半导体存储装置的制作方法

文档编号:14478008
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技术总结
一实施方式的半导体存储装置具备行解码器及存储单元阵列,所述存储单元阵列具备第1功能块。第1功能块具备:第1区域(CEL);第2区域(WLHU),在第1方向(Y方向)上与第1区域(CEL)相邻;及第3区域(CNCT),连接第1区域(CEL)与第2区域(WLHU)。存储单元阵列还具备:第1绝缘层(730),填埋第1区域(CEL)与第2区域(WLHU)之间的第1槽(DY),且与第3区域(CNCT)相接;第1接触插塞(CP12),设置在第1绝缘层(730)中,且与行解码器电连接;及第1配线层(IC1),连接选择栅极线(SGD)与第1接触插塞(CP12)。

技术研发人员:二山拓也
受保护的技术使用者:东芝存储器株式会社
文档号码:201680052188
技术研发日:2016.01.13
技术公布日:2018.05.18

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