侣/钢） 的PVD法（物理气相沉积，Physical Vapor D巧osition)进行成膜，利用光致蚀刻剂显影为 规定图案的光刻法、使用了显影的光致蚀刻剂的蚀刻和光致蚀刻剂的剥离，从而在基板11 上形成具有规定宽度的栅电极12。
[0087] 接着，利用CVD法W覆盖栅电极12的方式形成包含氧化娃膜的栅极绝缘膜13,进 而利用PVD法形成构成沟道14的IGZ0膜。之后，利用等离子体CVD法W覆盖IGZ0膜的方 式形成由氧化娃膜形成的蚀刻停止膜22。此时，通过阳离子等的瓣射，自IGZ0膜放出氧原 子，锋原子等的悬键主要产生在蚀刻停止膜22与IGZ0膜（沟道14)的边界附近。
[0088] 进而，部分地去除蚀刻停止膜22,使IGZ0膜部分地露出。
[0089] 接着，利用PVD法形成分别连接于IGZ0膜的露出部分的源电极18、漏电极19 (图9 的（A))，之后，在等离子体CVD成膜装置24中，使用四氣化娃气体、氮气W及氣气，利用CVD 法形成包含含氣的氮化娃膜的纯化膜23 (图9的度)）。
[0090] 接着，对TFT21实施热处理，例如，对基板11历时3小时持续加热至350°C地实施 热处理。此时，对纯化膜23中含有的氣原子赋予热能，氣原子（图中W "F"表示）通过蚀 刻停止膜22向沟道14扩散（图9的（C))。向沟道14扩散的氣原子将该沟道14中存在的 悬键封端。之后，结束本处理。需要说明的是，也有时在形成纯化膜23时向蚀刻停止膜22 导入氣原子，导入至蚀刻停止膜22后的氣原子利用热处理向沟道14扩散，无论在氣原子自 纯化膜23通过蚀刻停止膜22向沟道14扩散的情况下、还是氣原子自蚀刻停止膜22直接 向沟道14扩散的情况下，本发明起到的效果均不改变。
[0091] 图10为示意地示出通过图9的TFT的制造方法制造的TFT中的氣原子分布情况 的图表。通常，图10所示的氣原子分布情况能够利用SIMS确认。
[0092] 如图10所示，氣原子浓度在纯化膜23中面向沟道14缓缓地降低，但基本是一定 的，然而在蚀刻停止膜22中自纯化膜23面向沟道14 W明显降低的方式倾斜，在蚀刻停止 膜22与沟道14的边界（W下，称为"沟道边界"），W-时呈现极值的方式增加，然后在沟 道14的边界W外的部分基本成为一定的。此处，就沟道边界的氣原子浓度而言，氣原子将 该边界附近产生的悬键封端，因此与沟道14中的沟道边界W外的部分相比更高。另外，氣 原子自纯化膜23向沟道14扩散，纯化膜23的氣原子浓度比沟道14的氣原子浓度、尤其是 沟道14中的沟道边界W外的部分的氣原子浓度更高。需要说明的是，本实施方式中"沟道 边界"并不是指不具有厚度的理想的"边界"，是指作为由边界面起具有一定深度范围的厚 度的层的边界。一定深度的范围可W利用例如悬键的数目分布中存在数目急剧地减小的深 度进行定义，根据存在数的临界值的确定方法存在若干差异，但"沟道边界"与"沟道边界W 夕F"的位置的比较中，一定深度的范围被明显地区别开来，因此本实施方式中的"沟道边界" 与"沟道边界W外"所示的位置是不言自明的。
[0093] 根据本实施方式，氣原子自由含氣的氮化娃膜形成的纯化膜23向沟道14扩散，沟 道14中沟道边界的氣原子浓度变得高于沟道边界W外部分的氣原子浓度，因此在沟道边 界存在较多的氣原子，使沟道边界的附近产生的较多的悬键被较多的氣原子封端。由此，可 W抑制沟道14中的电子迁移率的降低，并且防止TFT21的性能的降低、同时实现可靠性的 提局。
[0094] 上述的本实施方式中，纯化膜23通过使用了四氣化娃气体、氮气的CVD法而形成， 因此纯化膜23确实地含有氣原子。由此，通过源自纯化膜23的氣原子，能够确实地封端沟 道14中存在的悬键。
[0095] 另外，上述的本实施方式中，在形成纯化膜23时，CVD法中使用的任一气体（四氣 化娃气体、氮气、氣气）均不含氨原子，因此氨原子不会扩散至沟道14,并且可W防止自沟 道14的氧原子的脱离，能够确实地防止TFT21的性能的降低。
[0096] 上述的本实施方式中，纯化膜23不直接与沟道14邻接，而是介由蚀刻停止膜22 与沟道14相对，此时，蚀刻停止膜22能够抑制自纯化膜23向沟道14的剧烈的氣原子的扩 散、防止氣原子在沟道14的沟道边界不均匀地存在，能够将各悬键均等地封端。另外，每单 位时间通过蚀刻停止膜22的氣原子的数目被限定了，因此例如通过调节热处理的时间，能 够控制通过蚀刻停止膜22的氣原子的数目，能够控制沟道14中的悬键的封端程度。
[0097] W上，针对本发明，使用实施方式进行说明，但本发明不限定于上述的实施方式。
[0098] 例如，上述的TFT21中，纯化膜23由含氣的氮化娃膜构成，然而纯化膜23也可W 由含氣的氧化娃（SiO:巧膜、含氣的氮氧化娃（SiON:巧膜构成。需要说明的是，等离子体 CVD成膜装置24中，在形成前者时，CVD法中使用了四氣化娃气体、氧气（〇2)和一氧化二氮 (N20)气体中的至少一种W及氣气等稀有气体；在形成后者时，CVD法中使用了四氣化娃气 体、氮气、氧气W及一氧化二氮气体中的至少一种W及氣气等稀有气体。需要说明的是，氣 气等稀有气体起到使放电的开始变得容易、调节气体浓度的效果，但为了得到本发明的效 果，并不是必须使用的。
[0099] 上述的TFT21中，氣原子仅自纯化膜23扩散，但蚀刻停止膜22和栅极绝缘膜13 由例如含氣的氧化娃膜、含氣的氮化娃膜构成，氣原子不仅是自纯化膜23,也可W自蚀刻停 止膜22、栅极绝缘膜13向沟道14扩散。
[0100] 上述的TFT21中，沟道14由IGZO构成，但构成沟道14的元素不限定于IGZO,也可 W由例如口Z0、Zn0、IZ0、AZ0等至少含有氧化锋作为构成元素的氧化物半导体、IG0等其它 金属氧化物构成。 阳101] 另外，本发明所适用的TFT的结构不限定于图7的TFT21的结构。例如，如图11 所示，与图7的TFT21相比，省略了蚀刻停止膜22,具备2层的纯化膜41、42代替1层的纯 化膜23的TFT43也可W适用本发明。该情况下，2层的纯化膜41、42的至少一者由含氣的 氮化娃膜、含氣的氧化娃膜、含氣的氮氧化娃构成，自2层的纯化膜41、42的至少一者向沟 道14扩散氣原子。 阳102] 另外，如图12所示，与图7的TFT21相比，省略了纯化膜23，具备2层的蚀刻停止 膜44、45代替1层的蚀刻停止膜22的TFT46也可W适用本发明。该情况下，2层的蚀刻停 止膜44、45中的至少一者由含氣的氮化娃膜、含氣的氧化娃膜、含氣的氮氧化娃构成，氣原 子自2层的蚀刻停止膜44、45的至少一者向沟道14扩散。需要说明的是，就扩散的结果而 言，运些含有氣的膜中的氣原子浓度分布呈现面向IGZ0膜而浓度降低的浓度梯度。
[0103] 进而，如图13所示，本发明也可W适用ΤΡΓ50,其具备：基板11上形成的栅电极 12 ;栅极绝缘膜13 ;包含沟道14的氧化物半导体层15 ;仅覆盖沟道14的蚀刻停止膜47 ;覆 盖蚀刻停止膜47、沟道14、氧化物半导体层15的纯化膜23 ;贯通该纯化膜23且与氧化物 半导体层15相接的源电极48和漏电极49。该情况下，蚀刻停止膜47和纯化膜23中的至 少一者由含氣的氮化娃膜、含氣的氧化娃膜、含氣的氮氧化娃构成，氣原子自蚀刻停止膜47 和纯化膜23的至少一者向沟道14扩散。
[0104] 另外，如图14所示，与图13的TFT50相比，具备2层的蚀刻停止膜51、52代替1 层的蚀刻停止膜47的TFT53也适用本发明。该情况下，2层的蚀刻停止膜51、52的至少一 者由含氣的氮化娃膜、含氣的氧化娃膜、含氣的氮氧化娃构成，氣原子自2层的蚀刻停止膜 51、52的至少一者向沟道14扩散。需要说明的是，就扩散的结果而言，运些含有氣的膜中的 氣原子浓度分布呈现面向IGZ0膜而浓度降低的浓度梯度。 阳1化]进而，如图15所示，本发明也可W适用TFT62,其具备：基板11上直接形成的包含 由IGZ0膜构成的沟道54的氧化物半导体层55 ;覆盖沟道54的栅极绝缘膜57 ;在栅极绝缘 膜57上形成的栅电极58 ;覆盖栅电极58、氧化物半导体层55的纯化膜59 ;贯通该纯化膜 59且与氧化物半导体层