基片处理方法和基片处理装置与流程

本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术：

一直以来，已知用清洗液对半导体晶片(以下也称为晶片。)等的基片进行清洗的技术(参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-258462号公报

技术实现要素：

发明要解决的技术问题

本发明提供在使用清洁度低的清洗液的情况下，也能够从基片充分除去颗粒的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的基片处理方法包括第一清洗步骤和第二清洗步骤。第一清洗步骤用第一清洗液清洗基片。第二清洗步骤在上述第一清洗步骤后，用与上述第一清洗液相比清洁度低的第二清洗液清洗上述基片。

发明效果

依照本发明，在使用清洁度低的清洗液的情况下，也能够从基片充分除去颗粒。

附图说明

图1是表示实施方式的基片处理系统的概略构成的示意图。

图2是表示实施方式的处理单元的构成例的示意图。

图3是表示实施方式的基片处理系统的配管构成的示意图。

图4是用于说明实施方式的基片处理的步骤的图。

图5是表示实施方式的基片处理中的回收液和新液的供给时刻导致的差异的图。

图6是表示实施方式的冲洗处理中的diw与功能水的差异的图。

图7是表示实施方式的过滤处理中的回收液的温度的差异的图。

图8是用于说明实施方式的变形例1的基片处理的步骤的图。

图9是用于说明实施方式的变形例2的基片处理的步骤的图。

图10是用于说明实施方式的变形例3的基片处理的步骤的图。

图11是表示实施方式的变形例4的基片处理系统的配管构成的示意图。

图12是用于说明实施方式的变形例4的基片处理的步骤的图。

图13是表示实施方式的变形例5的基片处理系统的配管构成的示意图。

图14是用于说明实施方式的变形例5的基片处理的步骤的图。

图15是表示实施方式的变形例6的基片处理系统的配管构成的示意图。

图16是用于说明实施方式的变形例6的基片处理的步骤的图。

图17是表示实施方式的基片处理系统执行的基片处理的步骤的流程图。

附图标记说明

w晶片(基片的一例)

1基片处理系统(基片处理装置的一例)

5第一清洗液供给部

6清洗液回收部

7第二清洗液供给部

16处理单元(基片处理部的一例)

18控制部

125过滤器。

具体实施方式

下面，参照附图，详细地说明本发明的公开的基片处理方法和基片处理装置。此外，本发明并不限于以下所示的各实施方式。另外，附图是示意性的，需要注意有时各要素的尺寸的关系、各要素的比例等与现实不同。并且，在附图的彼此之间，有时也包含彼此的尺寸的关系、比例不同的部分。

已知用清洗液对半导体晶片(以下称为晶片。)等的基片进行清洗的技术。在该清洗处理中，从成本等的观点出发，有时回收已使用的清洗液并将其再次用于清洗处理。

另一方面，所回收的清洗液与新的清洗液相比清洁度较低，因此在清洗处理时难以从基片充分除去颗粒。

所以，人们希望一种在使用清洁度低的清洗液的情况下，能够从基片充分除去颗粒的技术。

<基片处理系统的概要>

首先，参照图1，对实施方式的基片处理系统1的概略构成进行说明。图1是表示实施方式的基片处理系统1的概略构成的图。此外，基片处理系统1是基片处理装置的一例。下面，为了明确位置关系，规定彼此正交的x轴、y轴和z轴，将z轴正方向设为铅垂向上方向。

如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻设置。

送入送出站2包括承载器载置部11和输送部12。在承载器载置部11载置多个承载器c，该多个承载器c将多个基片(在实施方式中为半导体晶片w(以下称为晶片w。))以水平状态收纳。

输送部12与承载器载置部11相邻设置，在内部具有基片输送装置13和交接部14。基片输送装置13具有保持晶片w的晶片保持机构。另外，基片输送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在承载器c与交接部14之间进行晶片w的输送。

处理站3与输送部12相邻设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。处理单元16是基片处理部的一例。多个处理单元16并排地设置在输送部15的两侧。

输送部15在内部具有基片输送装置17。基片输送装置17具有保持晶片w的晶片保持机构。另外，基片输送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并且以铅垂轴为中心旋转，使用晶片保持机构在交接部14与处理单元16之间进行晶片w的输送。

处理单元16对由基片输送装置17输送的晶片w进行规定的基片处理。该处理单元16的详情在后文说明。

另外，基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4例如为计算机，包括控制部18和存储部19。在存储部19中保存有控制在基片处理系统1中实施的各种处理的程序。控制部18通过读取并执行存储于存储部19的程序，来控制基片处理系统1的动作。

此外，上述程序也可以存储于计算机可读取的存储介质，从该存储介质安装到控制装置4的存储部19的程序。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁光盘(mo)、存储卡等。

另外，基片处理系统1包括第一清洗液供给部5、清洗液回收部6和第二清洗液供给部7。第一清洗液供给部5在晶片w的清洗处理时对处理单元16供给第一清洗液。

清洗液回收部6回收在晶片w的清洗处理中使用过的清洗液。第二清洗液供给部7在晶片w的清洗处理时对处理单元16供给第二清洗液。该第二清洗液是清洁度比第一清洗液低的清洗液。第一清洗液供给部5、清洗液回收部6和第二清洗液供给部7的详情在后文说明。

在如上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于承载器载置部11的承载器c取出晶片w，将取出的晶片w载置到交接部14。载置于交接部14的晶片w由处理站3的基片输送装置17从交接部14取出，送入处理单元16。

送入处理单元16的晶片w在被处理单元16处理后，由基片输送装置17从处理单元16送出，并载置在交接部14。然后，载置于交接部14的已处理的晶片w由基片输送装置13送回承载器载置部11的承载器c。

<处理单元的构成>

下面，参照图2，对处理单元16的构成进行说明。图2是表示处理单元16的具体的构成例的示意图。如图2所示，处理单元16包括腔室20、液处理部30、上表面供给部40、回收杯体50和下表面供给部60。

腔室20收纳液处理部30、上表面供给部40、回收杯体50和下表面供给部60的至少一部分。在腔室20的顶部设置有ffu(fanfilterunit：风机过滤单元)21。ffu21在腔室20内形成下降流。

液处理部30包括保持部31、支柱部32和驱动部33，对所载置的晶片w实施液处理。保持部31将晶片w保持为水平。支柱部32是在铅垂方向延伸的部件，根端部由驱动部33可旋转地支承，在前端部将保持部31支承为水平。驱动部33使支柱部32绕铅垂轴旋转。

该液处理部30使用驱动部33使支柱部32旋转来使支承于支柱部32的保持部31旋转，由此，使保持部31所保持的晶片w旋转。

在液处理部30所具有的保持部31的上表面，设置对晶片w从侧面进行保持的保持部件31a。晶片w在由该保持部件31a以从保持部31的上表面稍微隔开间隔的状态被保持为水平。此外，晶片w以进行基片处理的表面朝向上方的状态被保持部31保持。

上表面供给部40对晶片w的上表面(以下也称为正面。)供给处理流体。上表面供给部40包括配置于晶片w的正面侧的喷嘴41a、41b、将该喷嘴41a、41b水平地支承的臂42、以及使臂42旋转和升降的旋转升降机构43。

喷嘴41a与清洗液供给流路112连接。从喷嘴41a将经由清洗液供给流路112供给的清洗液释放到晶片w的正面。包含该清洗液供给流路112的基片处理系统1的配管构成在后文说明。

喷嘴41b与功能水供给流路44连接。从喷嘴41b将经由功能水供给流路44供给的功能水释放到晶片w的正面。该功能水是具有碱性的冲洗液，例如为氨水、电解离子水、氢水、臭氧水等。

功能水供给流路44从上游侧起依次具有功能水供给源44a、阀44b、定压阀44c、流量计44d和阀44e。功能水供给源44a例如是贮存功能水的罐。

定压阀44c基于由流量计44d测量的功能水的流量，调节对功能水供给流路44供给的功能水的流量。即，定压阀44c实施基于由流量计44d测量的功能水的流量的反馈控制。

另外，功能水供给流路44在流量计44d与阀44e之间分支，该分支的流路经由阀44f与下表面供给部60的喷嘴61b(参照图4)连接。

回收杯体50以包围保持部31的方式配置，收集因保持部31的旋转而从晶片w飞散的处理液。在回收杯体50的底部形成有排液口51，由回收杯体50收集到的处理液从该排液口51被排出到处理单元16的外部。另外，在回收杯体50的底部形成排气口52，该排气口52将从ffu21供给的气体排出到处理单元16的外部。

下表面供给部60插通保持部31和支柱部32的中空部32a，对晶片w的下表面(以下也称为背面。)供给处理流体。下表面供给部60包括：配置在晶片w的背面侧的喷嘴61a、61b(参照图4)；将该喷嘴61a、61b水平支承的臂62(参照图4)；和使臂62移动的移动机构63。

喷嘴61a与分支流路153连接。从喷嘴61a将经由分支流路153供给的第二清洗液释放到晶片w的背面。分支流路153的详情在后文说明。

喷嘴61b与功能水供给流路44连接。从喷嘴61b将经由功能水供给流路44供给的功能水释放到晶片w的背面。

<基片处理系统的配管构成>

接着，参照图3，对基片处理系统1的配管构成进行说明。图3是表示实施方式的基片处理系统1的配管构成的示意图。

如图3所示，实施方式的基片处理系统1包括第一清洗液供给部5、处理单元16、清洗液回收部6和第二清洗液供给部7。

第一清洗液供给部5对处理单元16供给第一清洗液。在实施方式中，第一清洗液是未使用的新的清洗液。所以，在以下的说明中，也将第一清洗液称为“新液”。

此外，实施方式的清洗处理中使用的清洗液是dsp(纯水、硫酸、氢氟酸和过氧化氢水溶液的混合液)、bhf(缓冲氢氟酸)、dhf(稀氢氟酸)等的酸类清洗液。而且，实施方式的清洗处理例如是为了除去作为已干蚀刻的晶片w表面的残渣即颗粒而实施的。

第一清洗液供给部5具有第一清洗液供给流路100、罐101和循环流路102。第一清洗液供给流路100将第一清洗液供给到罐101。

第一清洗液供给流路100从上游侧起依次具有第一清洗液供给源100a和阀100b。第一清洗液供给源100a例如是贮存第一清洗液(新液)的罐。

罐101贮存从第一清洗液供给流路100供给的第一清洗液。循环流路102是从罐101出发而回到该罐101的循环流路。

在循环流路102，以罐101为基准，从上游侧起依次设置有泵103、过滤器104、加热器105、流量计106、阀107、阀108和定压阀109。

泵103形成从罐101出发，通过循环流路102而回到罐101的第一清洗液的循环流。过滤器104除去在循环流路102内循环的第一清洗液所包含的颗粒等污染物质。

加热器105使在循环流路102内循环的第一清洗液升温。流量计106测量在循环流路102内循环的第一清洗液的流量。定压阀109控制在循环流路102内循环的第一清洗液的流量。

另外，罐101经阀110与排液部dr连接，循环流路102经阀111与排液部dr连接。由此，控制部18(参照图1)能够在更换罐101内和循环流路102内的第一清洗液时等，控制阀110、111来将罐101内和循环流路102内的第一清洗液排出到排液部dr。

另外，从循环流路102中的阀107和阀108之间，分支出清洗液供给流路112。该清洗液供给流路112设置在第一清洗液供给部5与处理单元16之间，将由第一清洗液供给部5进行了过滤处理和温度调节处理的第一清洗液供给到处理单元16。

在清洗液供给流路112从上游侧起依次设置有合流部113、流量计114、定压阀115和阀116。合流部113与第二清洗液供给流路152连接，从在后面说明详情的第二清洗液供给部7供给第二清洗液。

即，清洗液供给流路112能够从第一清洗液供给部5将第一清洗液供给到处理单元16，并且能够从第二清洗液供给部7将第二清洗液供给到处理单元16。

流量计114测量在清洗液供给流路112流通的第一清洗液或者第二清洗液的流量。定压阀115控制在清洗液供给流路112内流通的第一清洗液或者第二清洗液的流量。

另外，清洗液供给流路112经由阀117与排液部dr连接。由此，控制部18能够在更换清洗液供给流路112内的清洗液时等，控制阀117来将清洗液供给流路112内的清洗液排出到排液部dr。

处理单元16的排液口51(参照图2)经由排出流路120与清洗液回收部6连接。由此，能够将在处理单元16内晶片w的清洗处理中使用过的清洗液排出到清洗液回收部6。

清洗液回收部6回收在处理单元16内晶片w的清洗处理中使用过的清洗液。清洗液回收部6包括与排出流路120相连的罐121和循环流路122。

罐121贮存在处理单元16中已使用的清洗液。循环流路122是从罐121出发而回到该罐121的循环流路。

在循环流路122，以罐121为基准，从上游侧起依次设置上泵123、制冷单元124、过滤器125、流量计126、阀127、阀128和定压阀129。

泵123形成从罐121出发，通过循环流路122而回到罐121的已使用的清洗液的循环流。制冷单元124冷却在循环流路122内循环的已使用的清洗液。

过滤器125除去由制冷单元124冷却的已使用的清洗液所含的颗粒等污染物质。在实施方式中，利用过滤器125对由制冷单元124冷却的已使用的清洗液进行过滤，由此能够将已使用的清洗液再利用于晶片w的清洗处理。

流量计126测量在循环流路122内循环的已使用的清洗液的流量。定压阀129控制在循环流路122内循环的已使用的清洗液的流量。

另外，罐121经阀130与排液部dr连接，循环流路122经阀131与排液部dr连接。由此，控制部18能够在更换罐121内和循环流路122内的已使用的清洗液时等，控制阀130、131来将罐121内和循环流路122内的已使用的清洗液排出到排液部dr。

另外，从循环流路122中的过滤器125与流量计126之间，分支出分支流路132。该分支流路132设置在清洗液回收部6与第二清洗液供给部7之间，将由清洗液回收部6进行了过滤处理的已使用的清洗液供给到第二清洗液供给部7。

在分支流路132从上游侧起依次设置有阀133、过滤器134和阀135。过滤器134除去在分支流路132中流通的已使用的清洗液所包含的颗粒等污染物质。

第二清洗液供给部7将由清洗液回收部6进行了过滤处理的已使用的清洗液作为第二清洗液供给到处理单元16。该第二清洗液由清洗液回收部6进行了过滤处理，但是，已经是由处理单元16使用过的清洗液，因此与未使用的第一清洗液相比清洁度低。此外，在下面的说明中，将第二清洗液称为“回收液”。

第二清洗液供给部7包括与分支流路132相连的罐141和循环流路142。罐141贮存由清洗液回收部6进行了过滤处理的第二清洗液。循环流路142是从罐141出发而回到该罐141的循环流路。

在循环流路142，以罐141为基准，从上游侧起依次设置有泵143、过滤器144、加热器145、流量计146、阀147、阀148和定压阀149。

泵143形成从罐141出发，通过循环流路142而回到罐141的第二清洗液的循环流。过滤器144除去在循环流路142内循环的第二清洗液所包含的颗粒等污染物质。

加热器145使在循环流路142内循环的第二清洗液升温。流量计146测量在循环流路142内循环的第二清洗液的流量。定压阀149控制在循环流路142内循环的第二清洗液的流量。

另外，罐141经阀150与排液部dr连接，循环流路142经阀151与排液部dr连接。由此，控制部18能够在更换罐141内和循环流路142内的第二清洗液时等，控制阀150、151来将罐141内和循环流路142内的第二清洗液排出到排液部dr。

另外，从循环流路142中的阀147与阀148之间，分支出第二清洗液供给流路152。该第二清洗液供给流路152设置在第二清洗液供给部7与清洗液供给流路112的合流部113之间，将由第二清洗液供给部7进行了温度调节处理的第二清洗液供给到清洗液供给流路112。

另外，从第二清洗液供给流路152分支出分支流路153。该分支流路153与处理单元16的下表面供给部60(参照图2)连接，将由第二清洗液供给部7进行了温度调节处理的第二清洗液供给到该下表面供给部60。

在分支流路153，从上游侧起依次设置有流量计154、定压阀155和阀156。流量计154测量在分支流路153内循环的第二清洗液的流量。定压阀155控制在分支流路153内循环的第二清洗液的流量。

<基片处理>

下面，参照图4～图7，对实施方式的基片处理的详情进行说明。图4是用于说明实施方式的基片处理的步骤的图。

对进行了干蚀刻的晶片w，基片处理系统1(参照图2)如图4的(a)所示，控制喷嘴41a，实施用第一清洗液(新液)清洗晶片w的正面的第一清洗处理。通过该第一清洗处理，基片处理系统1能够除去附着在晶片w的正面的颗粒。

此外，该第一清洗处理时，基片处理系统1控制喷嘴61a，用第二清洗液(回收液)清洗晶片w的背面。由此，基片处理系统1能够除去附着在晶片w的背面的颗粒。

接着，基片处理系统1如图4的(b)所示，控制喷嘴41a，实施用第二清洗液(回收液)清洗晶片w的正面的第二清洗处理。通过该第二清洗处理，基片处理系统1能够除去在第一清洗处理中未除去的正面的颗粒。

此外，在该第二清洗处理时，基片处理系统1不断地用第二清洗液(回收液)清洗晶片w的背面。

接着，基片处理系统1如图4的(c)所示，控制喷嘴41b，实施用功能水冲洗晶片w的正面的冲洗处理。通过该冲洗处理，基片处理系统1能够除去残留在晶片w的正面的清洗液。

此外，在该冲洗处理时，基片处理系统1控制喷嘴61b，用功能水冲洗晶片w的背面。由此，基片处理系统1能够除去残留在晶片w的正面的清洗液。

最后，基片处理系统1控制液处理部30(参照图2)，来实施晶片w的干燥处理(例如，旋转干燥)(省略图示)。

如上所述，在实施方式中，在除去附着在晶片w的正面的颗粒时，首先用清洁度高的新液清洗晶片w的正面，接着用清洁度低的回收液清洗晶片w的正面。

此处，给出在晶片w的清洗处理中将新液和回收液分开使用的情况下，供给两种清洗液的时刻与残留在晶片w的颗粒关系。图5是表示实施方式的基片处理中的回收液和新液的供给时刻导致的差异的图。

此外，图5的例子是将释放到晶片w的正面的清洗液的流量设定为1500(ml/min)，将释放到晶片w的背面的清洗液的流量设定为1000(ml/min)，将用清洗液进行处理的处理时间设定为30秒的情况的结果。

如图5所示，在清洗处理的所有期间(30秒)使用回收液的情况下，该回收液的清洁度低，所以，在清洗后残留在晶片w的颗粒的数量变多。

另外，在清洗处理的最开始的期间(23秒)使用回收液，在下一期间(7秒)使用新液的情况下，清洗后残留在晶片w的颗粒的数量与在所有期间使用回收液的情况相比几乎没有变化。

推测这是因为在最开始的期间使用清洁度低的回收液时，在该最开始的期间颗粒牢固地附着在晶片w上，所以即使在下一期间使用新液，也难以将牢固地附着的颗粒除去。

另一方面，如上述的实施方式所示，在最开始的期间(5秒)使用新液，在下一期间(23秒)使用回收液，在最后的期间(2秒)使用新液时，与使用新液的时长本身没有改变的情况无关，而残留在晶片w的颗粒的数量大幅减少。

推测这是因为通过在最开始的期间使用清洁度高的新液，能够抑制颗粒牢固地附着在晶片w上，所以能够有效地除去颗粒。

如上所述，在实施方式中，通过在清洗处理的最开始的期间使用清洁度高的新液，并在下一期间使用清洁度低的回收液，与使用清洁度低的回收液的情况相比，能够从晶片w的正面充分地除去颗粒。

另外，在实施方式中，能够在清洗处理中使用回收液，因此能够减少清洗处理所需要的新液的量。所以，依照实施方式，能够降低清洗处理的成本。

此外，如图4所示，在实施方式的清洗处理中，晶片w的背面与正面相比附着的颗粒的量少，因此即使用清洁度低的回收液清洗了背面，在实际应用上也没有问题。

另外，通过在所有期间用用回收液清洗晶片w的背面，能够进一步减少清洗处理所需要的新液的量，因此能够进一步降低清洗处理的成本。

另外，在实施方式中，在冲洗处理中可以使用功能水。图6是表示实施方式的冲洗处理中的diw与功能水的差异的图。

此外，图6的例子是除了与图5的例子相同的条件之外，作为功能水使用浓度为3(ppmw)、温度25℃的稀释氨水，将释放到晶片w的正面和背面的diw和功能水的流量设定为1500(ml/min)的情况的结果。

如图6所示，与冲洗处理中使用diw的情况相比，通过在冲洗处理中使用功能水，能够降低残留在晶片w的颗粒的数量。

推测该结果源于以下的理由。在电动电位的观点出发，将碱性的功能水用于冲洗处理，由此能够使残留在晶片w上的颗粒的表面带负电。

而且，由硅构成的晶片w的表面带有负电，在实施方式中，能够通过功能水抑制带负电的颗粒的附着。

此外，在实施方式中，给出了用功能水实施了冲洗处理的情况，但是，也可以用碱性的处理液(例如，sc1(氨和过氧化氢水溶液的混合液))实施冲洗处理。

由此，除了使颗粒带负电的效果之外，通过对晶片w的表面氧化膜进行微量蚀刻，能够得到除去附着在该表面氧化膜上的颗粒的效果。所以，通过用碱性的蚀刻液实施冲洗处理，能够进一步降低残留在晶片w的颗粒的数量。

另外，在实施方式中，可以在比室温(25℃)低的温度下实施清洗液(例如，回收液)的过滤处理。图7是表示实施方式的过滤处理中的回收液的温度的差异的图。

此外，图7的例是将释放到晶片w的正面的清洗液的流量设定为1500(ml/min)，将释放到晶片w的背面的清洗液的流量设定为1000(ml/min)、，将由清洗液进行处理的处理时间设定为250秒的情况的结果。

如图7所示，与在室温(25℃)下实施过滤处理的情况相比，通过在比室温低的温度(20℃、18℃)下实施过滤处理，能够降低残留在晶片w的颗粒的数量。

推测该结果源于以下的理由。在比室温低的温度(以下简称为“低温”。)下的过滤处理中，与室温下的过滤处理相比，过滤器125(参照图3)内的膜(membrane)收缩。

由此，该膜的孔径变窄，因此与过滤器125相比能够收集更小的颗粒。所以，依照实施方式，能够提高过滤器125的过滤能力。

另外，在低温的过滤处理中，与室温的过滤处理相比，能够降低从过滤器125的膜溶出的颗粒的量。由此，也能够提高过滤器125的过滤能力。

<各种变形例>

下面，参照图8～图16，对实施方式的各种变形例进行说明。图8是用于说明实施方式的变形例1的基片处理的步骤的图。此外，在后面的例子中，对于与图4所示的实施方式相同的处理，省略说明。

对进行了干蚀刻的晶片w，基片处理系统1(参照图2)如图8的(a)所示，控制喷嘴41a，用第一清洗液(新液)清洗晶片w的正面。接着，基片处理系统1如图8的(b)所示，控制喷嘴41a，用第二清洗液(回收液)清洗晶片w的正面。

接着，基片处理系统1如图8的(c)所示，控制喷嘴41a，用第一清洗液(新液)清洗晶片w的正面。然后，基片处理系统1如图8的(d)所示，控制喷嘴41b，用功能水冲洗晶片w的正面。最后，基片处理系统1实施晶片w的干燥处理(省略图示)。

即，在变形例1中，在实施方式的第二清洗处理与冲洗处理之间增加用第一清洗液进行的清洗处理。由此，能够除去在第二清洗处理中未除去的正面的颗粒。

因此，依照变形例1，在使用清洁度低的回收液的情况下，能够从晶片w的正面进一步充分地除去颗粒。

图9是用于说明实施方式的变形例2的基片处理的步骤的图。对进行了干蚀刻的晶片w，基片处理系统1(参照图2)如图9的(a)所示，控制喷嘴41a，用第一清洗液(新液)清洗晶片w的正面。

接着，基片处理系统1图9的(b)所示，控制喷嘴41b，用功能水冲洗晶片w的正面。然后，基片处理系统1如图9的(c)如所示，控制喷嘴41a，用第一清洗液(新液)清洗晶片w的正面。

接着，基片处理系统1如图8的(d)所示，控制喷嘴41b，用功能水冲洗晶片w的正面。最后，基片处理系统1实施晶片w的干燥处理(省略图示)。

即，在变形例2中，在用第一清洗液进行的2次清洗处理之间增加冲洗处理。由此，能够除去在用第一清洗液的最开始的清洗处理中未除去的正面的颗粒。因此，依照变形例2，能够从晶片w的正面充分地除去颗粒。

图10是用于说明实施方式的变形例3的基片处理的步骤的图。对进行了干蚀刻的晶片w，基片处理系统1(参照图2)如图10的(a)所示，控制喷嘴41a，用第一清洗液(新液)清洗晶片w的正面。

接着，基片处理系统1如图10的(b)所示，控制喷嘴41b，用功能水冲洗晶片w的正面。然后，基片处理系统1如图10的(c)所示，控制喷嘴41a，用第二清洗液(回收液)清洗晶片w的正面。

接着，基片处理系统1如图10的(d)所示，控制喷嘴41b，用功能水冲洗晶片w的正面。最后，基片处理系统1实施晶片w的干燥处理(省略图示)。

即，在变形例3中，在实施方式的第一清洗处理与第二清洗处理之间增加冲洗处理。由此，能够除去在第一清洗处理中未除去的正面的颗粒。

因此，依照变形例3，在使用清洁度低的回收液的情况下，能够从晶片w的正面充分地除去颗粒。

图11是表示实施方式的变形例4的基片处理系统1的配管构成的示意图。如图11所示，变形例4的基片处理系统1与上述的实施方式不同之处在于，设置有从清洗液回收部6对处理单元16供给第二清洗液的第二清洗液供给流路136。因此，在后面的例子中，对与图3所示的实施方式相同的部位标注相同的附图标记，省略说明。

第二清洗液供给流路136从分支流路132中的过滤器134与阀135之间分支。另外，在第二清洗液供给流路152设置有合流部157，该合流部157与第二清洗液供给流路136连接。

由此，变形例4的基片处理系统1，能够将在清洗液回收部6中以低温进行了过滤处理的回收液，以低温的状态供给到处理单元16。

图12是用于说明实施方式的变形例4的基片处理的步骤的图。对进行了干蚀刻的晶片w，基片处理系统1(参照图11)如图12的(a)所示，控制喷嘴41a，用用高温的第一清洗液(新液)清洗晶片w的正面。该高温的新液能够通过用第一清洗液供给部5的加热器105(参照图11)使新液升温而生成。

如上所述，通过用高温的新液清洗晶片w的正面，在作为清洗液使用dsp的情况等，用该清洗液蚀刻晶片w的表面的情况下，能够提高蚀刻速率。

接着，基片处理系统1如图12的(b)所示，控制喷嘴41a，用低温的第二清洗液(回收液)清洗晶片w的正面。该低温的回收液从清洗液回收部6经由第二清洗液供给流路136被供给。

如上所述，用低温的回收液清洗晶片w的正面，在用清洗液蚀刻晶片w的表面的情况下，能够降低蚀刻速率。由此，使利用高温的新液的清洗处理和利用低温的回收液的清洗处理相配合，能够使总蚀刻量与给定的值一致。

接着，基片处理系统1如图12的(c)所示，控制喷嘴41b，用功能水冲洗晶片w的正面。最后，基片处理系统1实施晶片w的干燥处理(省略图示)。

图13是表示实施方式的变形例5的基片处理系统1的配管构成的示意图。如图13所示，变形例5的基片处理系统1与实施方式的不同之处在于，在第一清洗液供给部5的循环流路102不设置加热器105而设置冷却器118。

该冷却器118设置在循环流路102中的泵103与过滤器104之间，冷却在循环流路102内循环的第一清洗液(新液)。

在变形例5中，通过使用冷却器118，能够在比室温低的温度下实施第一清洗液的过滤处理。因此，依照变形例5，能够进一步提高第一清洗液的清洁度，所以能够进一步降低残留在晶片w的颗粒的数量。

另外，在变形例5中，能够将在第一清洗液供给部5中以低温进行了过滤处理的新液，以低温的状态供给到处理单元16。

图14是用于说明实施方式的变形例5的基片处理的步骤的图。对进行了干蚀刻的晶片w，基片处理系统1(参照图13)图14的(a)如所示，控制喷嘴41a，用低温的第一清洗液(新液)清洗晶片w的正面。该低温的新液从第一清洗液供给部5供给。

如上所述，通过用低温的新液清洗晶片w的正面，在作为清洗液使用dsp的情况下等，用该清洗液蚀刻晶片w的表面的情况下，能够成为颗粒难以附着在晶片w上的状态。

接着，基片处理系统1如图14的(b)所示，控制喷嘴41a，用高温的第二清洗液(回收液)清洗晶片w的正面。该高温的回收液能够通过用第二清洗液供给部7的加热器145使回收液升温而生成。

如上所述，通过用高温的回收液清洗晶片w的正面，在用清洗液蚀刻晶片w的表面的情况下，能够提高蚀刻速率。由此，使低温的新液的清洗处理和高温的回收液的清洗处理相配合，能够使总蚀刻量与给定的值一致。

接着，基片处理系统1如图14的(c)所示，控制喷嘴41b，用功能水冲洗晶片w的正面。最后，基片处理系统1实施晶片w的干燥处理(省略图示)。

在至此已说明的实施方式和各种变形例中，给出了作为第一清洗液使用了未使用的清洗液(即，新液)的情况，但是实施方式的第一清洗液并不限于未使用的清洗液。

图15是表示实施方式的变形例6的基片处理系统1的配管构成的示意图。如图15所示，变形例6的基片处理系统1与变形例4不同之处在于，分支流路132仅与合流部157连接，并且从排出流路120分支出分支流路137，该分支流路137与第二清洗液供给部7连接。

分支流路137经由排出流路120设置在处理单元16与第二清洗液供给部7的罐141之间。通过设置该分支流路137，能够将在处理单元16中已使用的清洗液直接供给到第二清洗液供给部7。

因此，依照变形例6，能够对在处理单元16中已使用的清洗液，在第二清洗液供给部7中在室温或者比室温高的温度(以下简称为“高温”。)下进行过滤处理。

另外，在变形例6中，分支流路132与合流部157连接，由此，能够将在清洗液回收部6中以低温进行了过滤处理的回收液直接供给到处理单元16。

图16是用于说明实施方式的变形例6的基片处理的步骤的图。对进行了干蚀刻的晶片w，基片处理系统1(参照图15)如图16的(a)如所示，控制喷嘴41a，用以低温进行了过滤的回收液清洗晶片w的正面。

接着，基片处理系统1如图16的(b)所示，控制喷嘴41a，用以室温进行了过滤处理的回收液清洗晶片w的正面。然后，基片处理系统1如图16的(c)所示，控制喷嘴41b，用功能水冲洗晶片w的正面。最后，基片处理系统1实施晶片w的干燥处理(省略图示)。

此处，在变形例6中，以低温进行了过滤的回收液与以室温进行了过滤的回收液相比，清洁度更高。即，在变形例6中，以低温进行了过滤的回收液成为第一清洗液，以室温进行了过滤的回收液成为第二清洗液。

在该变形例6中，最开始用清洁度高的第一清洗液实施清洗处理，接着用清洁度低的第二清洗液实施清洗处理。由此，即使使用以室温进行了过滤处理的清洁度低的回收液的情况下，也能够从晶片w的正面充分地除去颗粒。

另外，在变形例6中，能够在清洗处理的所有期间使用回收液，因此能够进一步减少清洗处理中所需要的新液的量。所以，依照变形例6，能够进一步降低清洗处理的成本。

如上所述，在本发明中，能够将清洁度比第二清洗液高的清洗液用作第一清洗液。例如，可以将以低温进行了过滤处理的新液用作第一清洗液，也可以将以室温或高温进行了过滤处理的新液用作第二清洗液。

另外，也可以将以低温进行了过滤处理的新液用作第一清洗液，将以低温、室温或者高温进行了过滤处理的回收液用作第二清洗液。

另外，也可以将以室温或者高温进行了过滤处理的新液用作第一清洗液，将以低温、室温或者高温进行了过滤处理的回收液用作第二清洗液。另外，也可以将以室温进行了过滤处理的回收液用作第一清洗液，将以高温进行了过滤处理的回收液用作第二清洗液。

实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)包括基片处理部(处理单元16)、第一清洗液供给部5、清洗液回收部6和第二清洗液供给部7。基片处理部(处理单元16)对基片(晶片w)进行处理。第一清洗液供给部5对基片处理部(处理单元16)供给未使用的清洗液。清洗液回收部6回收在基片处理部(处理单元16)中使用过的清洗液。第二清洗液供给部7将由清洗液回收部6回收的已使用的清洗液供给到基片处理部(处理单元16)。由此，在使用清洁度低的回收液的情况下，也能够从晶片w充分地除去颗粒。

另外，实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)还包括控制基片处理部(处理单元16)、第一清洗液供给部5、清洗液回收部6和第二清洗液供给部7的控制部18。控制部18在从第一清洗液供给部5供给未使用的清洗液后，从第二清洗液供给部7供给已使用的清洗液。由此，在使用清洁度低的回收液的情况下，也能够从晶片w充分地除去颗粒。

另外，在实施方式的基片处理装置(基片处理系统1)中，清洗液回收部6具有对回收的清洗液进行过滤的过滤器125，过滤器125在比室温低的温度下对回收的清洗液进行过滤。由此，能够降低残留在晶片w的颗粒的数量。

<基片处理的步骤>

接着，参照图17，对实施方式的基片处理的步骤进行说明。图17是表示实施方式的基片处理系统1执行的基片处理的步骤的流程图。

首先，控制部18控制第一清洗液供给部5和处理单元16，实施用第一清洗液清洗晶片w的第一清洗处理(步骤s101)。接着，控制部18控制第二清洗液供给部7和处理单元16，实施用与第一清洗液相比清洁度低的第二清洗液清洗晶片w的第二清洗处理(步骤s103)。

接着，控制部18控制功能水供给流路44和处理单元16，实施用功能水进行的晶片w的冲洗处理(步骤s103)。然后，控制部18控制液处理部30，实施晶片w的干燥处理(步骤s104)。在该步骤s104结束时，一连串的处理完成。

实施方式的基片处理方法包括第一清洗步骤(步骤s101)和第二清洗步骤(步骤s102)。第一清洗步骤(步骤s101)用第一清洗液清洗基片(晶片w)。第二清洗步骤(步骤s102)在第一清洗步骤(步骤s101)后，用与第一清洗液相比清洁度低的第二清洗液清洗基片(晶片w)。由此，在使用清洁度低的回收液的情况下，也能够从晶片w充分地除去颗粒。

另外，在实施方式的基片处理方法中，第一清洗液是未使用的清洗液，第二清洗液是已使用的清洗液。由此，能够减少清洗处理所需要的新液的量，因此能够降低清洗处理的成本。

另外，在实施方式的基片处理方法中，第二清洗液是在使用后在比室温低的温度下进行了过滤的清洗液。由此，能够提高第二清洗液的清洁度，因此能够降低残留在晶片w的颗粒的数量。

另外，在实施方式的基片处理方法中，第一清洗液是在未使用的状态下在比室温低的温度下进行了过滤的清洗液。由此，能够进一步提高第一清洗液的清洁度，能够降低残留在晶片w的颗粒的数量。

另外，在实施方式的基片处理方法中，第一清洗液是在使用后在比室温低的温度下进行了过滤的清洗液，第二清洗液是在使用后在室温以上的温度下进行了过滤的清洗液。由此，能够在清洗处理的所有期间使用回收液，因此能够进一步减少清洗处理所需要的新液的量。

另外，实施方式的基片处理方法还包括在第二清洗步骤(步骤s102)后，用功能水冲洗基片(晶片w)的冲洗步骤(步骤s103)。由此，能够减少残留在晶片w的颗粒的数量。

另外，在实施方式的基片处理方法中，第一清洗步骤(步骤s101)用室温以上的温度的第一清洗液清洗基片(晶片w)，第二清洗步骤(步骤s102)用比室温低的温度的第二清洗液清洗基片(晶片w)。由此，能够使总蚀刻量与给定的值一致。

另外，在实施方式的基片处理方法中，第一清洗步骤(步骤s101)用比室温低的温度的第一清洗液清洗基片(晶片w)，第二清洗步骤(步骤s102)用室温以上的温度的第二清洗液清洗基片(晶片w)。由此，能够使总蚀刻量与给定的值一致。

以上，对本发明的实施方式进行了说明，但是本发明不限于上述的实施方式，只要不脱离其主旨就能够进行各种改变。例如，在上述的实施方式中，给出了清洗液使用dsp等的酸类清洗液的情况，但是实施方式的清洗液并不限于酸类清洗液。

另外，在上述的实施方式中，给出了第一清洗液和第二清洗液是清洁度不同的相同种类的清洗液的情况，但是第一清洗液和第二清洗液也可以是清洁度和种类均不同的清洗液。

本次公开的实施方式在所有方面均是例示，而不理解为限定性的。实际上，上述的实施方式能够以各种各样的方式实现。另外，上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够以各种的方式进行省略、置换、改变。