1.在安置了带有靶(9)的磁控管(10)和基底(1)的真空室(3)中使用借助磁控靶生成等离子体的pecvd法用类金刚石碳层涂覆基底(1)的方法，其包括将至少一种反应物气体引入在真空室(3)中由靶(9)生成的等离子体中，因此形成反应物气体的片段，所述片段沉积在基底(2)上以形成类金刚石碳层，其中运行借助磁控靶生成等离子体的pecvd法，以使得在类金刚石碳层沉积到基底(1)上的过程中，靶(9)以中毒模式运行。
2.根据权利要求1的方法，其中所述靶(9)是由硅、碳或金属制成的靶(9)，其中所述金属优选选自钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼或钨。
3.根据权利要求2的方法，其中所述硅靶被铝和/或硼和/或锆和/或铪和/或钛掺杂。
4.根据前述权利要求任一项的方法，其中所述靶(9)是平面靶或可旋转靶。
5.根据前述权利要求任一项的方法，其中所述至少一种反应物在引入真空室(3)之前已经以气相存在或通过加热而转化成气相。
6.根据前述权利要求任一项的方法，其中所述至少一种反应物选自烃、有机硅化合物或其混合物。
7.根据前述权利要求任一项的方法，其中所述至少一种反应物选自四甲基硅烷、c1-c10-烷、c2-c10-炔、苯或其混合物。
8.根据前述权利要求任一项的方法，其进一步包括将至少一种惰性气体引入真空室(3)，其中所述惰性气体优选选自氖气、氩气、氪气、氙气或其组合。
9.根据前述权利要求任一项的方法，其中反应物气体/惰性气体的流量比为>0.4，优选>0.5，特别优选>0.6，特别地，所述反应物气体是c2h2、ch4或tms且所述惰性气体是ar。
10.根据前述权利要求任一项的方法，其中在类金刚石碳层的沉积过程中所述基底(1)，特别是玻璃基底的温度为20℃至150℃。
11.根据前述权利要求任一项的方法，其中真空室(3)中的压力为0.1µbar至10µbar。
12.根据前述权利要求任一项的方法，其中所述基底(1)是导电基底或非导电基底，其中所述基底(1)优选由金属、塑料、纸、玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷制成，特别优选由玻璃制成。
13.根据前述权利要求任一项的方法，其中所述基底(1)是未涂覆的或被至少一个基层预涂覆，其中所述基底(1)优选是未涂覆的玻璃基底或被基层预涂覆的玻璃基底，其中所述基层优选含有氮化硅（si3n4）。
14.根据前述权利要求任一项的方法，其中形成的类金刚石碳层未掺杂或被至少一种外来原子掺杂，其中所述外来原子选自硅、氧、硫、氮、氟或金属，其中所述金属优选选自钛、锆、铪、钒、铌、钽、铬、钼或钨。
15.可通过根据权利要求1至14任一项的方法获得的经涂覆的基底。