技术特征：
1.一种发光装置，包括：第一电极和第二电极，各自具有与另一个相对的表面；以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的夹层，所述夹层包括发射层和空穴传输区，所述空穴传输区设置在所述第一电极和所述发射层之间，其中所述发射层包括第一发射层和第二发射层，所述第一发射层设置在所述空穴传输区和所述第二发射层之间，其中所述第一发射层包括第一主体和第一发光材料，并且所述第二发射层包括第二主体和第二发光材料，其中所述第二主体为取代的蒽化合物，并且所述第一主体和所述第二主体彼此不同，其中所述第二主体的最低未占分子轨道能级小于所述第一主体的最低未占分子轨道能级，并且所述第一主体的所述最低未占分子轨道能级和所述第二主体的所述最低未占分子轨道能级中的每一个都具有使用密度泛函理论方法评估的负值。2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二主体的所述最低未占分子轨道能级和所述第一主体的所述最低未占分子轨道能级之间的差的绝对值为0.3ev或更小。3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二主体的所述最低未占分子轨道能级和所述第一主体的所述最低未占分子轨道能级之间的差的绝对值为0.1ev至0.3ev。4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一主体为取代的蒽化合物。5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一主体为包括至少一个a1基团的取代的蒽化合物，并且所述至少一个a1基团独立地为：i)包括至少一个第一基团、至少一个第二基团和至少一个第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(a1-i)，ii)包括至少一个第一基团和至少一个第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(a1-ii)，iii)包括两个或更多个第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(a1-iii)，或iv)第三基团，其中所述第一基团为呋喃基、噻吩基或环戊二烯基，所述第二基团为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基或三嗪基，并且所述第三基团为苯基。6.如权利要求5所述的发光装置，其中所述至少一个a1基团中的每一个为苯并呋喃并喹啉基、苯并呋喃并异喹啉基、二苯并呋喃基、茚并二苯并呋喃基、萘并苯并呋喃基、萘基、菲基、芘基、1,2-苯并菲基或苝基。7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第二主体为包括至少一个a2基团的取代的蒽化合物，并且所述至少一个a2基团独立地为：i)包括至少一个第一基团和至少一个第三基团的稠合环状基团作为稠环基团(a2-i)，ii)第四基团，
iii)包括至少一个第三基团和至少一个第四基团的稠合环状基团作为稠环基团(a2-iii)，或iv)包括至少一个第三基团和至少一个第五基团的稠合环状基团作为稠环基团(a2-iv)，其中所述第一基团为呋喃基、噻吩基或环戊二烯基，所述第三基团为苯基，所述第四基团为吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、咪唑基或噻唑基，并且所述第五基团为1h-吡咯基或二氢-1h吡咯基。8.如权利要求7所述的发光装置，其中所述至少一个a2基团中的每一个为萘并苯并呋喃基、萘并苯并噻吩基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、咪唑基、噻唑基、喹啉基、异喹啉基、苯并咪唑基或咔唑基。9.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发光材料和所述第二发光材料各自为蓝色发光材料。10.如权利要求1所述的发光装置，其中所述第一发光材料和所述第二发光材料各自为荧光材料。11.如权利要求1所述的发光装置，其中所述空穴传输区包括电子俘获层，其中所述电子俘获层直接接触所述第一发射层，并且所述电子俘获层包括电子俘获化合物。12.如权利要求11所述的发光装置，其中所述第一主体的所述最低未占分子轨道能级小于所述电子俘获化合物的最低未占分子轨道能级，并且所述电子俘获化合物的所述最低未占分子轨道能级具有负值并使用所述密度泛函理论方法来评估。13.如权利要求11所述的发光装置，其中所述电子俘获化合物为取代的蒽化合物，并且所述电子俘获化合物和所述第一主体彼此不同。14.如权利要求11所述的发光装置，其中所述电子俘获层进一步包括空穴传输材料。15.如权利要求14所述的发光装置，其中基于100重量份的所述电子俘获层，所述电子俘获层中的所述电子俘获化合物为0.1重量份至10重量份。16.如权利要求11所述的发光装置，其中所述电子俘获层的厚度为2纳米至20纳米。17.如权利要求1所述的发光装置，进一步包括所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，其中所述电子传输区进一步包括空穴阻挡层，所述空穴阻挡层直接接触所述第二发射层，并且所述空穴阻挡层包括空穴阻挡材料，其中所述空穴阻挡材料的最低未占分子轨道能级和所述第二主体的所述最低未占分子轨道能级之间的差的绝对值为0.15ev或更小，并且所述空穴阻挡材料的所述最低未占分子轨道能级具有负值并且使用所述密度泛函理论方法来评估。18.一种电子设备，包括根据权利要求1至17中任一项所述的发光装置。19.如权利要求18所述的电子设备，进一步包括薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，并且所述发光装置的所述第一电极电连接到所述薄膜晶体管的所述源电极和所述漏电极中的至少一个。20.如权利要求18所述的电子设备，进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层
或其任何组合。
技术总结
提供了发光装置和包括发光装置的电子设备。发光装置包括：第一电极和第二电极，各自具有与另一个相对的表面；以及设置在第一电极和第二电极之间的夹层，其中夹层包括发射层和空穴传输区，空穴传输区置于第一电极和发射层之间。发射层包括第一发射层和第二发射层，第一发射层置于空穴传输区和第二发射层之间，其中第一发射层包括第一主体和第一发光材料，并且第二发射层包括第二主体和第二发光材料。第二主体为取代的蒽化合物，并且第一主体和第二主体彼此不同。第二主体的最低未占分子轨道(LUMO)能级小于第一主体的LUMO能级，并且第一主体的LUMO能级和第二主体的LUMO能级中的每一个都具有负值并使用密度泛函理论(DFT)方法确定。确定。确定。
技术研发人员：崔善美 姜宣宇
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.12.24
技术公布日：2022/7/1