55相接的源电极60和漏电极61。该情况下，栅极绝缘膜57和纯 化膜59中的至少一者由含氣的氮化娃膜、含氣的氧化娃膜、含氣的氮氧化娃构成，氣原子 自栅极绝缘膜57和纯化膜59的至少一者向沟道54扩散。需要说明的是，就扩散的结果而 言，运些含有氣的膜中的氣原子浓度分布呈现面向IGZ0膜而浓度降低的浓度梯度。
[0106] 另外，如图16所示，与图15的TFT62相比，具备2层的栅极绝缘膜63、64代替1 层的栅极绝缘膜57的TFT65也适用本发明。该情况下，2层的栅极绝缘膜63、64中的至少 一者由含氣的氮化娃膜、含氣的氧化娃膜、含氣的氮氧化娃构成，氣原子自2层的栅极绝缘 膜63,64的至少一者向沟道54扩散。需要说明的是，就扩散的结果而言，运些含有氣的膜 中的氣原子浓度分布呈现面向IGZ0膜而浓度降低的浓度梯度。 阳107] 上述的实施方式中，对于在等离子体CVD成膜装置中的窗构件包含电介质的情况 进行了叙述，作为可W适用本发明的电子设备的制造装置，只要是电感禪合等离子体装置 就没有特别限定。例如，就电子设备的制造装置而言，作为窗构件可W使用单一或多个金属 部材（例如，日本特开2012-227427)，作为天线可W使用螺线管线圈，进一步而言，只要是 微波等离子体装置等、能够产生高密度等离子体的装置，就不限定于运些。
[0108] 另外，对于本发明的目的而言，将记录有实现上述实施方式功能的软件程序代码 的存储介质供给于计算机、例如控制器40,并且控制器40的CPU读取存储于存储介质中的 程序代码来实施，由此也可W达成。
[0109] 该情况下，由存储介质读取的程序代码自身实现上述实施方式功能，程序代码及 存储该程序代码的存储介质构成本发明。
[0110] 另外，作为用于供给程序代码的存储介质，例如，RAM、NVRAM、Floppy (注册商标） 盘、硬盘、光磁盘、CD-ROM、CD-R、CD-RW、DVD 值VD-R0M、DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW)等光盘、磁 带、非挥发性的记忆卡、其它ROM等的只要是能够存储上述程序代码的即可。或者，上述程 序代码也可W通过由连接至互联网、商用网络、或局域网等的未图示的其它计算机、数据库 等下载而供给于控制器40。 阳111] 另外，也包含下述情况：通过实施控制器40读取的程序代码，不仅实现上述的实 施方式功能，还基于该程序代码的指示，CPU上搭载的0S的pening System,操作系统）等进 行实际处理的一部分或全部，利用该处理实现上述的实施方式功能。
[0112] 进而，也包含下述情况：由存储介质读取的程序代码写入插入控制器40的功能扩 展板、连接于控制器40的功能扩展单元中具备的存储器后，基于该程序代码的指示，该功 能扩展板、功能扩展单元具备的CPU等进行实际处理的一部分或全部，利用该处理实现上 述的实施方式功能。
[0113] 上述程序代码的形态，也可W包含目标代码、利用解释程序而实施的程序代码、供 给于0S的脚本数据等形态。
【主权项】
1. 一种电子设备，其特征在于，其具备：构成氧化物半导体的金属氧化物膜、与该金属 氧化物膜邻接的第1膜、以及夹持该第1膜且与所述金属氧化物膜相对的第2膜； 所述第1膜和所述第2膜的至少一者由含氟膜形成， 所述第1膜与所述金属氧化物膜的边界的氟原子浓度高于所述金属氧化物膜的所述 边界以外部分的氟原子浓度，至少所述第1膜的所述边界以外部分的氟原子浓度分布具有 面向所述边界而减少的浓度梯度。2. 根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述含氟膜的所述氟原子浓度高于 所述金属氧化物膜的所述边界以外部分的所述氟原子浓度。3. 根据权利要求1或2所述的电子设备，其特征在于，所述含氟膜为含氟的氮化硅 SiN:F膜、含氟的氧化硅SiO:F膜以及含氟的氮氧化硅SiON:F膜中的任一种。4. 根据权利要求1~3中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述第1膜为蚀刻停止 膜，所述第2膜为钝化膜。5. 根据权利要求1~4中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述金属氧化物膜至少 含有氧化锌或IGO作为构成元素。6. -种电子设备，其特征在于，其具备：构成氧化物半导体的金属氧化物膜、和与该金 属氧化物膜邻接的含氟膜； 所述含氟膜与所述金属氧化物膜的边界的氟原子浓度高于所述金属氧化物膜的所述 边界以外部分的所述氟原子浓度和所述含氟膜的所述边界以外部分的氟原子浓度， 所述含氟膜的氟原子浓度高于所述金属氧化物膜的所述边界以外部分的氟原子浓度。7. 根据权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述含氟膜为含氟的氮化硅SiN:F 膜、含氟的氧化硅SiO:F膜以及含氟的氮氧化硅SiON:F膜中的任一种。8. 根据权利要求6或7所述的电子设备，其特征在于，所述含氟膜为钝化膜、蚀刻停止 膜以及栅极绝缘膜中的任一种。9. 根据权利要求6~8中任一项所述的电子设备，其特征在于，所述金属氧化物膜至少 含有氧化锌或IGO作为构成元素。10. -种电子设备的制造方法，其特征在于，所述电子设备具备：构成氧化物半导体的 金属氧化物膜、与该金属氧化物膜邻接的第1膜、以及夹持该第1膜且与所述金属氧化物膜 相对的第2膜， 所述第1膜和所述第2膜的至少一者由含氟膜构成，使氟原子自该含氟膜向所述金属 氧化物膜扩散， 使所述第1膜与所述金属氧化物膜的边界的氟原子浓度高于所述金属氧化物膜的所 述边界以外部分的所述氟原子浓度。11. 一种电子设备的制造方法，其特征在于，所述电子设备具备：构成氧化物半导体的 金属氧化物膜、以及与该金属氧化物膜直接邻接或夹持其它膜而邻接的含氟膜， 通过使用了氟化物的气体、和包含氧原子、氮原子中的至少任一者的气体的化学气相 沉积法形成所述含氟膜。12. 根据权利要求11所述的电子设备的制造方法，其特征在于，所述化学气相沉积法 中使用的任一种气体均不含氢原子。13. 根据权利要求11或12所述的电子设备的制造方法，其特征在于，所述化学气相沉 积法通过使用电感耦合等离子体或微波等离子体的等离子体处理装置来实施。14. 根据权利要求11~13中任一项所述的电子设备的制造方法，其特征在于，所述含 氟膜由含氟的氮化硅SiN:F膜形成，所述化学气相沉积法中使用的气体包含四氟化硅SiF4 气体和氮气N2。15. 根据权利要求11~13中任一项所述的电子设备的制造方法，其特征在于，所述 含氟膜由含氟的氧化硅SiO:F膜形成，所述化学气相沉积法中使用的气体包含四氟化硅气 体、以及氧气〇2和一氧化二氮N20气体中的至少一种气体。16. 根据权利要求11~13中任一项所述的电子设备的制造方法，其特征在于，所述含 氟膜由含氟的氮氧化硅SiON:F膜形成，所述化学气相沉积法中使用的气体包含四氟化硅 气体、氮气、以及氧气和一氧化二氮气体中的至少一种气体。17. -种电子设备的制造装置，其特征在于，所述电子设备具备：构成氧化物半导体的 金属氧化物膜、与该金属氧化物膜直接邻接或夹持其它膜而邻接的含氟膜， 通过使用了氟化物的气体、和包含氧原子和氮原子的至少任一者的气体的化学气相沉 积法形成所述含氟膜。18. 根据权利要求17所述的电子设备的制造装置，其特征在于，所述电子设备的制造 装置通过使用电感耦合等离子体或微波等离子体的等离子体处理装置来实施。
【专利摘要】[课题]提供能够防止性能降低的电子设备及其制造方法和其制造装置。[解决手段]薄膜晶体管(21)具备：由IGZO膜构成的沟道(14)、与该沟道(14)邻接的蚀刻停止膜(22)、夹持该蚀刻停止膜(22)且与沟道(14)相对的钝化膜(23)，钝化膜(23)由含氟的氮化硅膜形成，蚀刻停止膜(22)与沟道(14)的边界的氟原子浓度高于沟道(14)的边界以外部分的氟原子浓度，且蚀刻停止膜(22)的上述边界以外部分的氟原子浓度分布具有面向上述边界而减少的浓度梯度。
【IPC分类】H01L29/786, H01L29/36, H01L21/34
【公开号】CN105489655
【申请号】CN201510633441
【发明人】里吉务, 石田宽, 佐佐木和男, 古田守
【申请人】东京毅力科创株式会社, 高知县公立大学法人
【公开日】2016年4月13日
【申请日】2015年9月29日