技术总结
本实用新型公开了一种信噪比高的MEMS麦克风，包括下层PCB板和具有容纳腔的上壳体，所述上壳体固定在下层PCB板的顶部，所述下层PCB板的顶部放置有位于容纳腔的MEMS芯片和ASIC芯片，所述ASIC芯片位于MEMS芯片的右侧，所述MEMS芯片和ASIC芯片之间通过第一键合金线电性连接，所述ASIC芯片通过第二键合金线与下层PCB板电性连接。本实用新型在下层PCB板上设置U形通道的同时，U形通道的一端与位于MEMS芯片的底部，U形通道的另一端与导气管连通，由此使声音信号可以通过麦克风声孔直接到达MEMS芯片的底部，以前进音的封装方式，实现麦克风的背进音功能，从而扩大了进音腔体的体积，有效提升了麦克风的信噪比，提高了MEMS麦克风的实用性，值得推广使用。
技术研发人员：郭桥生;康良军;郭奕君;郭智华
受保护的技术使用者：朝阳聚声泰（信丰）科技有限公司
技术研发日：2019.01.22
技术公布日：2019.08.20