物作为主成分的情况下，也可不进行表面处理。
[0132] 具有包含由本发明的电荷传输性清漆得到的薄膜的空穴注入层的OL邸元件的制 作方法的实例如下所述。
[0133] 采用上述的方法在阳极基板上涂布本发明的电荷传输性清漆，进行烧成，在电极 上制作空穴注入层。将其导入真空蒸锻装置内，依次蒸锻空穴传输层、发光层、电子传输层、 电子注入层、阴极金属，制成OL邸元件。为了控制发光区域，可在任意的层间设置载流子阻 挡层。
[0134] 作为阳极材料，可列举W铜锡氧化物（ITO)、铜锋氧化物（IZO)为代表的透明电 极，优选进行了平坦化处理的产物。也能够使用具有高电荷传输性的聚嚷吩衍生物、聚苯胺 衍生物。 阳135] 作为形成空穴传输层的材料，可列举（S苯基胺）二聚体衍生物（TPD)、N，N' -二 (1-糞基）-N，N' -二苯基联苯胺（a-NPD)、[(S苯基胺）二聚体]螺二聚体（Spiro-TAD)等S芳基胺类、4,4'，4"-S巧-甲基苯基（苯基）氨基]S苯基胺（m-MTDATA)、4,4'，4"-S [I-糞基（苯基）氨基]S苯基胺（I-TNATA)等星爆形胺类、5, 5"-双-{4-[双（4-甲基苯 基）氨基]苯基}-2,2' ：5'，2"-S联嚷吩度MA-3T)等低聚嚷吩类等。
[0136] 作为形成发光层的材料，可列举S(8-径基哇晰合）侣（III) (Alqs)、双（8-径基 哇晰合）锋（II)狂叫2)、双（2-甲基-8-径基哇晰合）（对-苯基苯酪合）侣（III) @Alq) 和4,4'-双（2,2-二苯基乙締基）联苯值PVBi)等，可通过将电子传输材料或空穴传输材 料与发光性渗杂剂共蒸锻而形成发光层。 阳137] 作为电子传输材料，可列举A1q3、BAlq、DPVBiJ-(4-联苯）-5-(4-叔-下基苯 基）-1,3,4-嗯二挫（P抓）、S挫衍生物灯A幻、浴铜灵度CP)、嚷咯（シ口一;k)衍生物等。 [0138] 作为发光性渗杂剂，可列举哇叮晚酬、红巧締、香豆素540、4-(二氯基亚甲 基）-2-甲基-6-(对-二甲基氨基苯乙締基）-4H-化喃值CM)、S(2-苯基化晚）银（III) 化細7)3)、（1，1〇-菲咯嘟）-立（4,4,4-立氣-1-(2-嚷吩基）-下烧-1，3-二酬合）館 (III)巧U(TTA)本hen)等。
[0139] 作为形成载流子阻挡层的材料，可列举PBD、TAZ、BCP等。
[0140] 作为形成电子注入层的材料，可列举氧化裡（化〇)、氧化儀（MgO)、氧化侣 (AI2O3)、氣化裡化1巧、氣化钢（NaFO、氣化儀（MgFz)、氣化锁（SrFz)、Liq、Li(acac)、酉昔酉畫裡、 苯甲酸裡等。 阳141] 作为阴极材料，可列举侣、儀-银合金、侣-裡合金、裡、钢、钟、飽等。 阳142] 使用了本发明的电荷传输性清漆的PL邸元件的制作方法，并无特别限定，可列举 W下的方法。
[0143] 上述OL邸元件制作中，通过代替进行空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入 层的真空蒸锻操作，而依次形成空穴传输性高分子层、发光性高分子层，从而能够制作具有 由本发明的电荷传输性清漆形成的电荷传输性薄膜的PL邸元件。具体地，在阳极基板上涂 布本发明的电荷传输性清漆，采用上述的方法制作空穴注入层，在其上依次形成空穴传输 性高分子层、发光性高分子层，进而蒸锻阴极电极，制成PLED元件。
[0144] 作为使用的阴极和阳极材料，能够使用与上述OL邸元件制作时同样的阴极和阳 极材料，能够进行同样的洗净处理、表面处理。
[0145] 作为空穴传输性高分子层和发光性高分子层的形成法，可列举如下方法：通过在 空穴传输性高分子材料或发光性高分子材料、或者在它们中加入了渗杂剂的材料中加入溶 剂而溶解，或者均匀地分散，在空穴注入层或空穴传输性高分子层上涂布后，分别进行烧成 而成膜。 阳146] 作为空穴传输性高分子材料，可列举聚[(9,9-二己基巧基-2,7-二基）-共- (N， N'-双{对-下基苯基}-1，4-二氨基亚苯基）]、聚[(9,9-二辛基巧基-2,7-二基）-共-(N，N'-双{对-下基苯基}-1,1'-亚联苯基-4,4-二胺）]、聚[(9,9-双U'-戊締-5'-基} 巧基-2,7-二基）-共-(N，N'-双{对-下基苯基}-1，4-二氨基亚苯基）]、聚阳，N'-双 (4-下基苯基）-N，N'-双（苯基）-联苯胺]-用聚娃倍半氧烧封端、聚[(9,9-二辛基巧 基-2,7-二基）-共-(4,4'-(N-(对-下基苯基））二苯基胺）]等。
[0147] 作为发光性高分子材料，可列举聚巧，9-二烷基巧）（PDA巧等聚巧衍生物、聚 (2-甲氧基-5-(2' -乙基己氧基）-1,4-亚苯基亚乙締基）（MEH-PPV)等聚亚苯基亚乙締基 衍生物、聚（3-烷基嚷吩）（PAT)等聚嚷吩衍生物、聚乙締基巧挫（PVCz)等。
[0148] 作为溶剂，能够列举甲苯、二甲苯、氯仿等，作为溶解或均匀分散法，可列举揽拌、 加热揽拌、超声波分散等方法。
[0149] 作为涂布方法，并无特别限定，可列举喷墨法、喷涂法、浸溃法、旋涂法、转印印刷 法、漉涂法、毛刷涂布等。再有，涂布优选在氮、氣等非活性气体下进行。 阳150] 作为烧成的方法，可列举在非活性气体下或真空中、用烘箱或热板加热的方法。 阳151] 实施例
[0152] W下列举实施例和比较例，对本发明更具体地说明，但本发明并不限定于下述的 实施例。应予说明，使用的装置如下所述。 阳15引 （1)Ih-NMR测定：y六シ制造高分辨力核磁共振装置
[0154] (2)基板洗净：长州产业（株）制造基板洗净装置（减压等离子体方式）
[0155] (3)清漆的涂布：S力亏（株）制造旋涂器MS-AlOO 阳156] (4)膜厚测定：（株）小坂研究所制造微细形状测定机亏一7 3 -父ET-4000 阳157] (5)透射率测定：（株）岛津制作所制造可见紫外线吸收光谱测定装置UV-3100PC
[0158] (6化L元件的制作：长州产业（株）制造多功能蒸锻装置系统C-E化IGl-N
[0159] (7化L元件的亮度等的测定：（有）テッ夕? 7-瓜K制造I-V-L测定系统 阳16〇] 山化合物的合成 阳16U [合成例1]苯胺衍生物A(式（f))的合成 阳162][化 12]
[0164] 在4,4' -二氨基二苯基胺10.OOg巧0. 19毫摩尔）、4-漠S苯基胺34. 17g(105. 40 毫摩尔）和二甲苯100g的混合悬浊液中加入四（S苯基麟）钮0. 5799g(0. 5018毫摩尔） 和叔下氧基钢10. 13g(105. 40毫摩尔），在氮气下130°C下揽拌14小时。 阳1化]然后，将反应混合液过滤，在其滤液中加入饱和食盐水，进行分液处理后，从有机 层将溶剂馈除，使用1，4-二嗯烧对得到的固体进行重结晶，得到了苯胺衍生物A(收量： 22. 37g、收率：65%)。 阳166][合成例2]芳基横酸C(式做）的合成阳167][化 13]
[0169] 在充分干燥的1-糞酪-3,6-二横酸钢11. 0g(31. 59毫摩尔）中，在氮气氛下依 次加入全氣联苯4. 797g(14. 36摩尔）、碳酸钟4. 167g(30. 15摩尔）和N，N-二甲基甲酯胺 IOOmU对反应体系进行了氮置换后，在内溫100°C下揽拌6小时。
[0170] 自然冷却到室溫后，为了使反应后析出的芳基横酸C再溶解，进一步加入SOOmL的 N，N-二甲基甲酯胺，在室溫下揽拌90分钟。揽拌结束后，将该溶液过滤，将碳酸钟残渣除 去，减压浓缩。进而，为了将残存的杂质除去，在残渣中加入甲醇IOOmU在室溫下揽拌30分 钟。揽拌结束后，将悬浊溶液过滤，滤取滤物。在滤物中加入超纯水300mU溶解，通过使用 了阳离子交换树脂父C工ッ夕ス650C(父C?个S力；14王制造、H型约200mL、馈除溶剂：超 纯水）的柱色谱进行离子交换。 阳17U在减压下将抑1W下的级分浓缩干燥凝固，在减压下将残渣干燥凝固，得到了芳 基横酸C(收量：llg、收率：85% )。
[0172] [2]电荷传输性清漆的调制 阳173][实施例1-1]
[0174] 将合成例1中制造的苯胺衍生物AO. 029g(0. 042毫摩尔）、N，N'-二苯基联 苯胺（东京化成工业（株））〇. 189g(0. 563毫摩尔）和合成例2中制造的芳基横酸 CO. 282g(0. 313毫摩尔）的混合物在氮气氛下溶解于1,3-二甲基-2-咪挫嘟酬17. 5g。向 其中加入环己醇3. 5g和丙二醇3. 5g，进一步揽拌。使用孔径0. 2ym的PT阳制过滤器将得 到的溶液过滤，得到了电荷传输性清漆。再有，N，N'-二苯基联苯胺是在使用1,4-二嗯烧 重结晶、在减压下充分干燥后用于清漆的调制。
[0175] [实施例 1-2 ~1-7]
[0176] 除了使苯胺衍生物A、N，N'-二苯基联苯胺和芳基横酸C的使用量分别为 0. 056g(0. 082 毫摩尔）、0. 166g(0. 493 毫摩尔）和 0. 278g(0. 308 毫摩尔）（实施例 1-2); 0. 083g(0. 121 毫摩尔）、0. 143g(0. 425 毫摩尔）和 0. 274g(0. 303 毫摩尔）（实施例 1-3); 0. 109g(0. 159 毫摩尔）、0. 121g(0. 359 毫摩尔）和 0. 270g(0. 299 毫摩尔）（实施例 1-4); 0. 054g(0. 078 毫摩尔）、0. 092g(0.