。
[0156]然而，当金属材料的厚度减小时，可以减小热机械应力。也就是，在连接导体121p存在于第一端子焊盘140的边缘处时的热机械应力小于在上电极和下电极两者存在于第一端子焊盘140的边缘处时的热机械应力。
[0157]结果，热机械应力在第一端子焊盘140的边缘处减小，以减少由于热机械应力而发生的缺陷。
[0158]参照图7至图9，将描述根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件。
[0159]图7是包括根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件的半导体芯片的示意平面图。图8是图7的部分Q和R的放大图。图9是沿图8的线B-B和C-C截取的截面图。
[0160]参照图7，多个外部端子ET可以布置在半导体芯片21的一个表面上，该半导体芯片21包括根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件。也就是，多个外部端子ET可以布置在基板100的一个表面上。
[0161]基板100可以包括第一区I和第二区II。第一区I可以是基板100的外部分，第二区II可以是基板100的中心部分。也就是，第一区I可以围绕第二区II的外缘。
[0162]基板100只是被任意地分成第一区I和第二区II，并且不限于此。在图7中，当定义部分Q和R时，基板100的第一区I包括更靠近基板100的侧壁10s的区域，基板100的第二区II包括更远离基板100的侧壁10s的区域。
[0163]参照图7至图9，根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件5可以包括第三电容器结构220、第四电容器结构320、第二端子焊盘240、第三端子焊盘340等。
[0164]第三电容器结构220和第二端子焊盘240可以设置在基板100的第一区I中，第四电容器结构320和第三端子焊盘340可以设置在基板100的第二区II中。
[0165]第三电容器结构220和第四电容器结构320可以设置在层间绝缘层110中。更具体地，第三电容器结构220和第四电容器结构320可以设置在层间绝缘层114中。第三电容器结构220和第四电容器结构320可以例如分别与下布线结构115和/或上布线结构117电连接。
[0166]第三电容器结构220可以包括第二通孔220h。第二通孔220h可以具有第二周缘220c。第三电容器结构220的上部和第三电容器结构220的下部可以通过第二通孔220h连接到彼此。
[0167]然而，第四电容器结构320可以不包括在第三端子焊盘340的外缘上的通孔。与第三端子焊盘340相关地给出对其的描述。
[0168]第三电容器结构220可以在基板100的一个表面上设置在与第四电容器结构320相同的水平上。也就是，从基板100的一个表面到第三电容器结构220的上表面的高度可以与从基板100的所述一个表面到第四电容器结构320的上表面的高度基本上相同。
[0169]第三电容器结构220可以包括顺序地层叠在下层间绝缘层112上的第三下电极221、第三电容器绝缘层222和第三上电极223，第四电容器结构320可以包括顺序地层叠在下层间绝缘层112上的第四下电极321、第四电容器绝缘层322和第四上电极323。
[0170]在根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件5中，第三电容器结构220和第四电容器结构320可以彼此分开。也就是，第三电容器结构220和第四电容器结构320可以分别是具有电容的电容器。
[0171 ] 例如，第三上电极223和第四上电极323可以彼此分开，第三电容器绝缘层222和第四电容器绝缘层322可以彼此分开。
[0172]第三上电极223和第四上电极323的每个可以包括例如从导电金属氮化物(例如，钛氮化物、钽氮化物或钨氮化物)、金属(例如，钌、铱、钛或钽)和导电金属氧化物(例如，铱氧化物)中选择的至少一个。
[0173]第三电容器绝缘层222和第四电容器绝缘层322的每个可以包括例如硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物和高介电常数材料中的至少一个。
[0174]第三下电极221和第四下电极321的每个可以包括例如从导电金属氮化物(例如，钛氮化物、钽氮化物或钨氮化物)、金属(例如，钌、铱、钛或钽)和导电金属氧化物(例如，铱氧化物)中选择的至少一个。
[0175]由于第三电容器结构220和第四电容器结构320可以在相同的制造工艺中形成，所以第三下电极221可以包括与第四下电极321相同的材料，第三电容器绝缘层222可以包括与第四电容器绝缘层322相同的材料，第三上电极223可以包括与第四上电极323相同的材料。
[0176]第二端子焊盘240和第三端子焊盘340的每个可以设置在层间绝缘层110上。第二端子焊盘240可以设置在第三电容器结构220上，第三端子焊盘340可以设置在第四电容器结构320上。
[0177]第二端子焊盘240和第三端子焊盘340的每个可以设置在基板100的相同的表面上。也就是，第二端子焊盘240和第三端子焊盘340两者可以设置在基板100的一个表面上。
[0178]第三端子焊盘340比第二端子焊盘240更远离基板100的边缘。具体地，从基板100的侧壁10s到第二端子焊盘240的第一距离LI小于从基板100的侧壁10s到第三端子焊盘340的第二距离L2。
[0179]第二端子焊盘240的周缘240c可以通过与第二端子焊盘240的侧壁240s连接而限定。从平面图视角，第二端子焊盘240的周缘240c可以位于第二通孔220h的周缘220c内。
[0180]因此，第三电容器结构220可以设置在第二端子焊盘240的外缘下面并可以不与第二端子焊盘240交叠。
[0181]由于第二端子焊盘240的周缘240c位于第二通孔220h的周缘220c内，所以第二端子焊盘240的侧壁240s的延长线EL2可以不遇到(或延伸到)第三电容器结构220，而是可以与第三电容器结构220分开。
[0182]在根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件5中，其中顺序层叠下电极、电容器绝缘层和上电极的电容器结构可以在中间层间绝缘层114中不设置在第二端子焊盘240的周缘240c与第二通孔220h的周缘220c之间。也就是，从平面图视角，在第二端子焊盘240和第三电容器结构220之间可以没有设置电容器结构。
[0183]在根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件5中，在层间绝缘层110中可以没有设置与第二端子焊盘240交叠的电容器结构。
[0184]第三端子焊盘340的周缘340c可以通过与第三端子焊盘340的侧壁340s连接而限定。由于第四电容器结构320不包括在第三端子焊盘340的外缘上(或之内)的通孔，所以第三端子焊盘340的周缘340c可以遇到(或延伸到)第四电容器结构320。
[0185]设置在第三端子焊盘340下面的第四电容器结构320可以与第三端子焊盘340交叠。换句话说，第三端子焊盘340可以与第四电容器结构320完全交叠。
[0186]钝化层130可以设置在层间绝缘层110、第二端子焊盘240和第三端子焊盘340上。钝化层130可以包括暴露第二端子焊盘240的一部分的第二开口 130t-l和暴露第三端子焊盘340的一部分的第三开口 130t-2。
[0187]第二导电粘合层245可以插置在第二端子焊盘240和第二外部端子250之间，第三导电粘合层345可以插置在第三端子焊盘340和第三外部端子350之间。
[0188]参照图10，将描述根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件。为了容易描述，将主要描述与参照图7至图9的描述的差异。
[0189]图10是用于描述根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件的图示。
[0190]参照图10，根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件6还可以包括第五电容器结构225。
[0191]第五电容器结构225可以设置在基板100和第二端子焊盘240之间，也就是在层间绝缘层110中。第五电容器结构225可以在基板100的一个表面上设置在与第三电容器结构220相同的水平上。
[0192]第五电容器结构225的至少一部分可以与第二端子焊盘240交叠。在根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件6中，第二电容器结构225可以与第二端子焊盘240完全交叠。换句话说，从平面图视角，第五电容器结构225可以完全设置在第二端子焊盘240的周缘240c内。
[0193]第二端子焊盘240的侧壁240s的延长线EL2可以不遇到(或直接相邻于)第五电容器结构225。因此，第二端子焊盘240的侧壁240s的延长线EL2可以与第五电容器结构225分开。
[0194]第五电容器结构225可以设置在第二通孔220h中。也就是，第五电容器结构225可以设置在第二通孔220h的周缘220c内。
[0195]在根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件6中，第五电容器结构225可以例如与下布线结构115和/或上布线结构117电连接。
[0196]第五电容器结构225可以包括顺序地层叠在下层间绝缘层112上的第五下电极226、第五电容器绝缘层227和第五上电极228。因为对其的描述与第三电容器结构220的描述基本相似，所以下面将省略该描述。
[0197]图10的切割线B-B示出的部分可以与图4的类似。然而，本发明构思的示例实施方式不限于此。也就是，图10的切割线B-B示出的部分可以与图5或图6的类似。
[0198]参照图11至图12，将描述根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件。为了容易描述，将主要描述与参照图7至图9的描述的差异。
[0199]图11是用于描述根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件的图示。图12是沿图11的线B-B和C-C截取的截面图。
[0200]参照图11和图12，在根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件7中，第四电容器结构320可以包括第三通孔320h。第三通孔320h可以具有第三周缘320c。
[0201]第三端子焊盘340的周缘340c可以通过与第三端子焊盘340的侧壁340s连接而限定。从平面图视角，第三端子焊盘340的周缘340c可以位于第三通孔320h的周缘320c内。
[0202]因此，第四电容器结构320可以设置在第三端子焊盘340的外缘下面，并可以不与第三端子焊盘340交叠。
[0203]由于第三端子焊盘340的周缘340c位于第三通孔320h的周缘320c内，所以第三端子焊盘的侧壁340s的延长线EL3可以不遇到第四电容器结构320而是可以与第四电容器结构320分开。
[0204]在根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件7中，在中间层间绝缘层114中，其中顺序层叠下电极、电容器绝缘层和上电极的电容器结构可以不设置在第三端子焊盘340的周缘340c与第三通孔320h的周缘320c之间。也就是，从平面图视角，在第三端子焊盘340和第四电容器结构320之间可以没有设置电容器结构。
[0205]在根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件7中，在层间绝缘层110中可以没有设置与第三端子焊盘340交叠的电容器结构。
[0206]在图12中，第二端子焊盘240的侧壁240s的延长线EL2与第三电容器结构220之间的距离可以是第三距离wl，第三端子焊盘340的侧壁340s的延长线EL3与第四电容器结构320之间的距离可以是第四距离w2。
[0207]在根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件7中，第二端子焊盘240的侧壁