技术总结
本发明提供一种基于多晶硅制程的导体结构、电容器阵列结构及制备方法，导体结构制备包括：提供一基底，于基底中形成凹穴结构；于凹穴结构内形成导体填充结构，形成导体填充结构的材料源至少包含硅源及锗源，锗源中的锗原子作为硅源中硅原子聚集生长的晶核，以增大导体填充结构中的硅结晶粒度。通过上述方案，本发明提出了制造大晶粒多晶硅的方式，引入了作为硅晶粒聚集生长的晶核元素，如锗，使硅原子聚集进而加大结晶粒度，增加多晶硅结晶粒度可以减少晶界陷阱对载子的影响进而增加导电率，本发明还通过保护层的设置，防止导体填充结构中的锗对制程的影响，达到了导体填充结构与其他结构层之间的有效连接，进一步改善了导体填充结构的电学性能。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：睿力集成电路有限公司
技术研发日：2017.12.19
技术公布日：2018.06.12