1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
用第一清洗液清洗基片的第一清洗步骤；和
在所述第一清洗步骤后，用与所述第一清洗液相比清洁度低的第二清洗液清洗所述基片的第二清洗步骤。
2.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一清洗液是未使用的清洗液，
所述第二清洗液是已使用的清洗液。
3.如权利要求2所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第二清洗液是在使用后在比室温低的温度下进行了过滤的清洗液。
4.如权利要求2或者3所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一清洗液是在未使用的状态下在比室温低的温度下进行了过滤的清洗液。
5.如权利要求1所述的基片处理方法，其特征在于：
所述第一清洗液是在使用后在比室温低的温度下进行了过滤的清洗液，
所述第二清洗液是在使用后在室温以上的温度下进行了过滤的清洗液。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理方法，其特征在于，还包括：
在第二清洗步骤后，用功能水冲洗所述基片的冲洗步骤。
7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述第一清洗步骤中，用室温以上的温度的所述第一清洗液清洗所述基片，
在所述第二清洗步骤中，用比室温低的温度的所述第二清洗液清洗所述基片。
8.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述第一清洗步骤中，用比室温低的温度的所述第一清洗液清洗所述基片，
在所述第二清洗步骤中，用室温以上的温度的所述第二清洗液清洗所述基片。
9.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
对基片进行处理的基片处理部；
对所述基片处理部供给未使用的清洗液的第一清洗液供给部；
回收由所述基片处理部使用过的清洗液的清洗液回收部；和
将由所述清洗液回收部回收的已使用的清洗液供给到所述基片处理部的第二清洗液供给部。
10.如权利要求9所述的基片处理装置，其特征在于：
还包括控制所述基片处理部、所述第一清洗液供给部、所述清洗液回收部和所述第二清洗液供给部的控制部，
所述控制部在从所述第一清洗液供给部供给未使用的清洗液后，从所述第二清洗液供给部供给已使用的清洗液。
11.如权利要求9或10所述的基片处理装置，其特征在于：
所述清洗液回收部具有过滤所回收的清洗液的过滤器，
所述过滤器在比室温低的温度下过滤所回收的清洗液。