电容和埋电容电路板的制作方法

技术特征：

1.一种电容，其包括：

高介电常数聚合物复合材料层；

离子注入层，所述离子注入层通过离子注入方法使导电材料离子高速注入至高介电常数聚合物复合材料层内而形成；以及

金属层，其形成并覆盖于所述离子注入层上。

2.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，所述离子注入层的注入材料与所述高介电常数聚合物复合材料层形成掺杂结构，所述掺杂结构在所述高介电常数聚合物复合材料层的表面下形成多个基桩。

3.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，所述电容还包括导体沉积层，所述导体沉积层覆盖于所述离子注入层上，且所述金属层覆盖于所述导体沉积层之上，所述导体沉积层包括等离子体沉积层和/或磁控溅射沉积层，所述等离子体沉积层通过等离子体沉积方法使导电材料离子沉积而形成；所述磁控溅射层通过磁控溅射方法使导电材料原子沉积而形成。

4.根据权利要求3所述的电容，其特征在于，所述等离子体沉积层和所述磁控溅射层均包括一层或多层导体材料，所述各层导体材料均通过一次或多次所述等离子体沉积或磁控溅射过程形成。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的电容，其特征在于，所述离子注入层的材料包括：Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb中的一种。

6.根据权利要求3或4所述的电容，其特征在于，所述导体沉积层的材料包括：Ti、Cr、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb中的一种。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的电容，其特征在于，所述金属层的材料包括：由Al、Mn、Fe、Ti、Cr、Co、Ni、Cu、Ag、Au、V、Zr、Mo、Nb中的一种。

8.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，所述高介电常数聚合物复合材料层的聚合物树脂包括环氧树脂、BT树脂、双马来酰亚胺、氰酸酯、聚乙烯、聚苯乙烯、聚偏氟乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚苯硫醚、耐高温聚丙烯、聚2，6萘二酸乙二酯、聚酰亚胺、聚四氟乙烯、聚苯醚中的一种。

9.根据权利要求1所述的电容，其特征在于，所述高介电常数聚合物复合材料层的高介电常数颗粒包括无机陶瓷颗粒和/或导电粒子。

10.根据权利要求9所述的电容，其特征在于，所述无机陶瓷颗粒包括二氧化硅、钛酸钡、钛酸锶、锆钛酸铅、钛酸铅镧、锆酸铅镧、钽酸锶铋中的一种。

11.根据权利要求9所述的电容，其特征在于，所述导电粒子包括碳纳米管、碳黑、石墨粉体、Al、Al₂O₃、Ag、Ni中的一种。

12.根据权利要求1-4中任一项所述的电容，其特征在于，所述金属层通过电镀、化学镀、真空蒸发镀中的一种而获得。

13.根据权利要求1-4中任一项所述的电容，其特征在于，所述高介电常数聚合物复合材料层的厚度为8-25μm。

14.根据权利要求1-4中任一项所述的电容，其特征在于，所述电容为薄膜形式的电容。

15.一种埋电容电路板，其包括：

根据权利要求1-14中任一项所述的电容；以及

所述电容埋入其中的电路基板材料。