技术总结
本发明涉及在安置了带有靶(9)的磁控管(10)和基底(1)的真空室(3)中使用借助磁控靶生成等离子体的PECVD法（磁控管PECVD）用类金刚石碳（DLC）层涂覆基底(1)的方法，其中所述方法包括将至少一种反应物气体引入在真空室中由磁控靶(9)生成的等离子体中，因此形成反应物气体的片段，所述片段沉积在基底(1)上以形成DLC层。根据本发明的方法适于用DLC层大面积涂覆基底(1)，例如玻璃板。所得DLC层在耐划伤性和光学性质方面具有出色质量。根据本发明的方法可用常规沉积装置实施。基底加热不是必要的。
技术研发人员：J.哈根;N.胡恩;J.林纳
受保护的技术使用者：法国圣戈班玻璃厂
技术研发日：2018.07.19
技术公布日：2020.03.24