压传输到与存储器单元相关联的第三节点,所述第二电压至少部分地基于所述第一电压和所述第一晶体管的第一电压阈值;

第四晶体管,其与所述第三节点和所述第二晶体管的所述第二栅极耦合,且配置成至少部分地基于所述第二电压和与所述存储器单元相关联的逻辑状态而选择性地偏置所述第二栅极;以及

锁存器,其包括第一输入,所述第一输入与所述第一节点耦合且配置成至少部分地基于接收到参考电压信号而确定与所述存储器单元相关联的所述逻辑状态。

2.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:

第五晶体管,其与所述第二节点耦合且配置成将所述第四电压传输到第四节点,所述第四电压至少部分地基于所述第三电压和所述第二晶体管的第二电压阈值;以及

第六晶体管,其与所述第四节点和所述第一晶体管的所述第一栅极耦合,且配置成至少部分地基于所述第四电压而选择性地偏置所述第一栅极。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述锁存器进一步包括第二输入,所述第二输入与所述第二节点耦合且配置成选择性地接收与所述存储器单元的所述逻辑状态相关联的第五电压。

4.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管各自包括源极随耦器电路。

5.一种方法,其包括:

将第一晶体管的第一栅极偏置到第一电压;

至少部分地基于将所述第一晶体管的所述第一栅极偏置到所述第一电压,将第一节点预充电到第二电压,所述第二电压至少部分地基于所述第一电压和所述第一晶体管的第一阈值电压;

至少部分地基于对所述第一节点预充电,耦合存储器单元与预充电到所述第二电压的所述第一节点;

至少部分地基于耦合所述存储器单元与所述第一节点,将第二晶体管的第二栅极偏置到第三电压;以及

至少部分地基于向所述第二晶体管的所述第二栅极施加所述第三电压,向与锁存器和所述第二晶体管耦合的第二节点施加第四电压,所述第四电压至少部分地基于所述第三电压和所述第二晶体管的第二阈值电压。

6.根据权利要求5所述的方法,其进一步包括:

至少部分地基于向与所述锁存器耦合的所述第二节点施加所述第四电压,确定存储在所述存储器单元上的逻辑状态。

7.根据权利要求5所述的方法,其进一步包括:

启动第三晶体管以耦合所述第一晶体管与所述第一节点,其中对所述第一节点预充电至少部分地基于启动所述第三晶体管;以及

在启动所述第三晶体管之后,启动第四晶体管以耦合所述第一节点与所述第二晶体管的所述第二栅极,其中偏置所述第二晶体管的所述第二栅极至少部分地基于启动所述第四晶体管。

8.根据权利要求5所述的方法,其中:

所述第一晶体管与在所述存储器单元的读取操作期间被供应给所述锁存器的参考电压相关联;且

所述第二晶体管与所述第四电压相关联,所述第四电压指示存储在所述存储器单元中的逻辑状态且在所述存储器单元的所述读取操作期间被供应给所述锁存器的所述第二节点。

9.根据权利要求5所述的方法,其进一步包括:

在将所述第二晶体管的所述第二栅极偏置到所述第三电压之前,将所述第二栅极偏置到所述第一电压;以及

至少部分地基于将所述第二晶体管的所述第二栅极偏置到所述第一电压,将第三节点预充电到第五电压,其中所述第五电压至少部分地基于所述第一电压和所述第二晶体管的所述第二阈值电压。

10.根据权利要求9所述的方法,其进一步包括在向所述第二节点施加所述第四电压之前:

在对所述第一节点预充电之后向与所述第一节点耦合的第一电容器施加第六电压,其中所述第六电压使施加到所述第二晶体管的所述第二栅极的所述第三电压增加到第七电压;以及

在对所述第三节点预充电之后向与所述第三节点耦合的第二电容器施加第八电压,其中所述第八电压使施加到所述第一晶体管的所述第一栅极的所述第五电压增加到第九电压。

11.根据权利要求10所述的方法,其进一步包括:

向与所述锁存器耦合的第四节点施加第十电压,其中所述第十电压至少部分地基于所述第九电压和所述第一晶体管的所述第一阈值电压;

比较施加到与所述锁存器耦合的所述第二节点的所述第四电压与施加到与所述锁存器耦合的所述第四节点的所述第十电压;以及

至少部分地基于比较所述第四电压与所述第十电压,确定存储在所述存储器单元上的逻辑状态,其中所述第四电压至少部分地基于所述第七电压和所述第二晶体管的所述第二阈值电压。

12.根据权利要求9所述的方法,其进一步包括:

启动第五晶体管以耦合所述第二晶体管与所述第三节点,其中对所述第三节点预充电至少部分地基于启动所述第五晶体管;以及

在启动所述第五晶体管之后,启动第六晶体管以将所述第三节点耦合到所述第一晶体管的所述第一栅极,其中偏置所述第一晶体管的所述第一栅极至少部分地基于启动所述第六晶体管。

13.根据权利要求5所述的方法,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管各自包括源极随耦器电路。

14.一种方法,其包括:

作为存储器单元的读取操作的部分,将第一节点耦合到第一电压源以使所述第一节点增加到第一电压电平;

作为所述存储器单元的所述读取操作的部分,将第二节点耦合到第二电压源以使所述第二节点增加到第二电压电平;

至少部分地基于将所述第一节点耦合到所述第一电压源,向与所述第一节点耦合的第一电容器施加电压增加以增加所述第一节点的第三电压电平;

至少部分地基于向所述第一电容器施加所述电压增加,耦合所述第一节点与所述第二节点;以及

至少部分地基于将所述第一节点耦合到所述第二节点,在所述读取操作期间向锁存器施加参考电压。

15.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括:

在将所述第一节点耦合到所述第二节点之前,通过撤销启动第一晶体管来隔离所述第二节点与所述第二电压源。

16.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括:

在将所述第一节点耦合到所述第二节点之前,通过启动第二晶体管将所述第二节点耦合到第四电压源。

17.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括:

至少部分地基于与耦合到所述第一节点的数字线相关联的第三电压电平,对与所述第二节点耦合的第二电容器预充电。

18.根据权利要求14所述的方法,其进一步包括:

作为所述读取操作的部分,将与所述存储器单元相关联的第三节点耦合到第三电压源以增加所述第三节点的所述第三电压电平;以及

将所述第三节点耦合到数字线以增加所述数字线的第四电压电平。

19.根据权利要求18所述的方法,其进一步包括:

至少部分地基于将所述第三节点耦合到所述数字线,将所述电压增加施加到与所述第三节点耦合的第三电容器。

20.根据权利要求19所述的方法,其进一步包括:

至少部分地基于向所述第一电容器和所述第三电容器施加所述电压增加,在所述读取操作期间向所述锁存器施加指示存储在所述存储器单元上的逻辑状态的第五电压。

21.根据权利要求20所述的方法,其进一步包括:

至少部分地基于比较所述第五电压与所述参考电压,确定存储在所述存储器单元上的所述逻辑状态。

22.一种设备,其包括:

第一源极随耦器,其与参考电压供应器耦合且配置成输出表示由所述参考电压供应器提供的参考电压的第一信号;

第二源极随耦器,其与存储器单元的数字线耦合且配置成输出表示由所述存储器单元存储的逻辑状态的第二信号;以及

参考电容器,其与所述第一源极随耦器耦合且配置成修改与所述第一信号相关联的参考电压偏移。

23.根据权利要求22所述的设备,其进一步包括:

第一开关组件,其与所述参考电容器和所述第一源极随耦器的栅极耦合,所述第一开关组件配置成在所述参考电容器和所述第一源极随耦器之间建立第一导电路径。

24.根据权利要求23所述的设备,其进一步包括:

第二开关组件,其与所述参考电容器和第一电压源耦合,所述第二开关组件配置成在所述第一电压源和所述参考电容器之间建立第二导电路径。

25.根据权利要求22所述的设备,其中所述参考电容器进一步配置成至少部分地基于表示由所述存储器单元存储的所述逻辑状态的所述第二信号的电压电平而修改所述参考电压偏移。


技术总结
本发明涉及用于读取操作的技术。描述了用于读取操作的方法、系统、装置和技术。在一些实例中,存储器装置可包含第一晶体管(例如,存储器节点晶体管),所述第一晶体管配置成在第一栅极处接收预充电电压,并基于所述第一晶体管的阈值通过第一开关向参考节点输出第一电压。所述装置可包含第二晶体管(例如,参考节点晶体管),所述第二晶体管配置成接收预充电电压,并基于所述第二晶体管的阈值通过第二开关向存储器节点输出第二电压。所述第一电压可以通过参考电压修改并被输入到所述第二晶体管。所述第二电压可以通过存储在存储器单元上的电压修改并被输入到所述第一晶体管。所述第一和第二晶体管可以输出将取样到锁存器的第三和第四电压。

技术研发人员:F·贝代斯基;R·穆泽托;U·迪温琴佐
受保护的技术使用者:美光科技公司
技术研发日:2020.01.21
技术公布日:2020.07.31
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